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1. 发明专利

TW202011452A 用於圖案化具有所需尺度的材料層的方法审中-公开
简体标题：用于图案化具有所需尺度的材料层的方法
公开(公告)号：TW202011452A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108115985
申请日：2019-05-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張郢 , ZHANG, YING , 周林 , LIN ZHOU
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311
摘要：提供了用於圖案化膜堆疊的方法。在一個實施例中，一種用於圖案化設置在基板上的膜堆疊的方法包括以下步驟：執行第一蝕刻過程以蝕刻設置在基板上的膜堆疊，其中該膜堆疊包括設置在上層上的圖案化的光致抗蝕層，該上層在設置在該基板上的下層上，其中該圖案化的光致抗蝕層包括界定在特徵之間的開口，且該等特徵具有第一間距，其中該第一蝕刻過程從該膜堆疊移除由該圖案化的光致抗蝕層所暴露的該下層的約40%與約95%之間；在該膜堆疊上執行第二蝕刻過程；及在該第二蝕刻過程完成之後，該等特徵就被轉移到該膜堆疊中的該上層或該下層中而具有第二間距，其中該第二間距比該第一間距短。
简体摘要：提供了用于图案化膜堆栈的方法。在一个实施例中，一种用于图案化设置在基板上的膜堆栈的方法包括以下步骤：运行第一蚀刻过程以蚀刻设置在基板上的膜堆栈，其中该膜堆栈包括设置在上层上的图案化的光致抗蚀层，该上层在设置在该基板上的下层上，其中该图案化的光致抗蚀层包括界定在特征之间的开口，且该等特征具有第一间距，其中该第一蚀刻过程从该膜堆栈移除由该图案化的光致抗蚀层所暴露的该下层的约40%与约95%之间；在该膜堆栈上运行第二蚀刻过程；及在该第二蚀刻过程完成之后，该等特征就被转移到该膜堆栈中的该上层或该下层中而具有第二间距，其中该第二间距比该第一间距短。

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