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1. 发明专利

TW201829817A 真空沈積設備與對應之沈積模組及沈積一層於一基板上之方法审中-公开
简体标题：真空沉积设备与对应之沉积模块及沉积一层于一基板上之方法
公开(公告)号：TW201829817A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106128600
申请日：2017-08-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 巴許約翰 , BUSCH, JOHN D.
IPC分类号： C23C14/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01J37/34
摘要：根據本揭露之一方面，提供用以真空沈積於基板上之設備。設備包括：真空腔室，包括具有第一幫浦開孔之第一側壁及具有第二幫浦開孔之第二側壁；第一沈積區域，裝配以用於容納用以沈積層於基板上之第一沈積源；第一基板傳送路徑，基板沿著於真空腔室中延伸通過第一沈積區域之第一基板傳送路徑傳送；以及第一幫浦通道，配置而相鄰於第一沈積區域，且從第一幫浦開孔延伸至第二幫浦開孔，其中第一幫浦通道包括一或多個側向開孔，定義從真空腔室之主空間至第一幫浦通道中之第一氣流路徑。再者，說明沈積模組及沈積層於基板上之方法。
简体摘要：根据本揭露之一方面，提供用以真空沉积于基板上之设备。设备包括：真空腔室，包括具有第一帮浦开孔之第一侧壁及具有第二帮浦开孔之第二侧壁；第一沉积区域，装配以用于容纳用以沉积层于基板上之第一沉积源；第一基板发送路径，基板沿着于真空腔室中延伸通过第一沉积区域之第一基板发送路径发送；以及第一帮浦信道，配置而相邻于第一沉积区域，且从第一帮浦开孔延伸至第二帮浦开孔，其中第一帮浦信道包括一或多个侧向开孔，定义从真空腔室之主空间至第一帮浦信道中之第一气流路径。再者，说明沉积模块及沉积层于基板上之方法。

2. 发明专利

TWI690974B 交流電力連接器、濺射設備及其之方法有权
简体标题：交流电力连接器、溅射设备及其之方法
公开(公告)号：TWI690974B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW103142746
申请日：2014-12-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE , 凱樂史丹分 , KELLER, STEFAN , 班德麥卡司 , BENDER, MARCUS
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34

3. 发明专利

TW201907031A 材料沈積配置、用以沈積材料於基板之一方法及一材料沈積配置腔室审中-公开
简体标题：材料沉积配置、用以沉积材料于基板之一方法及一材料沉积配置腔室
公开(公告)号：TW201907031A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107113315
申请日：2018-04-19
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 德皮世奇湯瑪士 , DEPPISCH, THOMAS , 海恩史德分 , HEIN, STEFAN , 霍夫曼安納貝爾 , HOFMANN, ANNABELLE
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/54 , C23C16/455 , C23C16/52 , F16K49/00
摘要：一種用以沈積一材料於一基板上之材料沈積配置腔室(1000)係說明。材料沈積配置腔室包括一真空產生裝置(1060)及一材料沈積配置(100)。材料沈積配置具有一閥元件(200)，裝配以調節將沈積之材料的材料流通。
简体摘要：一种用以沉积一材料于一基板上之材料沉积配置腔室(1000)系说明。材料沉积配置腔室包括一真空产生设备(1060)及一材料沉积配置(100)。材料沉积配置具有一阀组件(200)，装配以调节将沉积之材料的材料流通。

4. 发明专利

TW201538768A 用於沈積設備之電極組以及用於組裝電極組之方法审中-公开
简体标题：用于沉积设备之电极组以及用于组装电极组之方法
公开(公告)号：TW201538768A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103143658
申请日：2014-12-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE , 史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 露博安德率斯 , LOPP, ANDREAS , 爵伯勒湯瑪士 , GEBELE, THOMAS
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/342 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3461
摘要：一種用於一濺射沈積設備之電極組(120；200；300；400；700；800；900)係提供。此電極組包括一組件(210；310；410；710；810；910)，用以提供將沈積之材料及支承一可旋轉靶之至少一者；一磁鐵系統(230；330；430；730；830；930)，設置於組件(210；310；410；710；810；910)內；以及一磁極片(240；241；242；340；341；342；440；441；442；740；741；742；840；841；842；940；941；942)，用以設置於磁鐵系統和組件之間。再者，一種用以組裝具有一磁鐵系統(230；330；430；730；830；930)之一電極組的方法係說明。
简体摘要：一种用于一溅射沉积设备之电极组(120；200；300；400；700；800；900)系提供。此电极组包括一组件(210；310；410；710；810；910)，用以提供将沉积之材料及支承一可旋转靶之至少一者；一磁铁系统(230；330；430；730；830；930)，设置于组件(210；310；410；710；810；910)内；以及一磁极片(240；241；242；340；341；342；440；441；442；740；741；742；840；841；842；940；941；942)，用以设置于磁铁系统和组件之间。再者，一种用以组装具有一磁铁系统(230；330；430；730；830；930)之一电极组的方法系说明。

5. 发明专利

TW201541499A 交流電力連接器、濺射設備及其之方法审中-公开
简体标题：交流电力连接器、溅射设备及其之方法
公开(公告)号：TW201541499A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103142746
申请日：2014-12-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE , 凱樂史丹分 , KELLER, STEFAN , 班德麥卡司 , BENDER, MARCUS
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/32183 , C23C14/3407 , H01G5/04 , H01G5/12 , H01J37/32577 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444 , H01J2237/20214 , H01J2237/3322 , H03H7/004
摘要：一種用以連接一AC電源至一裝置之交流電力連接器係提供。AC電力連接器包括可連接於AC電源之至少一第一元件及可連接於裝置之至少一第二元件，此至少一第一元件與此至少一第二元件係相對於彼此配置於一第一距離，用以定義一電容，其中此至少一第一元件與此至少一第二元件係相對於彼此可旋轉，其中此至少一第一元件與此至少一第二元件係配置以在此至少一第一元件與此至少一第二元件之間傳送一AC電力。
简体摘要：一种用以连接一AC电源至一设备之交流电力连接器系提供。AC电力连接器包括可连接于AC电源之至少一第一组件及可连接于设备之至少一第二组件，此至少一第一组件与此至少一第二组件系相对于彼此配置于一第一距离，用以定义一电容，其中此至少一第一组件与此至少一第二组件系相对于彼此可旋转，其中此至少一第一组件与此至少一第二组件系配置以在此至少一第一组件与此至少一第二组件之间发送一AC电力。

6. 发明专利

TW201520539A 用於處理一大面積基板之設備及方法审中-公开
简体标题：用于处理一大面积基板之设备及方法
公开(公告)号：TW201520539A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103125047
申请日：2014-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE , 史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 史奇羅德臼卷 , SCHROEDER, JÜRGEN
IPC分类号： G01N21/84
CPC分类号： G01N21/474 , G01N21/896 , G01N21/958
摘要：一種用於處理大面積基板之設備以及一種用於量測實質上垂直配置之大面積基板之方法係說明。用於處理大面積基板之設備包括：腔體配置，用於以實質上垂直配置狀態傳輸大面積基板於其中通過，其中腔體配置包括至少一腔體、處理裝置及出口埠，處理裝置用以處理垂直配置之大面積基板，出口埠用於垂直配置之大面積基板；傳輸系統，用於傳輸基板通過腔體配置；以及量測配置，包括光學量測裝置。光學量測裝置包括發光裝置及光偵測裝置，發光裝置用以發出漫射光至垂直配置之大面積基板上，光偵測裝置用以量測垂直配置之大面積基板之至少一光學性質。
简体摘要：一种用于处理大面积基板之设备以及一种用于量测实质上垂直配置之大面积基板之方法系说明。用于处理大面积基板之设备包括：腔体配置，用于以实质上垂直配置状态传输大面积基板于其中通过，其中腔体配置包括至少一腔体、处理设备及出口端口，处理设备用以处理垂直配置之大面积基板，出口端口用于垂直配置之大面积基板；传输系统，用于传输基板通过腔体配置；以及量测配置，包括光学量测设备。光学量测设备包括发光设备及光侦测设备，发光设备用以发出漫射光至垂直配置之大面积基板上，光侦测设备用以量测垂直配置之大面积基板之至少一光学性质。

7. 发明专利

TW201520538A 用於處理大面積基板之方法與設備审中-公开
简体标题：用于处理大面积基板之方法与设备
公开(公告)号：TW201520538A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103125046
申请日：2014-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE
IPC分类号： G01N21/84
CPC分类号： G05B19/042
摘要：一種用於處理一基板之方法及設備係說明，此方法及設備特別是用於處理一大面積基板。用於處理大面積基板之方法包括：以一傳輸速度傳輸於一實質上垂直配置狀態中之大面積基板通過用以處理大面積基板之一設備之一腔體配置；使用用以處理大面積基板之設備之一處理裝置來處理此大面積基板；使用一量測配置來監控實質上垂直配置之此大面積基板之至少一光學性質，其中實質上垂直配置之此大面積基板係以漫射光照亮；以及基於監控之此大面積基板之此至少一光學性質控制至少一製程參數。
简体摘要：一种用于处理一基板之方法及设备系说明，此方法及设备特别是用于处理一大面积基板。用于处理大面积基板之方法包括：以一传输速度传输于一实质上垂直配置状态中之大面积基板通过用以处理大面积基板之一设备之一腔体配置；使用用以处理大面积基板之设备之一处理设备来处理此大面积基板；使用一量测配置来监控实质上垂直配置之此大面积基板之至少一光学性质，其中实质上垂直配置之此大面积基板系以漫射光照亮；以及基于监控之此大面积基板之此至少一光学性质控制至少一制程参数。

8. 发明专利

TWI643975B 用於控制一氣體供應之方法及控制器與應用其之設備有权
简体标题：用于控制一气体供应之方法及控制器与应用其之设备
公开(公告)号：TWI643975B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103130498
申请日：2014-09-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 海幕奇安格 , HELLMICH, ANKE , 寇和湯瑪士 , KOCH, THOMAS , 德皮世奇湯瑪士 , DEPPISCH, THOMAS
IPC分类号： C23C16/455 , C23C14/54 , H01J37/32

9. 发明专利

TW201706433A 沉積源，真空沉積裝置，及其控制方法审中-公开
简体标题：沉积源，真空沉积设备，及其控制方法
公开(公告)号：TW201706433A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105120404
申请日：2016-06-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 德皮世奇湯瑪士 , DEPPISCH, THOMAS
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3438 , H01J37/3444
摘要：一種用以濺射沈積之沈積源(100, 200, 201, 300)係說明。沈積源包括：一陰極(130, 230)，用以提供將沈積之ㄧ靶材料；至少一陽極組件(110, 210)，具有至少一第一陽極區段(111, 211)及一第二陽極區段(112, 212)，第一陽極區段面對陰極之一第一部，第二陽極區段面對陰極之一第二部；以及一連接器組件(120)。連接器組件包括：一第一電連接(121)，用以連接第一陽極區段(111, 211)至一第一電位(P1)；一第二電連接(122)，用以連接第二陽極區段(112, 212)至一第二電位(P2)；以及一調整手段(150)，用以調整第一電連接(121)之一第一電阻及第二電連接(122)之一第二電阻之至少一者。
简体摘要：一种用以溅射沉积之沉积源(100, 200, 201, 300)系说明。沉积源包括：一阴极(130, 230)，用以提供将沉积之ㄧ靶材料；至少一阳极组件(110, 210)，具有至少一第一阳极区段(111, 211)及一第二阳极区段(112, 212)，第一阳极区段面对阴极之一第一部，第二阳极区段面对阴极之一第二部；以及一连接器组件(120)。连接器组件包括：一第一电连接(121)，用以连接第一阳极区段(111, 211)至一第一电位(P1)；一第二电连接(122)，用以连接第二阳极区段(112, 212)至一第二电位(P2)；以及一调整手段(150)，用以调整第一电连接(121)之一第一电阻及第二电连接(122)之一第二电阻之至少一者。

10. 发明专利

TW201617469A 靶材配置、具有靶材配置之處理設備及用以製造靶材配置之方法审中-公开
简体标题：靶材配置、具有靶材配置之处理设备及用以制造靶材配置之方法
公开(公告)号：TW201617469A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104123074
申请日：2015-07-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史奇那本伯爵法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3417 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/347 , H01J37/3491
摘要：一種用於一處理設備(105; 107)之靶材配置(100; 101; 102; 103; 104; 106)係說明。靶材配置包括一靶材支座(110)，裝配以用於支撐一非平面靶材材料(120)，其中靶材支座(110)包括一真空側(130)及一大氣側(140)。再者，一種是用於一靶材配置之處理設備及一種用以製造一靶材配置之方法係說明。
简体摘要：一种用于一处理设备(105; 107)之靶材配置(100; 101; 102; 103; 104; 106)系说明。靶材配置包括一靶材支座(110)，装配以用于支撑一非平面靶材材料(120)，其中靶材支座(110)包括一真空侧(130)及一大气侧(140)。再者，一种是用于一靶材配置之处理设备及一种用以制造一靶材配置之方法系说明。

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