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1. 发明专利

TWI386618B 用於特性化微電子工件層之厚度及表面起伏的系統和方法失效
简体标题：用于特性化微电子工件层之厚度及表面起伏的系统和方法
公开(公告)号：TWI386618B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097131012
申请日：2008-08-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：傑佛瑞L 麥克基 , MACKEY, JEFFREY L. , 高提傑S 珊得胡 , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： G01B11/06 , G01B9/02 , H01L21/02
CPC分类号： G01B21/08 , G01B11/0641 , G01B11/2441 , G01B21/20

2. 发明专利

TWI371650B 供微影蝕刻處理中控制輻射光束特性之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING RADIATION BEAM CHARACTERISTICS FOR MICROLITHOGRAPHIC PROCESSING 有权
简体标题：供微影蚀刻处理中控制辐射光束特性之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING RADIATION BEAM CHARACTERISTICS FOR MICROLITHOGRAPHIC PROCESSING
公开(公告)号：TWI371650B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW093131025
申请日：2004-10-13
申请人：美光科技公司
发明人：傑佛瑞L 麥克基 , 威廉A 史丹頓
IPC分类号： G03B
CPC分类号： G03F7/70291 , G03F7/70091 , G03F7/70141 , G03F7/70566
摘要：本發明揭示一種用以控制引導至一微影蝕刻工件之輻射的特性之方法與裝置。根據本發明一具體實施例之裝置包括一輻射源，其係放置成將具有一振幅分佈、一相位分佈與一極化分佈的一輻射光束引導至一工件。可將一自適應結構放置於該輻射光束之路徑中，並且該自適應結構可具有複數個可獨立控制並且可選擇性輻射透射之元件，每一元件係配置成改變該輻射光束之該振幅分佈、該相位分佈與該極化分佈之至少一者。可將一控制器操作性地耦合至該自適應結構，以便將該自適應結構的元件從一狀態改變至複數個可用的其他狀態之任一狀態。因此，該自適應結構可提供具有針對多種輻射光束特性之多種連續可變分佈之輻射光束。
简体摘要：本发明揭示一种用以控制引导至一微影蚀刻工件之辐射的特性之方法与设备。根据本发明一具体实施例之设备包括一辐射源，其系放置成将具有一振幅分布、一相位分布与一极化分布的一辐射光束引导至一工件。可将一自适应结构放置于该辐射光束之路径中，并且该自适应结构可具有复数个可独立控制并且可选择性辐射透射之组件，每一组件系配置成改变该辐射光束之该振幅分布、该相位分布与该极化分布之至少一者。可将一控制器操作性地耦合至该自适应结构，以便将该自适应结构的组件从一状态改变至复数个可用的其他状态之任一状态。因此，该自适应结构可提供具有针对多种辐射光束特性之多种连续可变分布之辐射光束。

3. 发明专利

TWI351585B 產生次繞射限制特徵光微影系統及方法 PHOTOLITHOGRAPHIC SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCING SUB-DIFFRACTION-LIMITED FEATURES 有权
简体标题：产生次绕射限制特征光微影系统及方法 PHOTOLITHOGRAPHIC SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCING SUB-DIFFRACTION-LIMITED FEATURES
公开(公告)号：TWI351585B
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW096100943
申请日：2007-01-10
申请人：美光科技公司
发明人：傑佛瑞L 麥克基
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11 , B82Y10/00 , G03F7/70325
摘要：本發明揭示使用表面電漿子共振(plasmon resonance)來實現超過繞射限制的圖案特徵之成像之近場光微影系統及方法。一範例性近場光微影系統包含一電漿子超透鏡模板，該電漿子超透模板包含欲成像到光敏材料上的複數個不透明特徵及一金屬電漿子超透鏡。該等不透明特徵及該金屬超透鏡係藉由一聚合物間隔物層而分離。光傳播穿過該超透鏡模板以在該超透鏡之另一側上形成該等不透明特徵之一影像。包含固體或液體材料之一中間層係插入於該超透鏡與一塗布光阻的半導體晶圓之間，以減小因該超透鏡模板與塗布光阻的半導體晶圓之間的接觸而導致之損害。
简体摘要：本发明揭示使用表面等离子子共振(plasmon resonance)来实现超过绕射限制的图案特征之成像之近场光微影系统及方法。一范例性近场光微影系统包含一等离子子超透镜模板，该等离子子超透模板包含欲成像到光敏材料上的复数个不透明特征及一金属等离子子超透镜。该等不透明特征及该金属超透镜系借由一聚合物间隔物层而分离。光传播穿过该超透镜模板以在该超透镜之另一侧上形成该等不透明特征之一影像。包含固体或液体材料之一中间层系插入于该超透镜与一涂布光阻的半导体晶圆之间，以减小因该超透镜模板与涂布光阻的半导体晶圆之间的接触而导致之损害。

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