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热词
    • 2. 发明专利
    • 具有局部定界的雷射再封閉
    • 具有局部定界的激光再封闭
    • TW201730092A
    • 2017-09-01
    • TW105140183
    • 2016-12-06
    • 羅伯特博斯奇股份有限公司ROBERT BOSCH GMBH
    • 布萊林 阿奇美BREITLING, ACHIM萊賢巴哈 法蘭克REICHENBACH, FRANK蘭穆斯 猶根REINMUTH, JOCHEN雅木托 尤莉亞AMTHOR, JULIA
    • B81C1/00B81B7/02H01L29/84
    • B81C1/00293
    • 本發明提供一種用於製造一微機械組件之方法,該微機械組件具有一基板,且具有連接至該基板並且與該基板圍封一第一空腔之一蓋帽,一第一壓力存在於該第一空腔中且具有一第一化學成分之一第一氣體混合物圍封於該第一空腔中,- 在一第一方法步驟中,在該基板或該蓋帽中形成將該第一空腔連接至該微機械組件之一環境的一接取開口,- 在一第二方法步驟中,調整該第一空腔中之該第一壓力及/或該第一化學成分,- 在一第三方法步驟中,藉由一雷射將能量或熱引入至該基板或該蓋帽之一吸收部分中來封閉該接取開口,其中- 在一第四方法步驟中,形成相對於該基板或該蓋帽之背對該第一空腔之一表面升高且配置於該接取開口之區域中的一結構,以便提供該基板或該蓋帽之一材料區域,該材料區域在該第三方法步驟中轉換成一液態聚集體。
    • 本发明提供一种用于制造一微机械组件之方法,该微机械组件具有一基板,且具有连接至该基板并且与该基板围封一第一空腔之一盖帽,一第一压力存在于该第一空腔中且具有一第一化学成分之一第一气体混合物围封于该第一空腔中,- 在一第一方法步骤中,在该基板或该盖帽中形成将该第一空腔连接至该微机械组件之一环境的一接取开口,- 在一第二方法步骤中,调整该第一空腔中之该第一压力及/或该第一化学成分,- 在一第三方法步骤中,借由一激光将能量或热引入至该基板或该盖帽之一吸收部分中来封闭该接取开口,其中- 在一第四方法步骤中,形成相对于该基板或该盖帽之背对该第一空腔之一表面升高且配置于该接取开口之区域中的一结构,以便提供该基板或该盖帽之一材料区域,该材料区域在该第三方法步骤中转换成一液态聚集体。
    • 5. 发明专利
    • 具有擴散停止通道的微機械構件
    • 具有扩散停止信道的微机械构件
    • TW201731760A
    • 2017-09-16
    • TW106101099
    • 2017-01-13
    • 羅伯特博斯奇股份有限公司ROBERT BOSCH GMBH
    • 布萊林 阿奇美BREITLING, ACHIM萊賢巴哈 法蘭克REICHENBACH, FRANK蘭穆斯 猶根REINMUTH, JOCHEN雅木托 尤莉亞AMTHOR, JULIA
    • B81C1/00B81B7/00
    • B81B7/0041B81B7/02B81B2201/0235B81B2201/0242B81B2203/0315B81B2207/056B81B2207/09B81C1/00293B81C2203/0109B81C2203/0118B81C2203/0145B81C2203/019B81C2203/035
    • 本發明提出一種用於產生具有一基板且具有一蓋之一微機械組件之方法,該蓋連接至該基板且與該基板圍封一第一腔體,存在一第一壓力且具有一第一化學成分之一第一氣體混合物被圍封於該第一腔體中,其中該蓋與該基板圍封一第二腔體,存在一第二壓力且具有一第二化學成分之一第二氣體混合物被圍封於該第二腔體中,其中在一第一方法步驟中,將該第一腔體連接至該微機械組件之一周圍空間之一接取開口係形成於該基板或該蓋中,其中在一第二方法步驟中,該第一壓力及/或該第一化學成分設定於該第一腔體中,其中在一第三方法步驟中,藉由一雷射的輔助將能量或熱引入至該基板或該蓋之一吸收性部分中而封閉該接取開口,其中在一第四方法步驟中,形成經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間且意欲用於排出至少該第一氣體混合物之一第一類型之粒子及/或排出至少該第二氣體混合物之一第二類型之粒子的一凹部。
    • 本发明提出一种用于产生具有一基板且具有一盖之一微机械组件之方法,该盖连接至该基板且与该基板围封一第一腔体,存在一第一压力且具有一第一化学成分之一第一气体混合物被围封于该第一腔体中,其中该盖与该基板围封一第二腔体,存在一第二压力且具有一第二化学成分之一第二气体混合物被围封于该第二腔体中,其中在一第一方法步骤中,将该第一腔体连接至该微机械组件之一周围空间之一接取开口系形成于该基板或该盖中,其中在一第二方法步骤中,该第一压力及/或该第一化学成分设置于该第一腔体中,其中在一第三方法步骤中,借由一激光的辅助将能量或热引入至该基板或该盖之一吸收性部分中而封闭该接取开口,其中在一第四方法步骤中,形成经配置实质上介于该第一腔体与该第二腔体之间且意欲用于排出至少该第一气体混合物之一第一类型之粒子及/或排出至少该第二气体混合物之一第二类型之粒子的一凹部。
    • 6. 发明专利
    • 製造微機械裝置的方法
    • 制造微机械设备的方法
    • TW201730094A
    • 2017-09-01
    • TW106101097
    • 2017-01-13
    • 羅伯特博斯奇股份有限公司ROBERT BOSCH GMBH
    • 布萊林 阿奇美BREITLING, ACHIM萊賢巴哈 法蘭克REICHENBACH, FRANK蘭穆斯 猶根REINMUTH, JOCHEN雅木托 尤莉亞AMTHOR, JULIA
    • B81C1/00G01C19/5733G01C19/5769G01P15/08
    • B81B7/0038B81B7/02B81B2201/0235B81B2201/0242B81B2203/0315B81C1/00285B81C1/00293B81C2201/0177B81C2203/0145
    • 茲提出一種用於製造微機械裝置方法,該微機械裝置具有基板並且具有蓋體,該蓋體被連接到該基板並且與該基板封住第一空腔,第一壓力存在於該第一空腔中,且具有第一化學組成的第一氣體混合物被封入於第一空腔中,其中在第一方法步驟中,進出開口形成於該基板或該蓋體中,進出開口係將該第一空腔連接到微機械裝置的周圍空間,其中在第二方法步驟中,該第一壓力及/或該第一化學組成設置在該第一空腔,其中在第三方法步驟中,藉由雷射的輔助而引入能量或熱量到該基板或該蓋體的吸收部分以密封該進出開口,其中在第四方法步驟中,將第一結晶層或第一非晶層或第一奈米結晶層或第一多晶層沉積或生長在該基板或蓋體的表面,其中在第五方法步驟中,用於接收該第一結晶層或該第一非晶層或該第一奈米結晶層或該第一多晶層之凹部係被引入到該基板或到該蓋體內。
    • 兹提出一种用于制造微机械设备方法,该微机械设备具有基板并且具有盖体,该盖体被连接到该基板并且与该基板封住第一空腔,第一压力存在于该第一空腔中,且具有第一化学组成的第一气体混合物被封入于第一空腔中,其中在第一方法步骤中,进出开口形成于该基板或该盖体中,进出开口系将该第一空腔连接到微机械设备的周围空间,其中在第二方法步骤中,该第一压力及/或该第一化学组成设置在该第一空腔,其中在第三方法步骤中,借由激光的辅助而引入能量或热量到该基板或该盖体的吸收部分以密封该进出开口,其中在第四方法步骤中,将第一结晶层或第一非晶层或第一奈米结晶层或第一多晶层沉积或生长在该基板或盖体的表面,其中在第五方法步骤中,用于接收该第一结晶层或该第一非晶层或该第一奈米结晶层或该第一多晶层之凹部系被引入到该基板或到该盖体内。
    • 9. 发明专利
    • 微磁場感測器,微磁場感測器裝置及微磁場檢出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN
    • 微磁场传感器,微磁场传感器设备及微磁场检出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN
    • TW201237447A
    • 2012-09-16
    • TW100142473
    • 2011-11-21
    • 羅伯特博斯奇股份有限公司
    • 萊賢巴哈 法蘭克夏茲 法蘭克法伯 保羅懷斯 史堤方帕塔克 克里斯堤安尼蒙其 斐德列克 尼坎
    • G01R
    • G01R33/0005G01R33/0206
    • 一種微磁場感測器,用於將一磁場作三維式的檢出,包含至少三個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d),各用於測量該磁場的至少一方向,其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中,且其中至少一第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中,第二平面與第一平面垂直,且其中至少有一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角(100)或一鈍角(101),該第三平面對第一及第二平面成垂直。此外關於,一種微磁場感測器裝置,用於將一磁場作三維式的檢出,包含:至少一個依申請專利範圍第1~第5項至少一項的微磁場感測器,以及分析手段(4),該分析手段與至少一分析感測器配合,以將該至少一微機械式感測器的測量信號分析。此外還包含,一種將一磁場作三維式檢出的方法,包含以下步驟:(S1):利用各至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)檢出一磁場的各至少一方向,其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中,且其中至少第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中,該第二平面垂直於第一平面,其中至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角或鈍度(100)(101),該第三平面垂直於該第一及第二平面設置;(S2):將所檢出之磁場方向呈測量之感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)的測量資料形式送到至少一分析手段(4);及(S3):利用該分析手段將測量資料分析,以將磁場作三維式檢出。(圖2a)
    • 一种微磁场传感器,用于将一磁场作三维式的检出,包含至少三个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d),各用于测量该磁场的至少一方向,其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中,且其中至少一第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中,第二平面与第一平面垂直,且其中至少有一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角(100)或一钝角(101),该第三平面对第一及第二平面成垂直。此外关于,一种微磁场传感器设备,用于将一磁场作三维式的检出,包含:至少一个依申请专利范围第1~第5项至少一项的微磁场传感器,以及分析手段(4),该分析手段与至少一分析传感器配合,以将该至少一微机械式传感器的测量信号分析。此外还包含,一种将一磁场作三维式检出的方法,包含以下步骤:(S1):利用各至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)检出一磁场的各至少一方向,其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中,且其中至少第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中,该第二平面垂直于第一平面,其中至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角或钝度(100)(101),该第三平面垂直于该第一及第二平面设置;(S2):将所检出之磁场方向呈测量之传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)的测量数据形式送到至少一分析手段(4);及(S3):利用该分析手段将测量数据分析,以将磁场作三维式检出。(图2a)