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1. 发明专利

TWI518348B 磁場感測器有权
简体标题：磁场传感器
公开(公告)号：TWI518348B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW099128567
申请日：2010-08-26
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：蘭密爾葛哈德 , LAMMEL, GERHARD , 懷斯史堤方 , WEISS, STEFAN
IPC分类号： G01R33/02
CPC分类号： G01R33/0035

2. 发明专利

TW201142335A 磁場感測器 MAGNETFELDSENSOR 审中-公开
简体标题：磁场传感器 MAGNETFELDSENSOR
公开(公告)号：TW201142335A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099142333
申请日：2010-12-06
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：帕塔克克里斯堤安 , 懷斯史堤方 , 尼蒙其斐德列克尼坎 , 夏茲法蘭克 , 法伯保羅 , 比爾霍夫克里斯堤安
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/05 , G01R33/04
摘要：一種磁場感測器，具有一可磁化的鐵芯，它有一至少部段式彎曲的表面，一用於將鐵芯磁化的磁化裝置，以及一用於測鐵芯中一磁場的測定裝置。(圖3)
简体摘要：一种磁场传感器，具有一可磁化的铁芯，它有一至少部段式弯曲的表面，一用于将铁芯磁化的磁化设备，以及一用于测铁芯中一磁场的测定设备。(图3)

3. 发明专利

TW201305586A 霍爾感測器與操作霍爾感測器的方法审中-公开
简体标题：霍尔传感器与操作霍尔传感器的方法
公开(公告)号：TW201305586A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101121236
申请日：2012-06-14
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：懷斯史堤方 , WEISS, STEFAN , 夏茲奧立佛 , SCHATZ, OLIVER , 蘭密爾葛哈德 , LAMMEL, GERHARD , 丹尼爾馬欣 , DANIEL, MARCIN , 布萊林阿奇美 , BREITLING, ACHIM
IPC分类号： G01R33/07
CPC分类号： G01R33/075
摘要：一種之霍爾感測器(40)，其具有四個霍爾元件(10)，各霍爾元件均具有佈置於第一連接線路上兩端的第一對接頭(12a、12b)以及佈置於第二連接線路兩端的第二對接頭(13a、13b)，四個霍爾元件分別以等同之朝向位於將一方形底面的角點上；一控制設備(41)，該控制設備於四個不同之測量階段(P1、P2、P3、P4)中向每個霍爾元件(10)之兩對接頭(12a、12b；13a、13b)中的一者提供電源電壓(Vdd)；以及一測量設備(45)，該測量設備在各測量階段(P1、P2、P3、P4)中測定各霍爾元件(10)之兩對接頭(12a、12b；13a、13b)中的另一者的單體霍爾電壓(Vh)，並將該等測定之單體霍爾電壓累加為測量電壓(Vm)，其中在第一測量階段(P1)中，控制設備(41)將提供電源電壓之電源電壓接頭(43)與每個霍爾元件(10)之接頭(12a、12b；13a、13b)中的一者相連，霍爾元件各連接之接頭相對於順時針方向與其相鄰之霍爾元件的接通接頭(12a、12b；13a、13b)順時針方向偏轉了90°；以及其中在第一測量階段(P1)之後的三個測量階段(P2、P3、P4)中，控制設備將電源電壓接頭與各霍爾元件(10)之接頭中的一者相連，該接頭為相對於之前測量階段相連之接頭(12a、12b；13a、13b)順時針旋轉90°。
简体摘要：一种之霍尔传感器(40)，其具有四个霍尔组件(10)，各霍尔组件均具有布置于第一连接线路上两端的第一对接头(12a、12b)以及布置于第二连接线路两端的第二对接头(13a、13b)，四个霍尔组件分别以等同之朝向位于将一方形底面的角点上；一控制设备(41)，该控制设备于四个不同之测量阶段(P1、P2、P3、P4)中向每个霍尔组件(10)之两对接头(12a、12b；13a、13b)中的一者提供电源电压(Vdd)；以及一测量设备(45)，该测量设备在各测量阶段(P1、P2、P3、P4)中测定各霍尔组件(10)之两对接头(12a、12b；13a、13b)中的另一者的单体霍尔电压(Vh)，并将该等测定之单体霍尔电压累加为测量电压(Vm)，其中在第一测量阶段(P1)中，控制设备(41)将提供电源电压之电源电压接头(43)与每个霍尔组件(10)之接头(12a、12b；13a、13b)中的一者相连，霍尔组件各连接之接头相对于顺时针方向与其相邻之霍尔组件的接通接头(12a、12b；13a、13b)顺时针方向偏转了90°；以及其中在第一测量阶段(P1)之后的三个测量阶段(P2、P3、P4)中，控制设备将电源电压接头与各霍尔组件(10)之接头中的一者相连，该接头为相对于之前测量阶段相连之接头(12a、12b；13a、13b)顺时针旋转90°。

4. 发明专利

TW201237447A 微磁場感測器，微磁場感測器裝置及微磁場檢出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN 审中-公开
简体标题：微磁场传感器，微磁场传感器设备及微磁场检出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN
公开(公告)号：TW201237447A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100142473
申请日：2011-11-21
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：萊賢巴哈法蘭克 , 夏茲法蘭克 , 法伯保羅 , 懷斯史堤方 , 帕塔克克里斯堤安 , 尼蒙其斐德列克尼坎
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/0005 , G01R33/0206
摘要：一種微磁場感測器，用於將一磁場作三維式的檢出，包含至少三個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)，各用於測量該磁場的至少一方向，其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中，且其中至少一第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中，第二平面與第一平面垂直，且其中至少有一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角(100)或一鈍角(101)，該第三平面對第一及第二平面成垂直。此外關於，一種微磁場感測器裝置，用於將一磁場作三維式的檢出，包含：至少一個依申請專利範圍第1～第5項至少一項的微磁場感測器，以及分析手段(4)，該分析手段與至少一分析感測器配合，以將該至少一微機械式感測器的測量信號分析。此外還包含，一種將一磁場作三維式檢出的方法，包含以下步驟：(S1)：利用各至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)檢出一磁場的各至少一方向，其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中，且其中至少第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中，該第二平面垂直於第一平面，其中至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角或鈍度(100)(101)，該第三平面垂直於該第一及第二平面設置；(S2)：將所檢出之磁場方向呈測量之感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)的測量資料形式送到至少一分析手段(4)；及(S3)：利用該分析手段將測量資料分析，以將磁場作三維式檢出。(圖2a)
简体摘要：一种微磁场传感器，用于将一磁场作三维式的检出，包含至少三个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)，各用于测量该磁场的至少一方向，其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中，且其中至少一第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中，第二平面与第一平面垂直，且其中至少有一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角(100)或一钝角(101)，该第三平面对第一及第二平面成垂直。此外关于，一种微磁场传感器设备，用于将一磁场作三维式的检出，包含：至少一个依申请专利范围第1～第5项至少一项的微磁场传感器，以及分析手段(4)，该分析手段与至少一分析传感器配合，以将该至少一微机械式传感器的测量信号分析。此外还包含，一种将一磁场作三维式检出的方法，包含以下步骤：(S1)：利用各至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)检出一磁场的各至少一方向，其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中，且其中至少第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中，该第二平面垂直于第一平面，其中至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角或钝度(100)(101)，该第三平面垂直于该第一及第二平面设置；(S2)：将所检出之磁场方向呈测量之传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)的测量数据形式送到至少一分析手段(4)；及(S3)：利用该分析手段将测量数据分析，以将磁场作三维式检出。(图2a)

6. 发明专利

TW201115166A 磁鐵感測器 MAGNETFELDSENSOR 审中-公开
简体标题：磁铁传感器 MAGNETFELDSENSOR
公开(公告)号：TW201115166A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099128567
申请日：2010-08-26
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：蘭密爾葛哈德 , 懷斯史堤方
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/0035
摘要：一種磁場感測器(10)(30)，用於在一感測器地點測量一磁場，具有：-- 一電路板(2)，由電絕緣材料構成；-- 一磁場感測器元件(1)，設在該電路板(2)上且經由電接點(3)(5)與一設在該電路板(2)上的第一導線路(6)連接；及-- 至少一第二導路(8)(9)以產生一測試磁場(H)，該第二導線路(8)(9)設在該電路板(2)上，且施加一股校準電流(I)時，由於第二導線路在感測器地點產生一預定之測試磁場(H)。
简体摘要：一种磁场传感器(10)(30)，用于在一传感器地点测量一磁场，具有：-- 一电路板(2)，由电绝缘材料构成；-- 一磁场传感器组件(1)，设在该电路板(2)上且经由电接点(3)(5)与一设在该电路板(2)上的第一导线路(6)连接；及-- 至少一第二导路(8)(9)以产生一测试磁场(H)，该第二导线路(8)(9)设在该电路板(2)上，且施加一股校准电流(I)时，由于第二导线路在传感器地点产生一预定之测试磁场(H)。

7. 发明专利

TWI586985B 用於測量磁場的裝置與方法有权
简体标题：用于测量磁场的设备与方法
公开(公告)号：TWI586985B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW101109006
申请日：2012-03-16
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：蘭密爾葛哈德 , LAMMEL, GERHARD , 懷斯史堤方 , WEISS, STEFAN , 夏茲法蘭克 , SCHATZ, FRANK , 法伯保羅 , FARBER, PAUL , 貝里尼弗德 , BENNINI, FOUAD
IPC分类号： G01R33/02
CPC分类号： G01R33/02 , G01R15/148 , G01R33/04 , G01R33/05 , G01R33/18

8. 发明专利

TW201243370A 用於測量磁場的裝置與方法 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM MESSEN VON MAGNETFELDERN 审中-公开
简体标题：用于测量磁场的设备与方法 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM MESSEN VON MAGNETFELDERN
公开(公告)号：TW201243370A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101109006
申请日：2012-03-16
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：蘭密爾葛哈德 , 懷斯史堤方 , 夏茲法蘭克 , 法伯保羅 , 貝里尼弗德
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/02 , G01R15/148 , G01R33/04 , G01R33/05 , G01R33/18
摘要：本發明係有關於一種用於測量磁場的裝置，包含鐵芯(1)及勵磁線圈，該鐵芯具有可再磁化鐵芯材料，該勵磁線圈用於再磁化該鐵芯材料，其中，該鐵芯材料實施為一層或多個彼此間隔一定距離的層(12，14，16)，該鐵芯(10)具有：最大總延伸度G且2.5 mm≧G≧0.2 mm，大於等於二十的長寬比，及厚度D且2 μm≧D≧0.2 μm。本發明亦有關於一種測量磁場的相應方法。
简体摘要：本发明系有关于一种用于测量磁场的设备，包含铁芯(1)及励磁线圈，该铁芯具有可再磁化铁芯材料，该励磁线圈用于再磁化该铁芯材料，其中，该铁芯材料实施为一层或多个彼此间隔一定距离的层(12，14，16)，该铁芯(10)具有：最大总延伸度G且2.5 mm≧G≧0.2 mm，大于等于二十的长宽比，及厚度D且2 μm≧D≧0.2 μm。本发明亦有关于一种测量磁场的相应方法。

9. 发明专利

TW201236115A 製造半導體晶片的方法，用於垂直安裝到電路載體上的安裝方法及半導體晶片 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITER-CHIPS, MONTAGEVERFAHREN UND HALBLEITER-CHIP FUER SENKRECHTE MONTAGE AUF SCHALTUNGSTRAEGER 审中-公开
简体标题：制造半导体芯片的方法，用于垂直安装到电路载体上的安装方法及半导体芯片 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITER-CHIPS, MONTAGEVERFAHREN UND HALBLEITER-CHIP FUER SENKRECHTE MONTAGE AUF SCHALTUNGSTRAEGER
公开(公告)号：TW201236115A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100142472
申请日：2011-11-21
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：貝爾漢斯彼德 , 法伯保羅 , 懷斯史堤方 , 勞許陸茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/94 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/81801 , H01L2224/85186 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2224/0231 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099
摘要：一半導體晶片，在一平行於晶圓平面的上側(56)上具有接觸面(22)，該半導體晶片在垂直於上側的一端子面側(14)有端子面，其中各端子面與一相關接觸面(22)連接成導電。這點使晶片可利用一般結合技術在一載體上垂直安裝及接觸，在此提供一種製造方法及二種安裝方法。
简体摘要：一半导体芯片，在一平行于晶圆平面的上侧(56)上具有接触面(22)，该半导体芯片在垂直于上侧的一端子面侧(14)有端子面，其中各端子面与一相关接触面(22)连接成导电。这点使芯片可利用一般结合技术在一载体上垂直安装及接触，在此提供一种制造方法及二种安装方法。

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