专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201602609A 磁場感測器裝置，相關的製造方法及操作方法审中-公开
简体标题：磁场传感器设备，相关的制造方法及操作方法
公开(公告)号：TW201602609A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104118855
申请日：2015-06-11
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：布萊林阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 帕塔克克里斯堤安 , PATAK, CHRISTIAN
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/04 , G01R33/02 , H01L43/14
CPC分类号： G01R33/0052 , G01R33/0206 , G01R33/072 , H01L27/22 , H01L43/065 , H01L43/14
摘要：一種磁場感測器裝置、一種相關的製造方法以及一種操作方法。該磁場感測器裝置包括具有正面(VS)及背面(RS)的ASI℃基板(A℃；AC')以及霍爾感測器裝置(H；H'；H")，該霍爾感測器裝置具有由III-V族半導體材料構成的霍爾感測器區域(HS；HS'；HS")，其係嵌入在鍍覆於該正面(VS)上的絕緣層裝置(I0，I1，I2，I3；I0，I1，I2，I3，I4，I5)中。該霍爾感測器區域(HS；HS'；HS")係藉由穿過該絕緣層裝置(I0，I1，I2，I3；I0，I1，I2，I3，I4，I5)的導電通路裝置(L2)與構建於該ASIC基板(AC；AC')中的霍爾感測器分析電路裝置(101)建立起電連接。
简体摘要：一种磁场传感器设备、一种相关的制造方法以及一种操作方法。该磁场传感器设备包括具有正面(VS)及背面(RS)的ASI℃基板(A℃；AC')以及霍尔传感器设备(H；H'；H")，该霍尔传感器设备具有由III-V族半导体材料构成的霍尔传感器区域(HS；HS'；HS")，其系嵌入在镀覆于该正面(VS)上的绝缘层设备(I0，I1，I2，I3；I0，I1，I2，I3，I4，I5)中。该霍尔传感器区域(HS；HS'；HS")系借由穿过该绝缘层设备(I0，I1，I2，I3；I0，I1，I2，I3，I4，I5)的导电通路设备(L2)与构建于该ASIC基板(AC；AC')中的霍尔传感器分析电路设备(101)创建起电连接。

2. 发明专利

TWI652493B 感測器裝置，具有至少一磁鐵芯的感測器裝置的製造方法及求出沿至少一空間方向的磁場強度的方法有权
简体标题：传感器设备，具有至少一磁铁芯的传感器设备的制造方法及求出沿至少一空间方向的磁场强度的方法
公开(公告)号：TWI652493B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104105806
申请日：2015-02-24
申请人：德商羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：夏茲法蘭克 , SCHATZ, FRANK , 丹那柏格阿娜 , DANNENBERG, ARNE , 布萊林阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 帕塔克克里斯堤安 , PATAK, CHRISTIAN , 艾可史坦藍那 , ECKSTEIN, RAINER , 金科塞維奇 , GENCOL, SEVKI , 萊賢巴哈法蘭克 , REICHENBACH, FRANK
IPC分类号： G01R33/04

3. 发明专利

TW201142335A 磁場感測器 MAGNETFELDSENSOR 审中-公开
简体标题：磁场传感器 MAGNETFELDSENSOR
公开(公告)号：TW201142335A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099142333
申请日：2010-12-06
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：帕塔克克里斯堤安 , 懷斯史堤方 , 尼蒙其斐德列克尼坎 , 夏茲法蘭克 , 法伯保羅 , 比爾霍夫克里斯堤安
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/05 , G01R33/04
摘要：一種磁場感測器，具有一可磁化的鐵芯，它有一至少部段式彎曲的表面，一用於將鐵芯磁化的磁化裝置，以及一用於測鐵芯中一磁場的測定裝置。(圖3)
简体摘要：一种磁场传感器，具有一可磁化的铁芯，它有一至少部段式弯曲的表面，一用于将铁芯磁化的磁化设备，以及一用于测铁芯中一磁场的测定设备。(图3)

4. 发明专利

TWI543925B 微機械感測器及其製造方法有权
简体标题：微机械传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI543925B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW098132023
申请日：2009-09-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：史塔爾海可 , STAHL, HEIKO , 帕塔克克里斯堤安 , PATAK, CHRISTIAN , 布茲尤根 , BUTZ, JUERGEN , 修爾瑞羅蘭德 , SCHEUERER, ROLAND , 維伯赫利貝爾特 , WEBER, HERIBERT
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C99/0045 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01C19/5755 , G01C19/5769 , G01P15/08 , G01P21/00

5. 发明专利

TW201237447A 微磁場感測器，微磁場感測器裝置及微磁場檢出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN 审中-公开
简体标题：微磁场传感器，微磁场传感器设备及微磁场检出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN
公开(公告)号：TW201237447A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100142473
申请日：2011-11-21
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：萊賢巴哈法蘭克 , 夏茲法蘭克 , 法伯保羅 , 懷斯史堤方 , 帕塔克克里斯堤安 , 尼蒙其斐德列克尼坎
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/0005 , G01R33/0206
摘要：一種微磁場感測器，用於將一磁場作三維式的檢出，包含至少三個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)，各用於測量該磁場的至少一方向，其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中，且其中至少一第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中，第二平面與第一平面垂直，且其中至少有一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角(100)或一鈍角(101)，該第三平面對第一及第二平面成垂直。此外關於，一種微磁場感測器裝置，用於將一磁場作三維式的檢出，包含：至少一個依申請專利範圍第1～第5項至少一項的微磁場感測器，以及分析手段(4)，該分析手段與至少一分析感測器配合，以將該至少一微機械式感測器的測量信號分析。此外還包含，一種將一磁場作三維式檢出的方法，包含以下步驟：(S1)：利用各至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)檢出一磁場的各至少一方向，其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中，且其中至少第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中，該第二平面垂直於第一平面，其中至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角或鈍度(100)(101)，該第三平面垂直於該第一及第二平面設置；(S2)：將所檢出之磁場方向呈測量之感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)的測量資料形式送到至少一分析手段(4)；及(S3)：利用該分析手段將測量資料分析，以將磁場作三維式檢出。(圖2a)
简体摘要：一种微磁场传感器，用于将一磁场作三维式的检出，包含至少三个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)，各用于测量该磁场的至少一方向，其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中，且其中至少一第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中，第二平面与第一平面垂直，且其中至少有一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角(100)或一钝角(101)，该第三平面对第一及第二平面成垂直。此外关于，一种微磁场传感器设备，用于将一磁场作三维式的检出，包含：至少一个依申请专利范围第1～第5项至少一项的微磁场传感器，以及分析手段(4)，该分析手段与至少一分析传感器配合，以将该至少一微机械式传感器的测量信号分析。此外还包含，一种将一磁场作三维式检出的方法，包含以下步骤：(S1)：利用各至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)检出一磁场的各至少一方向，其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中，且其中至少第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中，该第二平面垂直于第一平面，其中至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角或钝度(100)(101)，该第三平面垂直于该第一及第二平面设置；(S2)：将所检出之磁场方向呈测量之传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)的测量数据形式送到至少一分析手段(4)；及(S3)：利用该分析手段将测量数据分析，以将磁场作三维式检出。(图2a)

6. 发明专利

TW201546473A 感測器裝置，具有至少一磁鐵芯的感測器裝置的製造方法及求出沿至少一空間方向的磁場強度的方法审中-公开
简体标题：传感器设备，具有至少一磁铁芯的传感器设备的制造方法及求出沿至少一空间方向的磁场强度的方法
公开(公告)号：TW201546473A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104105806
申请日：2015-02-24
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：夏茲法蘭克 , SCHATZ, FRANK , 丹那柏格阿娜 , DANNENBERG, ARNE , 布萊林阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 帕塔克克里斯堤安 , PATAK, CHRISTIAN , 艾可史坦藍那 , ECKSTEIN, RAINER , 金科塞維奇 , GENCOL, SEVKI , 萊賢巴哈法蘭克 , REICHENBACH, FRANK
IPC分类号： G01R33/04
CPC分类号： G01R33/04 , G01R33/0011 , G01R33/0052
摘要：一種感測器裝置，其包含至少一佈置在至少一承載面(16)上的磁鐵芯(10)，該至少一磁鐵芯包括至少一軟磁材料(12)，以及，可針對該至少一磁鐵芯分別定義一與該承載面(16)垂直並將該磁鐵芯(10)劃分為具相同質量的兩半的中心縱向平面(18)，其中，以設於該至少一磁鐵芯(10)上、將其環繞及/或與其鄰接之方式佈置有至少一線圈，其中，該至少一磁鐵芯(10)之內部具有若干分區，其用於對該磁鐵芯(10)之再磁化的啟動進行針對性局部控制，具體方式為，待施加的用於磁疇壁遷移的驅動能有所增大。本發明亦有關於一種針對具有至少一磁鐵芯(10)的感測器裝置的製造方法。此外還關於一種求出沿至少一空間方向的磁場強度的方法。
简体摘要：一种传感器设备，其包含至少一布置在至少一承载面(16)上的磁铁芯(10)，该至少一磁铁芯包括至少一软磁材料(12)，以及，可针对该至少一磁铁芯分别定义一与该承载面(16)垂直并将该磁铁芯(10)划分为具相同质量的两半的中心纵向平面(18)，其中，以设于该至少一磁铁芯(10)上、将其环绕及/或与其邻接之方式布置有至少一线圈，其中，该至少一磁铁芯(10)之内部具有若干分区，其用于对该磁铁芯(10)之再磁化的启动进行针对性局部控制，具体方式为，待施加的用于磁畴壁迁移的驱动能有所增大。本发明亦有关于一种针对具有至少一磁铁芯(10)的传感器设备的制造方法。此外还关于一种求出沿至少一空间方向的磁场强度的方法。

7. 发明专利

TW201012741A 微機械感測器及其製造方法 MIKROMECHANISCHER SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
简体标题：微机械传感器及其制造方法 MIKROMECHANISCHER SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
公开(公告)号：TW201012741A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098132023
申请日：2009-09-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：史塔爾海可 , 帕塔克克里斯堤安 , 布茲尤根 , 修爾瑞羅蘭德 , 維伯赫利貝爾特
IPC分类号： B81B , B81C
CPC分类号： B81C99/0045 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01C19/5755 , G01C19/5769 , G01P15/08 , G01P21/00
摘要：一種微機械感測器(1)，具有一第一半導體材料，該半導體材料內形成一空腔(3)，該空腔的一側利用一第二材料(8)(9)用晶圓結合方法封閉，其中：至少有一渠溝(4)至少呈部段式地沿該空腔(3)的外輪廓延伸，該渠溝在第一半導體材料中形成且利用一框條(7)與渠溝(4)隔開。
简体摘要：一种微机械传感器(1)，具有一第一半导体材料，该半导体材料内形成一空腔(3)，该空腔的一侧利用一第二材料(8)(9)用晶圆结合方法封闭，其中：至少有一渠沟(4)至少呈部段式地沿该空腔(3)的外轮廓延伸，该渠沟在第一半导体材料中形成且利用一框条(7)与渠沟(4)隔开。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式