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1. 发明专利

TWI607534B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI607534B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103114055
申请日：2014-04-17
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：林佳昇 , LIN, CHIASHENG , 何彥仕 , HO, YENSHIH , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/494 , H01L2224/8536 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

3. 发明专利

TWI573244B 晶片封裝體及其製造方法、半導體電鍍系統有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法、半导体电镀系统
公开(公告)号：TWI573244B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104126716
申请日：2015-08-17
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：何彥仕 , HO, YEN SHIH , 張恕銘 , CHANG, SHU MING , 沈信隆 , SHEN, HSING LUNG , 蘇昱豪 , SU, YU HAU , 吳冠榮 , WU, KUAN JUNG , 鄭怡 , CHENG, YI
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/522
CPC分类号： H01L2224/11

4. 发明专利

TW201703214A 晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201703214A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105102230
申请日：2016-01-25
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：何彥仕 , HO, YEN SHIH , 張恕銘 , CHANG, SHU MING , 沈信隆 , SHEN, HSING LUNG
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/304 , H01L25/16 , H01L21/78 , H01L21/48
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/486 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0233 , H01L2224/0236 , H01L2224/02375 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16055 , H01L2224/16057 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/05032 , H01L2924/19011 , H01L2924/19042 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/014
摘要：一種晶片封裝體包含晶片、介電接合層、載體與重佈線層。晶片具有基底、焊墊與保護層。保護層位於基底上。焊墊位於保護層中。介電接合層位於保護層上，且介電接合層位於載體與保護層之間。載體、介電接合層與保護層具有連通的穿孔，使焊墊從穿孔裸露。重佈線層包含連接部與被動元件部。連接部位於焊墊、穿孔的壁面與載體背對介電接合層的表面上。被動元件部位於載體的表面上，且被動元件部的一端連接在載體之表面上的連接部。
简体摘要：一种芯片封装体包含芯片、介电接合层、载体与重布线层。芯片具有基底、焊垫与保护层。保护层位于基底上。焊垫位于保护层中。介电接合层位于保护层上，且介电接合层位于载体与保护层之间。载体、介电接合层与保护层具有连通的穿孔，使焊垫从穿孔裸露。重布线层包含连接部与被动组件部。连接部位于焊垫、穿孔的壁面与载体背对介电接合层的表面上。被动组件部位于载体的表面上，且被动组件部的一端连接在载体之表面上的连接部。

6. 发明专利

TW201633399A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201633399A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107213
申请日：2015-03-06
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：孫唯倫 , SUEN, WEILUEN , 簡瑋銘 , CHIEN, WEIMING , 李柏漢 , LEE, POHAN , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/311 , H01L29/02
摘要：一種半導體結構包含矽基板、保護層、焊墊、絕緣層、佈線層、導電層、阻隔層與導電結構。矽基板具有鏤空區、階梯結構、尖角結構與相對的第一表面與第二表面。階梯結構與尖角結構環繞鏤空區。階梯結構具有朝向鏤空區且依續連接的第一斜面、第三表面與第二斜面。保護層位於矽基板的第一表面上。焊墊位於保護層中，且從鏤空區裸露。絕緣層位於階梯結構的第一斜面、第三表面、第二斜面與第二表面上及尖角結構上。佈線層位於絕緣層上與焊墊上。導電層位於佈線層上。阻隔層覆蓋階梯結構與尖角結構。導電結構位於阻隔層之開口中的導電層上。
简体摘要：一种半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层之开口中的导电层上。

7. 发明专利

TW201622087A 晶片封裝體及其製作方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制作方法
公开(公告)号：TW201622087A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143333
申请日：2014-12-11
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：孫唯倫 , SUEN, WEILUEN , 林佳昇 , LIN, CHIASHENG , 何彥仕 , HO, YENSHIH , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種晶片封裝體包含封裝基材、半導體元件與複數個導電結構。半導體元件具有中央區與圍繞中央區的邊緣區。導電結構位於封裝基材與半導體元件之間。導電結構具有不同的高度，且導電結構的高度從半導體元件的中央區往半導體元件的邊緣區逐漸增大，使得半導體元件的邊緣區與封裝基材之間的距離大於半導體元件的中央區與封裝基材之間的距離。
简体摘要：一种芯片封装体包含封装基材、半导体组件与复数个导电结构。半导体组件具有中央区与围绕中央区的边缘区。导电结构位于封装基材与半导体组件之间。导电结构具有不同的高度，且导电结构的高度从半导体组件的中央区往半导体组件的边缘区逐渐增大，使得半导体组件的边缘区与封装基材之间的距离大于半导体组件的中央区与封装基材之间的距离。

9. 发明专利

TW201607014A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201607014A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104125452
申请日：2015-08-05
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：簡瑋銘 , CHIEN, WEI MING , 李柏漢 , LEE, PO HAN , 劉滄宇 , LIU, TSANG YU , 何彥仕 , HO, YEN SHIH
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L2224/11
摘要：一種半導體結構包含晶片、透光板、間隔元件與遮光層。晶片具有影像感測器、及相對的第一表面與第二表面。影像感測器位於第一表面上。透光板設置於第一表面上，且透光板覆蓋影像感測器。間隔元件位於透光板與第一表面之間，且間隔元件圍繞影像感測器。遮光層位於間隔元件與影像感測器之間的該第一表面上。
简体摘要：一种半导体结构包含芯片、透光板、间隔组件与遮光层。芯片具有影像传感器、及相对的第一表面与第二表面。影像传感器位于第一表面上。透光板设置于第一表面上，且透光板覆盖影像传感器。间隔组件位于透光板与第一表面之间，且间隔组件围绕影像传感器。遮光层位于间隔组件与影像传感器之间的该第一表面上。

10. 发明专利

TW201519340A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201519340A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103138374
申请日：2014-11-05
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：簡瑋銘 , CHIEN, WEIMING , 李柏漢 , LEE, POHAN , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0346 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05569 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/113 , H01L2224/13022 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
摘要：一種半導體結構的製造方法包含下列步驟：提供具有矽基板與保護層的晶圓結構，其中保護層上的焊墊由矽基板的鏤空區露出。形成絕緣層於矽基板環繞鏤空區的側壁上與矽基板背對保護層的表面上。形成佈線層於絕緣層上與焊墊上。形成阻隔層於佈線層上。圖案化阻隔層而形成第一開口，使位於矽基板之表面上的佈線層由第一開口露出。形成第一導電層於露出第一開口的佈線層上。設置導電結構於第一開口中，使導電結構電性接觸第一導電層。
简体摘要：一种半导体结构的制造方法包含下列步骤：提供具有硅基板与保护层的晶圆结构，其中保护层上的焊垫由硅基板的镂空区露出。形成绝缘层于硅基板环绕镂空区的侧壁上与硅基板背对保护层的表面上。形成布线层于绝缘层上与焊垫上。形成阻隔层于布线层上。图案化阻隔层而形成第一开口，使位于硅基板之表面上的布线层由第一开口露出。形成第一导电层于露出第一开口的布线层上。设置导电结构于第一开口中，使导电结构电性接触第一导电层。

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