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1. 发明专利

TWI613315B 具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積方法有权
简体标题：具有减少基于石英之污染物的等离子辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TWI613315B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106105634
申请日：2017-02-20
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：舒華馬克 , SOWA, MARK J. , 柏拓契亞當 , BERTUCH, ADAM , 芭提亞瑞維克 , BHATIA, RITWIK
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452 , C23C16/45553 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01L21/02274 , H01L21/0228

2. 发明专利

TW201831720A 利用具有長碳主鏈之多元醇形成分子層沉積膜的方法审中-公开
简体标题：利用具有长碳主链之多元醇形成分子层沉积膜的方法
公开(公告)号：TW201831720A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107101462
申请日：2018-01-15
申请人：美商精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：舒華馬克 , SOWA, MARK J.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/00 , H01L21/312 , H01L21/314
摘要：一種用以在一反應室中的一基板上形成一有機或有機/無機混合薄膜的分子層沉積方法，包括：提供含有對氫氧基團具有反應性的多個反應基團的一第一氣相有機或金屬有機前驅物的一脈衝，使得部分反應基團與基板上的羥基反應以形成一有機或有機/無機混合薄膜，同時留下可用於與一隨後的第二前驅物脈衝反應的部分基團; 除去過量的第一反應物和反應副產物; 提供含有多個氫氧基團（多元醇）的一第二氣相有機前驅物的一脈衝，使得部分氫氧基團與基板上的第一前驅物之反應側反應以形成一有機薄膜，同時留下可用於與一隨後的第一前驅物脈衝反應的部分氫氧基團；以及，除去過量的第二反應物和反應副產物。
简体摘要：一种用以在一反应室中的一基板上形成一有机或有机/无机混合薄膜的分子层沉积方法，包括：提供含有对氢氧基团具有反应性的多个反应基团的一第一气相有机或金属有机前驱物的一脉冲，使得部分反应基团与基板上的羟基反应以形成一有机或有机/无机混合薄膜，同时留下可用于与一随后的第二前驱物脉冲反应的部分基团; 除去过量的第一反应物和反应副产物; 提供含有多个氢氧基团（多元醇）的一第二气相有机前驱物的一脉冲，使得部分氢氧基团与基板上的第一前驱物之反应侧反应以形成一有机薄膜，同时留下可用于与一随后的第一前驱物脉冲反应的部分氢氧基团；以及，除去过量的第二反应物和反应副产物。

3. 发明专利

TW201741493A 具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積方法审中-公开
简体标题：具有减少基于石英之污染物的等离子辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TW201741493A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106105634
申请日：2017-02-20
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：舒華馬克 , SOWA, MARK J. , 柏拓契亞當 , BERTUCH, ADAM , 芭提亞瑞維克 , BHATIA, RITWIK
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452 , C23C16/45553 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：於一基板上執行具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積的方法於此被揭示。所述方法包含於一石英電漿管中，從一供應氣體感應地形成一基於氫之電漿，供應氣體主要由氫與氮或者是氫、氬與氮所組成。氮構成不大於2 vol%的供應氣體。基於氫之電漿包含一或多個反應物種。基於氫之電漿中之一或多個反應物種被導引至基板以使所述一或多個反應物種與基板上之一初始膜反應。與未使用氮於供應氣體中相比，微量的氮可用來減少初始膜中之基於石英的汙染物。
简体摘要：于一基板上运行具有减少基于石英之污染物的等离子辅助原子层沉积的方法于此被揭示。所述方法包含于一石英等离子管中，从一供应气体感应地形成一基于氢之等离子，供应气体主要由氢与氮或者是氢、氩与氮所组成。氮构成不大于2 vol%的供应气体。基于氢之等离子包含一或多个反应物种。基于氢之等离子中之一或多个反应物种被导引至基板以使所述一或多个反应物种与基板上之一初始膜反应。与未使用氮于供应气体中相比，微量的氮可用来减少初始膜中之基于石英的污染物。

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