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1. 发明专利

TW200805654A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200805654A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096104125
申请日：2007-02-05
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：吉野英生 , 長谷川尚
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66772 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：所提出者為形成於SOI基板的半導體裝置,此半導體裝置包含MOS電晶體,其中會抑制寄生MOS電晶體。藉由使用LOCOS製程而形成於SOI基板上的此半導體裝置被建構而使得多晶矽層之變成閘極電極的一部份包含:對應於具有固定厚度且即將變成通道的矽主動層之區域的第一導電型多晶矽區域;及對應於在其各者中矽主動層的厚度減少之LOCOS隔離邊緣的第二導電型多晶矽區域。
简体摘要：所提出者为形成于SOI基板的半导体设备,此半导体设备包含MOS晶体管,其中会抑制寄生MOS晶体管。借由使用LOCOS制程而形成于SOI基板上的此半导体设备被建构而使得多晶硅层之变成闸极电极的一部份包含:对应于具有固定厚度且即将变成信道的硅主动层之区域的第一导电型多晶硅区域;及对应于在其各者中硅主动层的厚度减少之LOCOS隔离边缘的第二导电型多晶硅区域。

2. 发明专利

TWI264116B 薄膜記憶體,陣列,和其操作方法及製造方法 THIN FILM MEMORY, ARRAY, AND OPERATION METHOD AND MANUFACTURE METHOD THEREFOR 有权
简体标题：薄膜内存,数组,和其操作方法及制造方法 THIN FILM MEMORY, ARRAY, AND OPERATION METHOD AND MANUFACTURE METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI264116B
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：TW092107778
申请日：2003-04-04
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC. , 林豊 HAYASHI, YUTAKA
发明人：林豊 HAYASHI, YUTAKA , 長谷川尚 , 吉田宜史 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L27/10802 , H01L27/10844 , Y10S257/908
摘要：一種成形在全空乏SOI或其它半導體薄膜上的記憶胞，在低電壓操作且不需要提供習知記憶胞陣列中的大電容器。半導體薄膜夾於第一與第二半導體區之間，第一與第二半導體區跨過半導體薄膜相互面對且具有第一導電類型。第三半導體區具有相反的導電類型，配置在半導體薄膜的延伸部。來自第三半導體區導電類型相反的載子供應給半導體薄膜部並儲存在其內，以改變由第一導電閘電壓通過絕緣膜在夾於第一與第二半導體區間之半導體薄膜中感生之第一導電類型通道的閘臨限電壓。
简体摘要：一种成形在全空乏SOI或其它半导体薄膜上的记忆胞，在低电压操作且不需要提供习知记忆胞数组中的大电容器。半导体薄膜夹于第一与第二半导体区之间，第一与第二半导体区跨过半导体薄膜相互面对且具有第一导电类型。第三半导体区具有相反的导电类型，配置在半导体薄膜的延伸部。来自第三半导体区导电类型相反的载子供应给半导体薄膜部并存储在其内，以改变由第一导电闸电压通过绝缘膜在夹于第一与第二半导体区间之半导体薄膜中感生之第一导电类型信道的闸临限电压。

3. 发明专利

TW577147B SOI互補式金屬氧化物半導體裝置有权
简体标题： SOI互补式金属氧化物半导体设备
公开(公告)号：TW577147B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW091120198
申请日：2002-09-04
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：長谷川尚 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203
摘要：提供一種互補式MOS半導體裝置，其以低成本及短製造周期製造，致使低電壓作業，且有低電源損耗及高驅動能力，且可以高速操作實現電源管理半導體裝置或類比半導體裝置。CMOS的閘電極係由單極性p-多矽晶或p-式複晶矽結構形成的。PMOS是表面通道式，且因此，致使更短的通道及更低的臨界電壓。而且，埋入通道式的NMOS有極淺的埋入通道，因為具有小擴散係數之砷在NMOS中被用作臨界控制用的雜質，且因此，致使較短的通道及較低的臨界電壓。進一步，用在電壓分割電路或CR電路的電阻係由不同於閘電極的多晶矽構成的，且因此，提供了高精確度的電壓分割電路。因此，實現高速電源管理半導體裝置或類比半導體裝置。
简体摘要：提供一种互补式MOS半导体设备，其以低成本及短制造周期制造，致使低电压作业，且有低电源损耗及高驱动能力，且可以高速操作实现电源管理半导体设备或模拟半导体设备。CMOS的闸电极系由单极性p-多硅晶或p-式复晶硅结构形成的。PMOS是表面信道式，且因此，致使更短的信道及更低的临界电压。而且，埋入信道式的NMOS有极浅的埋入信道，因为具有小扩散系数之砷在NMOS中被用作临界控制用的杂质，且因此，致使较短的信道及较低的临界电压。进一步，用在电压分割电路或CR电路的电阻系由不同于闸电极的多晶硅构成的，且因此，提供了高精确度的电压分割电路。因此，实现高速电源管理半导体设备或模拟半导体设备。

4. 发明专利

TWI298541B 絕緣閘極薄膜電晶體及其控制系統 INSULATED GATE THIN FILM TRANSISTOR AND CONTROL SYSTEM THEREFOR 有权
简体标题：绝缘闸极薄膜晶体管及其控制系统 INSULATED GATE THIN FILM TRANSISTOR AND CONTROL SYSTEM THEREFOR
公开(公告)号：TWI298541B
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW092108139
申请日：2003-04-09
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC. , 林豐
发明人：林豐 , 長谷川尚 , 吉田宜史 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78615 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要：閘極臨界電壓被電子式控制於在半導體薄膜中所形成
之絕緣閘極電晶體中,例如完全空乏型SOI,其使載子空
乏於第一與第二主表面之間。一相反導電類型之第三半導
體區域被放置而使得他和半導體薄膜相接觸,半導體薄膜
中之載子的量係藉由將相反導電類型的載子從第三半導體
區域供應給半導體薄膜,或者藉由將相反導電類型的載子
自半導體薄膜抽取入第三半導體區域中來予以控制的。
简体摘要：闸极临界电压被电子式控制于在半导体薄膜中所形成之绝缘闸极晶体管中,例如完全空乏型SOI,其使载子空乏于第一与第二主表面之间。一相反导电类型之第三半导体区域被放置而使得他和半导体薄膜相接触,半导体薄膜中之载子的量系借由将相反导电类型的载子从第三半导体区域供应给半导体薄膜,或者借由将相反导电类型的载子自半导体薄膜抽取入第三半导体区域中来予以控制的。

5. 发明专利

TW200816270A 半導體裝置製造方法與半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备制造方法与半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200816270A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096118988
申请日：2007-05-28
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：塚本明子 , 長谷川尚 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/4238 , H01L29/7833
摘要：本案提供一種半導體裝置製造方法,包含:一場氧化物絕緣膜形成步驟,其包含形成一埸氧化物絕緣膜(12),使得當半導體基材(11)以平面圖觀看時,在一作用區(13)中對應於作用區(13)的一側表面部份的部份(13a)有一曲面,向離心力作用方向(F)的前側凸起,該部份(13a)於沿著半導體基材(11)的表面之離心力作用方向(F)中,相對於半導體基材(11)的旋塗表面上之旋轉中心(O)及位在離心力作用方向(F)的前側。
简体摘要：本案提供一种半导体设备制造方法,包含:一场氧化物绝缘膜形成步骤,其包含形成一埸氧化物绝缘膜(12),使得当半导体基材(11)以平面图观看时,在一作用区(13)中对应于作用区(13)的一侧表面部份的部份(13a)有一曲面,向离心力作用方向(F)的前侧凸起,该部份(13a)于沿着半导体基材(11)的表面之离心力作用方向(F)中,相对于半导体基材(11)的旋涂表面上之旋转中心(O)及位在离心力作用方向(F)的前侧。

6. 发明专利

TW200746426A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200746426A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096105959
申请日：2007-02-16
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：長谷川尚
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78612 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/78609
摘要：利用LOCOS法於SOI基板之活性層實施二氧化矽膜之成膜來形成電性隔離NMOS及PMOS之場氧化膜。於場氧化膜之端部,形成氧化膜較薄之鳥啄部,於該鳥啄部構成寄生電晶體。因此,配設以抑制寄生電晶體之作用所產生之漏電流為目的之通道阻隔區域。具體而言,於NMOS,形成場氧化膜之鳥啄部且於N+擴散層(源極)之P井擴散層之2處境界部形成P+擴散區域。配設此種通道阻隔區域,可以抑制閘極斷開時之寄生電晶體之寄生通道所導致之電流路徑(漏電流)。
简体摘要：利用LOCOS法于SOI基板之活性层实施二氧化硅膜之成膜来形成电性隔离NMOS及PMOS之场氧化膜。于场氧化膜之端部,形成氧化膜较薄之鸟啄部,于该鸟啄部构成寄生晶体管。因此,配设以抑制寄生晶体管之作用所产生之漏电流为目的之信道阻隔区域。具体而言,于NMOS,形成场氧化膜之鸟啄部且于N+扩散层(源极)之P井扩散层之2处境界部形成P+扩散区域。配设此种信道阻隔区域,可以抑制闸极断开时之寄生晶体管之寄生信道所导致之电流路径(漏电流)。

7. 发明专利

TW200402886A 絕緣閘極薄膜電晶體及其控制系統 INSULATED GATE THIN FILM TRANSISTOR AND CONTROL SYSTEM THEREFOR 审中-公开
简体标题：绝缘闸极薄膜晶体管及其控制系统 INSULATED GATE THIN FILM TRANSISTOR AND CONTROL SYSTEM THEREFOR
公开(公告)号：TW200402886A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092108139
申请日：2003-04-09
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC. , 林豐
发明人：林豐 , 長谷川尚 , 吉田宜史 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78615 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要：閘極臨界電壓被電子式控制於在半導體薄膜中所形成之絕緣閘極電晶體中，例如完全空乏型SOI，其使載子空乏於第一與第二主表面之間。一相反導電類型之第三半導體區域被放置而使得他和半導體薄膜相接觸，半導體薄膜中之載子的量係藉由將相反導電類型的載子從第三半導體區域供應給半導體薄膜，或者藉由將相反導電類型的載子自半導體薄膜抽取入第三半導體區域中來予以控制的。
简体摘要：闸极临界电压被电子式控制于在半导体薄膜中所形成之绝缘闸极晶体管中，例如完全空乏型SOI，其使载子空乏于第一与第二主表面之间。一相反导电类型之第三半导体区域被放置而使得他和半导体薄膜相接触，半导体薄膜中之载子的量系借由将相反导电类型的载子从第三半导体区域供应给半导体薄膜，或者借由将相反导电类型的载子自半导体薄膜抽取入第三半导体区域中来予以控制的。

8. 发明专利

TW200614429A 半導體積體電路裝置 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体集成电路设备 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
公开(公告)号：TW200614429A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094123775
申请日：2005-07-13
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：長谷川尚 , 吉田宜史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L27/0629 , H01L27/1203
摘要：所提供的係一種結構，其中形成於半導體薄膜上之完全空乏型SOI CMOS電路之NMOS電晶體的閘極電極具有N型導電性，而形成於半導體支撐基板上之用作ESD輸入／輸出保護元件之保護NMOS電晶體的閘極電極具有P型導電性，可保護其對於ESD雜訊係脆弱之完全空乏型SOI CMOS裝置的輸入／輸出端子，特定地，保護該輸出端子，而確保足夠的ESD崩潰強度。
简体摘要：所提供的系一种结构，其中形成于半导体薄膜上之完全空乏型SOI CMOS电路之NMOS晶体管的闸极电极具有N型导电性，而形成于半导体支撑基板上之用作ESD输入／输出保护组件之保护NMOS晶体管的闸极电极具有P型导电性，可保护其对于ESD噪声系脆弱之完全空乏型SOI CMOS设备的输入／输出端子，特定地，保护该输出端子，而确保足够的ESD崩溃强度。

9. 发明专利

TW200541057A 高電壓工作場效電晶體,其偏壓電路及其高電壓電路 HIGH VOLTAGE OPERATING FIELD EFFECT TRANSISTOR, BIAS CIRCUIT THEREFOR AND HIGH VOLTAGE CIRCUIT THEREOF 审中-公开
简体标题：高电压工作场效应管,其偏压电路及其高电压电路 HIGH VOLTAGE OPERATING FIELD EFFECT TRANSISTOR, BIAS CIRCUIT THEREFOR AND HIGH VOLTAGE CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200541057A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094105445
申请日：2005-02-23
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC. , 林豐
发明人：林豐 , 長谷川尚 , 吉田宜史 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/1203 , H01L29/7831 , H01L29/7838 , H01L29/78645 , H01L29/78654
摘要：高電壓工作場效電晶體形成於IC或LSI中，係藉由利用IC或LSI的標準電源電壓用之電晶體的一構成部或利用其處理技術面達到該形成。為增加場效電晶體的之工作電壓，採取一種措施，其中閘極區隔成多個區隔閘極，以及接近汲極電位且隨著該汲極電位之增加或減少而改變之諸電位係分別供應至較接近汲極之區隔閘極。
简体摘要：高电压工作场效应管形成于IC或LSI中，系借由利用IC或LSI的标准电源电压用之晶体管的一构成部或利用其处理技术面达到该形成。为增加场效应管的之工作电压，采取一种措施，其中闸极区隔成多个区隔闸极，以及接近汲极电位且随着该汲极电位之增加或减少而改变之诸电位系分别供应至较接近汲极之区隔闸极。

10. 发明专利

TW200539444A 高電壓工作場效電晶體,及其偏壓電路及其高電壓電路 HIGH VOLTAGE OPERATING FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND BIAS CIRCUIT THEREFOR AND HIGH VOLTAGE CIRCUIT THEREOF 审中-公开
简体标题：高电压工作场效应管,及其偏压电路及其高电压电路 HIGH VOLTAGE OPERATING FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND BIAS CIRCUIT THEREFOR AND HIGH VOLTAGE CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200539444A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094105441
申请日：2005-02-23
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC. , 林豐
发明人：林豐 , 長谷川尚 , 吉田宜史 , 小山內潤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4238
摘要：高電壓工作場效電晶體形成於IC或LSI中，係藉由利用IC或LSI的標準電源電壓用之電晶體的一構成部或利用它的處理技術而達到該形成。為增加場效電晶體的之工作電壓，採取一種措施，其中設置一閘極，其電位分佈係依照汲極電位改變。
简体摘要：高电压工作场效应管形成于IC或LSI中，系借由利用IC或LSI的标准电源电压用之晶体管的一构成部或利用它的处理技术而达到该形成。为增加场效应管的之工作电压，采取一种措施，其中设置一闸极，其电位分布系依照汲极电位改变。

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