专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201347172A 光電裝置及電子機器审中-公开
简体标题：光电设备及电子机器
公开(公告)号：TW201347172A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102116777
申请日：2013-05-10
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：腰原健 , KOSHIHARA, TAKESHI , 佐藤久克 , SATO, HISAKATSU , 野村猛 , NOMURA, TAKESHI
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L33/405 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308 , H01L2251/5315
摘要：本發明之光電裝置包括：反射層；發光元件，其包括形成於陽極與陰極間之發光層；以及驅動電晶體，其對流入上述發光元件中之電流進行控制。自上述驅動電晶體向上述陽極之電流路徑中所含之轉接電極與上述反射層形成於同層且與上述反射層具有間隙。形成使上述轉接電極與上述陽極電性連接之接觸電極作為遮擋入射至上述間隙之光之遮光層。
简体摘要：本发明之光电设备包括：反射层；发光组件，其包括形成于阳极与阴极间之发光层；以及驱动晶体管，其对流入上述发光组件中之电流进行控制。自上述驱动晶体管向上述阳极之电流路径中所含之转接电极与上述反射层形成于同层且与上述反射层具有间隙。形成使上述转接电极与上述阳极电性连接之接触电极作为遮挡入射至上述间隙之光之遮光层。

2. 发明专利

TWI497683B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI497683B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101145500
申请日：2012-12-04
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：奧山正樹 , OKUYAMA, MASAKI , 佐藤久克 , SATO, HISAKATSU
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L27/0255 , H01L27/0259 , H01L29/0684 , H01L29/36 , H01L29/45 , H01L29/744

3. 发明专利

TW201332082A 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201332082A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101145500
申请日：2012-12-04
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：奧山正樹 , OKUYAMA, MASAKI , 佐藤久克 , SATO, HISAKATSU
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L27/0255 , H01L27/0259 , H01L29/0684 , H01L29/36 , H01L29/45 , H01L29/744
摘要：本發明之半導體裝置之特徵在於：第1雜質擴散區域係設置於半導體基板內，第2雜質擴散區域係設置於第1雜質擴散區域內，第3雜質擴散區域係設置於第2雜質擴散區域內，第4雜質擴散區域之第1部分係與第3雜質擴散區域分開而設置於第2雜質擴散區域內，第4雜質擴散區域之第2部分係設置於第1雜質擴散區域之第3部分之半導體基板之表面側，第1接點係以與第2部分接觸之方式設置，第1接點與第3部分於俯視下重疊，第1電源係連接於第3雜質擴散區域。
简体摘要：本发明之半导体设备之特征在于：第1杂质扩散区域系设置于半导体基板内，第2杂质扩散区域系设置于第1杂质扩散区域内，第3杂质扩散区域系设置于第2杂质扩散区域内，第4杂质扩散区域之第1部分系与第3杂质扩散区域分开而设置于第2杂质扩散区域内，第4杂质扩散区域之第2部分系设置于第1杂质扩散区域之第3部分之半导体基板之表面侧，第1接点系以与第2部分接触之方式设置，第1接点与第3部分于俯视下重叠，第1电源系连接于第3杂质扩散区域。

4. 发明专利

TWI633654B 光電裝置及附光電裝置之電子機器有权
简体标题：光电设备及附光电设备之电子机器
公开(公告)号：TWI633654B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW102116777
申请日：2013-05-10
申请人：日商精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：腰原健 , KOSHIHARA, TAKESHI , 佐藤久克 , SATO, HISAKATSU , 野村猛 , NOMURA, TAKESHI
IPC分类号： H01L27/32

5. 发明专利

TWI612644B 有機ＥＬ裝置之製造方法及有機ＥＬ裝置有权
简体标题：有机ＥＬ设备之制造方法及有机ＥＬ设备
公开(公告)号：TWI612644B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102148233
申请日：2013-12-25
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：佐藤久克 , SATO, HISAKATSU , 村田賢志 , MURATA, SATOSHI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/5036 , H01L51/5218 , H01L51/5256 , H01L51/5262 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/558

6. 发明专利

TW201438201A 有機ＥＬ裝置之製造方法审中-公开
简体标题：有机ＥＬ设备之制造方法
公开(公告)号：TW201438201A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102148233
申请日：2013-12-25
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：佐藤久克 , SATO, HISAKATSU , 村田賢志 , MURATA, SATOSHI
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/5036 , H01L51/5218 , H01L51/5256 , H01L51/5262 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
摘要：本發明之有機EL裝置之製造方法之特徵在於包括：於第1絕緣層上形成第3絕緣層之步驟；藉由對第3絕緣層進行蝕刻而去除第1像素區域之第3絕緣層之步驟；於以連續覆蓋第1反射膜及第2反射膜之方式形成前驅物絕緣層之後，對前驅物絕緣層之上表面進行平坦化處理，藉此形成於第1像素與第2像素中分別具有不同之膜厚且具有平坦面即第1面之第2絕緣層之步驟；及於第2絕緣層之第1面上形成第1像素電極及第2像素電極之像素電極形成步驟；且第1絕緣層藉由蝕刻被去除之速度比第3絕緣層慢。
简体摘要：本发明之有机EL设备之制造方法之特征在于包括：于第1绝缘层上形成第3绝缘层之步骤；借由对第3绝缘层进行蚀刻而去除第1像素区域之第3绝缘层之步骤；于以连续覆盖第1反射膜及第2反射膜之方式形成前驱物绝缘层之后，对前驱物绝缘层之上表面进行平坦化处理，借此形成于第1像素与第2像素中分别具有不同之膜厚且具有平坦面即第1面之第2绝缘层之步骤；及于第2绝缘层之第1面上形成第1像素电极及第2像素电极之像素电极形成步骤；且第1绝缘层借由蚀刻被去除之速度比第3绝缘层慢。

7. 发明专利

TW326564B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW326564B
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：TW085109532
申请日：1996-08-06
申请人：精工愛普生股份有限公司
发明人：佐藤久克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/05 , H01L2224/48463
摘要：本發明之目的在於提供一種能夠高密度地配置接合墊等之外部連接端子的連接領域，且具有高信賴性的半導體裝置及其製造方法。
在下層電極１１０與上層電極１００之間，在層間絕緣膜１３０的中央形成通孔，而將層間連接用導電體埋入到該通孔內，此外，接合墊１４０之球狀部分，由平面來看，則如同完全覆蓋所埋入之導電體１２０般地被連接到上層電極１００。
根據本構造不會產生段差，且容易確保接合領域，又更容易多層化。又，經由接合線１４０所進入之水分所產生的惡劣影響則不會及於所埋入的金屬１２０。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种能够高密度地配置接合垫等之外部连接端子的连接领域，且具有高信赖性的半导体设备及其制造方法。在下层电极１１０与上层电极１００之间，在层间绝缘膜１３０的中央形成通孔，而将层间连接用导电体埋入到该通孔内，此外，接合垫１４０之球状部分，由平面来看，则如同完全覆盖所埋入之导电体１２０般地被连接到上层电极１００。根据本构造不会产生段差，且容易确保接合领域，又更容易多层化。又，经由接合线１４０所进入之水分所产生的恶劣影响则不会及于所埋入的金属１２０。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式