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1. 发明专利

TWI499694B 半導體液晶製造裝置用表面處理構件之製造方法有权
简体标题：半导体液晶制造设备用表面处理构件之制造方法
公开(公告)号：TWI499694B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW099100384
申请日：2010-01-08
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：和田浩司 , WADA, KOJI , 坪田隆之 , TSUBOTA, TAKAYUKI , 細川護 , HOSOKAWA, MAMORU , 久本淳 , HISAMOTO, JUN
IPC分类号： C25D11/02
CPC分类号： C25D11/24 , H01L29/4908

2. 发明专利

TWI424096B 陽極氧化皮膜之形成方法有权
简体标题：阳极氧化皮膜之形成方法
公开(公告)号：TWI424096B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW100106201
申请日：2011-02-24
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：細川護 , HOSOKAWA, MAMORU , 和田浩司 , WADA, KOJI , 坪田隆之 , TSUBOTA, TAKAYUKI , 久本淳 , HISAMOTO, JUN
IPC分类号： C25D11/04 , C25D11/16 , C25D11/18
CPC分类号： C25D11/04 , C25D11/024 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/246 , C25D21/12

3. 发明专利

TWI427160B 耐蝕性優良的船舶用鋼材有权
简体标题：耐蚀性优良的船舶用钢材
公开(公告)号：TWI427160B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW097148250
申请日：2008-12-11
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：阪下真司 , SAKASHITA, SHINJI , 巽明彥 , TATSUMI, AKIHIKO , 吉田誠司 , YOSHIDA, SATOSHI , 久本淳 , HISAMOTO, JUN
IPC分类号： C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/28 , C22C38/58

4. 发明专利

TWI402379B 陽極氧化膜的形成方法及使用其之鋁合金構件有权
简体标题：阳极氧化膜的形成方法及使用其之铝合金构件
公开(公告)号：TWI402379B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW098132499
申请日：2009-09-25
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：和田浩司 , WADA, KOJI , 久本淳 , HISAMOTO, JUN
IPC分类号： C25D11/04
CPC分类号： C25D11/06 , C25D11/024

5. 发明专利

TWI376430B 電漿處理裝置用構件及其製造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：等离子处理设备用构件及其制造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI376430B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW097147428
申请日：2008-12-05
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：田中敏行 , 久本淳 , 菅野裕人
IPC分类号： C25D , H05H
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置用構件，其耐黏性優異，適合作為CVD裝置之下部電極等且具備穩定之形狀，可抑制電漿處理時之異常放電。電漿處理裝置用構件(1)係由以機械加工將表面加工成平滑之由鋁合金所構成之基材(2)；以及對成膜於該基材(2)表面之陽極氧化皮膜實施水合(hydration)處理以形成微細龜裂之陽極氧化皮膜(3)所構成。陽極氧化皮膜(3)係施加電壓為100V時之漏電流密度為超過0.9×10-5A/cm2，膜厚為3μm以上，表面之算術平均粗糙度為低於1μm，磷酸-鉻酸浸漬測試之溶解速度為低於100mg/dm2/15min，而形成該陽極氧化皮膜(3)之表面的平面度係50μm以下。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备用构件，其耐黏性优异，适合作为CVD设备之下部电极等且具备稳定之形状，可抑制等离子处理时之异常放电。等离子处理设备用构件(1)系由以机械加工将表面加工成平滑之由铝合金所构成之基材(2)；以及对成膜于该基材(2)表面之阳极氧化皮膜实施水合(hydration)处理以形成微细龟裂之阳极氧化皮膜(3)所构成。阳极氧化皮膜(3)系施加电压为100V时之漏电流密度为超过0.9×10-5A/cm2，膜厚为3μm以上，表面之算术平均粗糙度为低于1μm，磷酸-铬酸浸渍测试之溶解速度为低于100mg/dm2/15min，而形成该阳极氧化皮膜(3)之表面的平面度系50μm以下。

6. 发明专利

TW554080B 耐腐蝕性優之鋁合金構件有权
简体标题：耐腐蚀性优之铝合金构件
公开(公告)号：TW554080B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091115587
申请日：2002-07-12
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：和田浩司 , 久本淳
IPC分类号： C25D , H01L
CPC分类号： C25D11/06 , C22C21/02 , C22C21/08 , C25D11/18 , Y10T428/12479
摘要：本發明係提供一種具有良好耐氣體腐蝕性，耐等離子性及耐腐蝕溶液性之鋁合金室構件者。
具有由多孔層與無空孔之阻隔層所成之陽極氧化被膜的鋁或鋁合金材料者，該至少部份阻隔層組織為勃姆石及／或擬勃姆石者，且，磷酸－鉻酸浸漬試驗(JIS H8683－)之該被膜溶解速度為100mg/dm2/15min以下，更於5%Cl2－Ar氣體氣氛下(400℃)下進行靜置4小時後之腐蝕產生面積率為10%以下為主旨之良好耐腐蝕性鋁合金構件。無選擇圖。
简体摘要：本发明系提供一种具有良好耐气体腐蚀性，耐等离子性及耐腐蚀溶液性之铝合金室构件者。具有由多孔层与无空孔之阻隔层所成之阳极氧化被膜的铝或铝合金材料者，该至少部份阻隔层组织为勃姆石及／或拟勃姆石者，且，磷酸－铬酸浸渍试验(JIS H8683－)之该被膜溶解速度为100mg/dm2/15min以下，更于5%Cl2－Ar气体气氛下(400℃)下进行静置4小时后之腐蚀产生面积率为10%以下为主旨之良好耐腐蚀性铝合金构件。无选择图。

7. 发明专利

TWI315745B 高耐腐蝕性鋼材料有权
简体标题：高耐腐蚀性钢材料
公开(公告)号：TWI315745B
公开(公告)日：2009-10-11
申请号：TW095108618
申请日：2006-03-14
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：湯瀨文雄 , 阪下真司 , 安永龍哉 , 小林洋一郎 , 岡野重雄 , 久本淳
IPC分类号： C22C , C21D
摘要：本發明係提供一種高耐腐蝕性鋼材料，其係不會引起由於添加過多提昇耐腐蝕性元素導致機械特性及焊接性降低，能夠具有優異的耐腐蝕性。本發明之解決方法係一種高耐腐蝕性鋼材料，其特徵在於，(1)含有Zn：0.01~3.0質量%；Cu：0.05~3.0質量%；Ni：0.05~6.0質量%，還含有Ca：0.0005~0.0050質量%、Mg：0.0005~0.010質量%、REM：0.0005~0.010質量%中任選1種或2種以上，(2)於該高耐腐蝕性鋼材料中，從鋼材最表面至深度500μm的區域中，Cu量＋Ni量為鋼材的Cu量＋Ni量的1.2倍以上，且具有作為1.0質量%以上的Cu＋Ni濃縮層，該濃縮層的厚度為1μm以上，(3)於該高耐腐蝕性鋼材料中，鋼板表層部的特定區域中的平均肥粒鐵結晶粒徑為5μm以下等。
简体摘要：本发明系提供一种高耐腐蚀性钢材料，其系不会引起由于添加过多提升耐腐蚀性元素导致机械特性及焊接性降低，能够具有优异的耐腐蚀性。本发明之解决方法系一种高耐腐蚀性钢材料，其特征在于，(1)含有Zn：0.01~3.0质量%；Cu：0.05~3.0质量%；Ni：0.05~6.0质量%，还含有Ca：0.0005~0.0050质量%、Mg：0.0005~0.010质量%、REM：0.0005~0.010质量%中任选1种或2种以上，(2)于该高耐腐蚀性钢材料中，从钢材最表面至深度500μm的区域中，Cu量＋Ni量为钢材的Cu量＋Ni量的1.2倍以上，且具有作为1.0质量%以上的Cu＋Ni浓缩层，该浓缩层的厚度为1μm以上，(3)于该高耐腐蚀性钢材料中，钢板表层部的特定区域中的平均肥粒铁结晶粒径为5μm以下等。

8. 发明专利

TW488010B 鋁合金製處理室用構件及加熱區塊有权
简体标题：铝合金制处理室用构件及加热区块
公开(公告)号：TW488010B
公开(公告)日：2002-05-21
申请号：TW090102254
申请日：2001-02-02
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：田中敏行 , 和田浩司 , 久本淳 , 澤田洋樹 , 松浦比朗志
IPC分类号： H01J , H01L , C22C
CPC分类号： H01J37/32467
摘要：本發明之課題，係提供在高溫腐蝕環境下，耐熱裂性及耐腐蝕性優異，且能實現優異的低污染化，更具有優異的焊接性之鋁合金製處理室用構件。
本發明的具有陽極氧化皮膜之鋁合金製處理室用構件的基材鉛合金，係由以質量%，Si：0.1~2.0%，Mg：0.1~3.5%，Cu：0.02~4.0%，剩餘部份Al及雜質元素而成，雜質元素內，Cr：未滿0．04%之鋁合金。雜質元素內，做為Fe：0.1%以下，Mn：0.04%以下為理想，更且將Fe， Cr，Mn以外的雜質元素之總和抑制在在0.1%以下為理想。本發明，係在高溫腐蝕環境下，特別在高溫腐蝕氣體或電漿環境下被使用的各種構件適合地利用。
简体摘要：本发明之课题，系提供在高温腐蚀环境下，耐热裂性及耐腐蚀性优异，且能实现优异的低污染化，更具有优异的焊接性之铝合金制处理室用构件。本发明的具有阳极氧化皮膜之铝合金制处理室用构件的基材铅合金，系由以质量%，Si：0.1~2.0%，Mg：0.1~3.5%，Cu：0.02~4.0%，剩余部份Al及杂质元素而成，杂质元素内，Cr：未满0．04%之铝合金。杂质元素内，做为Fe：0.1%以下，Mn：0.04%以下为理想，更且将Fe， Cr，Mn以外的杂质元素之总和抑制在在0.1%以下为理想。本发明，系在高温腐蚀环境下，特别在高温腐蚀气体或等离子环境下被使用的各种构件适合地利用。

9. 发明专利

TW201022480A 電漿處理裝置用構件及其製造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：等离子处理设备用构件及其制造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201022480A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW097147428
申请日：2008-12-05
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：田中敏行 , 久本淳 , 菅野裕人
IPC分类号： C25D , H05H
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置用構件，其耐黏性優異，適合作為CVD裝置之下部電極等且具備穩定之形狀，可抑制電漿處理時之異常放電。電漿處理裝置用構件(1)係由以機械加工將表面加工成平滑之由鋁合金所構成之基材(2)；以及對成膜於該基材(2)表面之陽極氧化皮膜實施水合(hydration)處理以形成微細龜裂之陽極氧化皮膜(3)所構成。陽極氧化皮膜(3)係施加電壓為100V時之漏電流密度為超過0.9×10 -5 A/cm 2 ，膜厚為3μm以上，表面之算術平均粗糙度為低於1μm，磷酸-鉻酸浸漬測試之溶解速度為低於100mg/dm 2 /15min，而形成該陽極氧化皮膜(3)之表面的平面度係50μm以下。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备用构件，其耐黏性优异，适合作为CVD设备之下部电极等且具备稳定之形状，可抑制等离子处理时之异常放电。等离子处理设备用构件(1)系由以机械加工将表面加工成平滑之由铝合金所构成之基材(2)；以及对成膜于该基材(2)表面之阳极氧化皮膜实施水合(hydration)处理以形成微细龟裂之阳极氧化皮膜(3)所构成。阳极氧化皮膜(3)系施加电压为100V时之漏电流密度为超过0.9×10 -5 A/cm 2 ，膜厚为3μm以上，表面之算术平均粗糙度为低于1μm，磷酸-铬酸浸渍测试之溶解速度为低于100mg/dm 2 /15min，而形成该阳极氧化皮膜(3)之表面的平面度系50μm以下。

10. 发明专利

TW201018751A 陽極氧化膜的形成方法及使用其之鋁合金構件审中-公开
简体标题：阳极氧化膜的形成方法及使用其之铝合金构件
公开(公告)号：TW201018751A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098132499
申请日：2009-09-25
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：和田浩司 , 久本淳
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D11/06 , C25D11/024
摘要：本發明係提供一種抑制形成於電漿處理裝置之真空處理室內壁等的鋁合金基材表面之陽極氧化膜中之龜裂的產生，並以高效率來形成熱反射率低且耐電壓高之陽極氧化膜之陽極氧化處理方法。本發明係關於一種陽極氧化膜的形成方法，為在硫酸溶液中或硫酸與草酸之混酸溶液中，將陽極氧化膜形成於JIS6061鋁合金基材的表面之陽極氧化膜的形成方法，所形成之前述陽極氧化膜的全體膜厚之膜厚方向的積算電壓為1650V．μm以上，將從前述鋁合金基材與陽極氧化膜之界面往膜厚方向為25μm的位置、與至前述陽極氧化膜表面為止之間的陽極氧化膜，以電解電壓27V以下來形成，並且從前述界面往膜厚方向為25μm的位置為止之積算電壓為820V．μm以上1000V．μm以下，藉由該形成方法，能夠形成熱反射率、龜裂密度、處理時間均可達到期望基準之高耐電壓的陽極氧化膜。
简体摘要：本发明系提供一种抑制形成于等离子处理设备之真空处理室内壁等的铝合金基材表面之阳极氧化膜中之龟裂的产生，并以高效率来形成热反射率低且耐电压高之阳极氧化膜之阳极氧化处理方法。本发明系关于一种阳极氧化膜的形成方法，为在硫酸溶液中或硫酸与草酸之混酸溶液中，将阳极氧化膜形成于JIS6061铝合金基材的表面之阳极氧化膜的形成方法，所形成之前述阳极氧化膜的全体膜厚之膜厚方向的积算电压为1650V．μm以上，将从前述铝合金基材与阳极氧化膜之界面往膜厚方向为25μm的位置、与至前述阳极氧化膜表面为止之间的阳极氧化膜，以电解电压27V以下来形成，并且从前述界面往膜厚方向为25μm的位置为止之积算电压为820V．μm以上1000V．μm以下，借由该形成方法，能够形成热反射率、龟裂密度、处理时间均可达到期望基准之高耐电压的阳极氧化膜。

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