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1. 发明专利

TWI376430B 電漿處理裝置用構件及其製造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：等离子处理设备用构件及其制造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI376430B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW097147428
申请日：2008-12-05
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：田中敏行 , 久本淳 , 菅野裕人
IPC分类号： C25D , H05H
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置用構件，其耐黏性優異，適合作為CVD裝置之下部電極等且具備穩定之形狀，可抑制電漿處理時之異常放電。電漿處理裝置用構件(1)係由以機械加工將表面加工成平滑之由鋁合金所構成之基材(2)；以及對成膜於該基材(2)表面之陽極氧化皮膜實施水合(hydration)處理以形成微細龜裂之陽極氧化皮膜(3)所構成。陽極氧化皮膜(3)係施加電壓為100V時之漏電流密度為超過0.9×10-5A/cm2，膜厚為3μm以上，表面之算術平均粗糙度為低於1μm，磷酸-鉻酸浸漬測試之溶解速度為低於100mg/dm2/15min，而形成該陽極氧化皮膜(3)之表面的平面度係50μm以下。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备用构件，其耐黏性优异，适合作为CVD设备之下部电极等且具备稳定之形状，可抑制等离子处理时之异常放电。等离子处理设备用构件(1)系由以机械加工将表面加工成平滑之由铝合金所构成之基材(2)；以及对成膜于该基材(2)表面之阳极氧化皮膜实施水合(hydration)处理以形成微细龟裂之阳极氧化皮膜(3)所构成。阳极氧化皮膜(3)系施加电压为100V时之漏电流密度为超过0.9×10-5A/cm2，膜厚为3μm以上，表面之算术平均粗糙度为低于1μm，磷酸-铬酸浸渍测试之溶解速度为低于100mg/dm2/15min，而形成该阳极氧化皮膜(3)之表面的平面度系50μm以下。

2. 发明专利

TW201022480A 電漿處理裝置用構件及其製造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：等离子处理设备用构件及其制造方法 MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201022480A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW097147428
申请日：2008-12-05
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：田中敏行 , 久本淳 , 菅野裕人
IPC分类号： C25D , H05H
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置用構件，其耐黏性優異，適合作為CVD裝置之下部電極等且具備穩定之形狀，可抑制電漿處理時之異常放電。電漿處理裝置用構件(1)係由以機械加工將表面加工成平滑之由鋁合金所構成之基材(2)；以及對成膜於該基材(2)表面之陽極氧化皮膜實施水合(hydration)處理以形成微細龜裂之陽極氧化皮膜(3)所構成。陽極氧化皮膜(3)係施加電壓為100V時之漏電流密度為超過0.9×10 -5 A/cm 2 ，膜厚為3μm以上，表面之算術平均粗糙度為低於1μm，磷酸-鉻酸浸漬測試之溶解速度為低於100mg/dm 2 /15min，而形成該陽極氧化皮膜(3)之表面的平面度係50μm以下。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备用构件，其耐黏性优异，适合作为CVD设备之下部电极等且具备稳定之形状，可抑制等离子处理时之异常放电。等离子处理设备用构件(1)系由以机械加工将表面加工成平滑之由铝合金所构成之基材(2)；以及对成膜于该基材(2)表面之阳极氧化皮膜实施水合(hydration)处理以形成微细龟裂之阳极氧化皮膜(3)所构成。阳极氧化皮膜(3)系施加电压为100V时之漏电流密度为超过0.9×10 -5 A/cm 2 ，膜厚为3μm以上，表面之算术平均粗糙度为低于1μm，磷酸-铬酸浸渍测试之溶解速度为低于100mg/dm 2 /15min，而形成该阳极氧化皮膜(3)之表面的平面度系50μm以下。

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