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    • 4. 发明专利
    • 無導腳式半導體封裝件製法 METHOD OF MANUFACTURING QUAD FLAT NON-LEADED SEMICONDUCTOR PACKAGE
    • 无导脚式半导体封装件制法 METHOD OF MANUFACTURING QUAD FLAT NON-LEADED SEMICONDUCTOR PACKAGE
    • TWI264091B
    • 2006-10-11
    • TW094131778
    • 2005-09-15
    • 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
    • 李春源 LI, CHUN YUAN湯富地 TANG, FU DI黃建屏 HUANG, CHIEN PING
    • H01L
    • H01L21/4832H01L23/49582H01L24/45H01L24/48H01L2224/16H01L2224/16245H01L2224/45144H01L2224/48091H01L2224/48247H01L2924/01028H01L2924/01046H01L2924/01078H01L2924/01079H01L2924/181H01L2924/00014H01L2924/00012
    • 一種無導腳式半導體封裝件製法,主要係製備一具有相對第一與第二表面的金屬載板,該第一表面上係定義有多數導電墊之位置;於該金屬載板之第一表面與第二表面上分別形成一阻層,並依預先定義之導電墊位置,於該兩阻層上分別形成多數開口;於該兩阻層之開口中分別鍍上一可錫接(Solderable)之金屬鍍層,並移除該金屬載板第一表面上之阻層;於該金屬載板第一表面以該金屬鍍層為遮罩進行蝕刻,以蝕刻未被該金屬鍍層所覆蓋的載板之金屬部份,之後移除該金屬載板第二表面上之阻層,而於該金屬載板第一表面上接置一晶片,並電性連接該晶片與對應之導電墊;進行模壓製程,以令一封裝膠體包覆該晶片與金屬載板之第一表面;以導電墊上之金屬鍍層為遮罩,於該金屬載板第二表面進行蝕刻,以分離各該導電墊,最後切割而製得多數無導腳式半導體封裝件,解決習知製法必須於模壓製程後進行無電解電鍍(Electroless Plating)與黃光(Lithography)步驟之缺失。
    • 一种无导脚式半导体封装件制法,主要系制备一具有相对第一与第二表面的金属载板,该第一表面上系定义有多数导电垫之位置;于该金属载板之第一表面与第二表面上分别形成一阻层,并依预先定义之导电垫位置,于该两阻层上分别形成多数开口;于该两阻层之开口中分别镀上一可锡接(Solderable)之金属镀层,并移除该金属载板第一表面上之阻层;于该金属载板第一表面以该金属镀层为遮罩进行蚀刻,以蚀刻未被该金属镀层所覆盖的载板之金属部份,之后移除该金属载板第二表面上之阻层,而于该金属载板第一表面上接置一芯片,并电性连接该芯片与对应之导电垫;进行模压制程,以令一封装胶体包覆该芯片与金属载板之第一表面;以导电垫上之金属镀层为遮罩,于该金属载板第二表面进行蚀刻,以分离各该导电垫,最后切割而制得多数无导脚式半导体封装件,解决习知制法必须于模压制程后进行无电解电镀(Electroless Plating)与黄光(Lithography)步骤之缺失。