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1. 发明专利

TWI421334B 研磨組成物及其用途有权
简体标题：研磨组成物及其用途
公开(公告)号：TWI421334B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099144952
申请日：2010-12-21
申请人：盟智科技股份有限公司 , UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：郭哲宇 , KUO, CHE YU , 蔡文財 , TSAI, WEN TSAI , 申博元 , SHEN, PO YUAN , 張松源 , CHANG, SONG YUAN , 陸明輝 , LU, MING HUI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/08

2. 发明专利

TWI395838B 用以清洗研磨墊之組成物有权
简体标题：用以清洗研磨垫之组成物
公开(公告)号：TWI395838B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097101215
申请日：2008-01-11
申请人：盟智科技股份有限公司 , UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：張松源 , CHANG, SONG YUAN , 蔡文財 , TSAI, WEN TSAI , 陸明輝 , LU, MIN GHUI , 申博元 , SHEN, PO YUAN , 陳勇全 , CHEN, YUNG CHUAN
IPC分类号： C23G1/02 , B24B37/24

3. 发明专利

TWI447224B 使用於半導體晶圓製造之清洗組成物有权
简体标题：使用于半导体晶圆制造之清洗组成物
公开(公告)号：TWI447224B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW098145072
申请日：2009-12-25
申请人：盟智科技股份有限公司 , UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：張松源 , CHANG, SONG YUAN , 申博元 , SHEN, PO YUAN , 蔡文財 , TSAI, WEN TSAI , 陸明輝 , LU, MING HUI , 詹政勳 , CHAN, CHENG HSUN
IPC分类号： C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/36 , H01L21/306
CPC分类号： C11D3/33 , C11D3/2075 , C11D3/361 , C11D3/364 , C11D3/365

4. 发明专利

TWI503878B 化學機械平坦化後用之酸性清潔組成物有权
简体标题：化学机械平坦化后用之酸性清洁组成物
公开(公告)号：TWI503878B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW097143214
申请日：2008-11-07
申请人：盟智科技股份有限公司 , UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：蔡文財 , TSAI, WEN TSAI , 張松源 , CHANG, SONG YUAN , 陸明輝 , LU, MING HUI , 申博元 , SHEN, PO YUAN
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14

5. 发明专利

TW201226545A 研漿組成物及其用途 SLURRY COMPOSITION AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题：研浆组成物及其用途 SLURRY COMPOSITION AND USE THEREOF
公开(公告)号：TW201226545A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099144952
申请日：2010-12-21
申请人：盟智科技股份有限公司
发明人：郭哲宇 , 蔡文財 , 申博元 , 張松源 , 陸明輝
IPC分类号： C09K , H01L
摘要：一種研磨組成物，其組成總量為100重量%，且包括研磨粒、界面活性劑、抗結晶劑及水。研磨粒的含量為20重量%至60重量%。界面活性劑的含量為0.001重量%至10重量%。抗結晶劑的含量為0.001重量%至10重量%。其中，組成所述研漿組成物的剩餘部份為水。
简体摘要：一种研磨组成物，其组成总量为100重量%，且包括研磨粒、界面活性剂、抗结晶剂及水。研磨粒的含量为20重量%至60重量%。界面活性剂的含量为0.001重量%至10重量%。抗结晶剂的含量为0.001重量%至10重量%。其中，组成所述研浆组成物的剩余部份为水。

6. 发明专利

TW201019385A 化學機械平坦化後用之酸性清潔組成物 ACIDIC POST-CMP CLEANING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：化学机械平坦化后用之酸性清洁组成物 ACIDIC POST-CMP CLEANING COMPOSITION
公开(公告)号：TW201019385A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW097143214
申请日：2008-11-07
申请人：盟智科技股份有限公司
发明人：蔡文財 , 張松源 , 陸明輝 , 申博元
IPC分类号： H01L , C09K
摘要：本發明提供一種化學機械平坦化後用之酸性清潔組成物，其pH值介於1~5之間，包括：至少一種多胺多羧酸及/或其鹽類；至少一種羥基羧酸及/或其鹽類；至少一種界面活性劑；以及其餘者實質上為水。本發明酸性組成物可有效地去除銅製程化學機械研磨後晶圓表面上殘留的污染物，如研磨粒、金屬錯合物及有機分子，且不致使金屬表面粗糙。
简体摘要：本发明提供一种化学机械平坦化后用之酸性清洁组成物，其pH值介于1~5之间，包括：至少一种多胺多羧酸及/或其盐类；至少一种羟基羧酸及/或其盐类；至少一种界面活性剂；以及其余者实质上为水。本发明酸性组成物可有效地去除铜制程化学机械研磨后晶圆表面上残留的污染物，如研磨粒、金属错合物及有机分子，且不致使金属表面粗糙。

7. 发明专利

TWI371504B 後研磨清潔組成物有权
简体标题：后研磨清洁组成物
公开(公告)号：TWI371504B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW096149139
申请日：2007-12-21
申请人：盟智科技股份有限公司
发明人：張松源 , 蔡文財 , 陸明輝 , 申博元
IPC分类号： C23F , C11D , H01L
摘要：本發明之後研磨清潔組成物至少包含有：至少一種酸性物質以及腐蝕抑制劑，其中，該腐蝕抑制劑係為一選自至少包含肌胺酸及其鹽類化合物或其組合物，且該組合物之pH值約為0.5~5，不僅於該晶圓在CMP製程後，可利用該後研磨清潔組成物進行多次表面清洗製程，以去除晶圓表面之微粒、金屬離子、有機物以及殘留之苯并三唑(benzotriazole，以下簡稱為BTA)，並可保護加工物件表面，避免被腐蝕。
简体摘要：本发明之后研磨清洁组成物至少包含有：至少一种酸性物质以及腐蚀抑制剂，其中，该腐蚀抑制剂系为一选自至少包含肌胺酸及其盐类化合物或其组合物，且该组合物之pH值约为0.5~5，不仅于该晶圆在CMP制程后，可利用该后研磨清洁组成物进行多次表面清洗制程，以去除晶圆表面之微粒、金属离子、有机物以及残留之苯并三唑(benzotriazole，以下简称为BTA)，并可保护加工对象表面，避免被腐蚀。

8. 发明专利

TWI371481B 研漿組成物及使用此研漿組成物的金屬鑲嵌結構的製造方法 SLURRY COMPOSITION AND METHOD OF FABRICATING DAMASCENE STRUCTURE USING THE SAME 有权
简体标题：研浆组成物及使用此研浆组成物的金属镶嵌结构的制造方法 SLURRY COMPOSITION AND METHOD OF FABRICATING DAMASCENE STRUCTURE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI371481B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW098111076
申请日：2009-04-02
申请人：盟智科技股份有限公司
发明人：張松源 , 蔡文財 , 陸明輝 , 申博元
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要：一種研漿組成物，其組成總量為100%，且包括研磨粒、酸鹼調整劑、氧化劑及水。研磨粒的含量為10重量%至40重量%，且研磨粒的粒徑多分佈指數為大於1.8。酸鹼調整劑的含量為0.01重量%至10重量%。氧化劑的含量為0.01重量%至10重量%。其中，組成前述研漿組成物的剩餘部份為水。
简体摘要：一种研浆组成物，其组成总量为100%，且包括研磨粒、酸碱调整剂、氧化剂及水。研磨粒的含量为10重量%至40重量%，且研磨粒的粒径多分布指数为大于1.8。酸碱调整剂的含量为0.01重量%至10重量%。氧化剂的含量为0.01重量%至10重量%。其中，组成前述研浆组成物的剩余部份为水。

9. 发明专利

TW201122095A 清洗組成物 CLEANING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：清洗组成物 CLEANING COMPOSITION
公开(公告)号：TW201122095A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098145072
申请日：2009-12-25
申请人：盟智科技股份有限公司
发明人：張松源 , 申博元 , 蔡文財 , 陸明輝 , 詹政勳
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D3/33 , C11D3/2075 , C11D3/361 , C11D3/364 , C11D3/365
摘要：一種清洗組成物，包括多胺基羧酸鹽(polyamino carboxylic salt)、酸及水。多胺基羧酸鹽的含量為0.01重量%至0.5重量%。酸的含量為0.01重量%至0.5重量%。其中，清洗組成物的剩餘部份為水。
简体摘要：一种清洗组成物，包括多胺基羧酸盐(polyamino carboxylic salt)、酸及水。多胺基羧酸盐的含量为0.01重量%至0.5重量%。酸的含量为0.01重量%至0.5重量%。其中，清洗组成物的剩余部份为水。

10. 发明专利

TW201037065A 研漿組成物及使用此研漿組成物的金屬鑲嵌結構的製造方法 SLURRY COMPOSITION AND METHOD OF FABRICATING DAMASCENE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：研浆组成物及使用此研浆组成物的金属镶嵌结构的制造方法 SLURRY COMPOSITION AND METHOD OF FABRICATING DAMASCENE STRUCTURE
公开(公告)号：TW201037065A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098111076
申请日：2009-04-02
申请人：盟智科技股份有限公司
发明人：張松源 , 蔡文財 , 陸明輝 , 申博元
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要：一種研漿組成物，其組成總量為100％，且包括研磨粒、酸鹼調整劑、氧化劑及水。研磨粒的含量為10重量％至40重量％，且研磨粒的粒徑多分佈指數為大於1.8。酸鹼調整劑的含量為0.01重量％至10重量％。氧化劑的含量為0.01重量％至10重量％。其中，組成前述研漿組成物的剩餘部份為水。
简体摘要：一种研浆组成物，其组成总量为100％，且包括研磨粒、酸碱调整剂、氧化剂及水。研磨粒的含量为10重量％至40重量％，且研磨粒的粒径多分布指数为大于1.8。酸碱调整剂的含量为0.01重量％至10重量％。氧化剂的含量为0.01重量％至10重量％。其中，组成前述研浆组成物的剩余部份为水。

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