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1. 发明专利

TW419651B 自磁性記錄載體讀取資訊的配置失效
简体标题：自磁性记录载体读取信息的配置
公开(公告)号：TW419651B
公开(公告)日：2001-01-21
申请号：TW088105125
申请日：1999-03-31
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司
发明人：約歐N.V.L.拉瑪賀 , 約翰尼斯O.渥曼 , 派崔克李克勒克 , 約樂夫A.M.拉瑪克斯 , 馬歇爾L.盧舍特 , 約翰尼斯W.M.柏格曼斯
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B20/10009 , G01R33/09 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/09 , G11B7/00 , G11B20/22 , G11B33/14 , G11B2005/0016 , G11B2005/0018
摘要：本發明揭露從一記錄載體讀取資料的配置。此配置包括一具有至少一個電磁阻抗元件(Rvmr)，一個第一電晶體(Tr1)與第二電晶體(Tr2)的讀取頭。第一電晶體(Tr1)的底部經由第一電容器(6)連接至第二電晶體(Tr2)的射極。第二電晶體(Tr2)的底部經由第二電容器(8)連接至第一電晶體(Tr1)的射極。此配置進一步包括具有連接至此配置輸出終端器(10，12)之第一與第二輸入端，以及具有連接至第一、第二電晶體之反轉與非反轉輸出端之非線性跨導放大器(transconductance amplifier)(14)。非線性跨導放大器(14)用來提供於反轉與非反轉輸出時控制電流，以回應在其輸入端上出現的電壓，如此對於第一與第二輸出電流分別導致第一與第二輸入電壓，第一輸入電壓將比第二輸入電壓來得大，用以產生第一輸出電流的跨導裝置放大係數，將比產生第二輸出電流放大係數來得大。(圖1)
简体摘要：本发明揭露从一记录载体读取数据的配置。此配置包括一具有至少一个电磁阻抗组件(Rvmr)，一个第一晶体管(Tr1)与第二晶体管(Tr2)的读取头。第一晶体管(Tr1)的底部经由第一电容器(6)连接至第二晶体管(Tr2)的射极。第二晶体管(Tr2)的底部经由第二电容器(8)连接至第一晶体管(Tr1)的射极。此配置进一步包括具有连接至此配置输出终端器(10，12)之第一与第二输入端，以及具有连接至第一、第二晶体管之反转与非反转输出端之非线性跨导放大器(transconductance amplifier)(14)。非线性跨导放大器(14)用来提供于反转与非反转输出时控制电流，以回应在其输入端上出现的电压，如此对于第一与第二输出电流分别导致第一与第二输入电压，第一输入电压将比第二输入电压来得大，用以产生第一输出电流的跨导设备放大系数，将比产生第二输出电流放大系数来得大。(图1)

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