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1. 发明专利

TWI603911B 半導體裝置用接合線的捲線構造有权
简体标题：半导体设备用接合线的卷线构造
公开(公告)号：TWI603911B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105128766
申请日：2016-09-06
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO , 陳煒 , CHEN, WEI , 伊藤杏奈 , ITO, ANNA
IPC分类号： B65H81/08 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78

2. 发明专利

TW201716310A 半導體裝置用接合線的捲線構造审中-公开
简体标题：半导体设备用接合线的卷线构造
公开(公告)号：TW201716310A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105128766
申请日：2016-09-06
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO , 陳煒 , CHEN, WEI , 伊藤杏奈 , ITO, ANNA
IPC分类号： B65H81/08 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78
摘要：【課題】本發明之目的在提供比迄今緊固力更強，且在輸送時的振動等亦不會崩壞的新穎的接合線的捲線構造。此外，本發明之目的在於提供不會浪費線，且可順利地進行線軸更換作業的接合線的捲線構造。【構成】本發明之接合線的捲線構造，其特徵為：由序列捲繞的前頭捲繞部分、交叉多層捲繞的實捲繞部分、及序列捲繞的尾端捲繞部分所構成之線軸上纏繞有接合線，在該實捲繞部分的兩端形狀所形成的至少一方斜邊，有具有比由線軸端部延伸的下斜邊的仰角更為急陡的仰角的中斜邊或上斜邊的突起部，在該突起部接連波型的鋸齒狀層，並且該上斜邊的頂點的高度比該鋸齒狀層的平均高度更高。
简体摘要：【课题】本发明之目的在提供比迄今紧固力更强，且在输送时的振动等亦不会崩坏的新颖的接合线的卷线构造。此外，本发明之目的在于提供不会浪费线，且可顺利地进行线轴更换作业的接合线的卷线构造。【构成】本发明之接合线的卷线构造，其特征为：由串行卷绕的前头卷绕部分、交叉多层卷绕的实卷绕部分、及串行卷绕的尾端卷绕部分所构成之线轴上缠绕有接合线，在该实卷绕部分的两端形状所形成的至少一方斜边，有具有比由线轴端部延伸的下斜边的仰角更为急陡的仰角的中斜边或上斜边的突起部，在该突起部接连波型的锯齿状层，并且该上斜边的顶点的高度比该锯齿状层的平均高度更高。

3. 发明专利

TW201604981A 表面改質銀鈀合金線的結構审中-公开
简体标题：表面改质银钯合金线的结构
公开(公告)号：TW201604981A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104123525
申请日：2015-07-21
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 劉斌 , LIU, BIN , 安原和彥 , YASUHARA, KAZUHIKO , 千葉淳 , CHIBA, JUN , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/00011 , H01L2924/01046 , H01L2924/01204 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01058 , H01L2924/01032 , H01L2924/01205 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
摘要：【課題】本發明之目的在提供一種即使表面改質銀鈀合金線的被覆材或芯材的種類或線徑被變更，亦無須個別設定接合條件，即可穩定地進行超音波接合且超音波接合時的製程視窗寬度寬的表面改質銀鈀合金線的結構。【構成】本發明之表面改質銀鈀合金線的結構係由芯材和表面改質層構成的表面改質銀鈀合金線的結構，該芯材由純度99.99質量%以上的銀(Ag)及金(Au)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5質量%Pd合金或Ag-1~5質量%Pd-0.05~10質量%(Au或Pt)合金構成，該表面改質層由純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金構成，該表面改質銀鈀合金線的結構的特徵在於，該線表面係連同該芯材的晶界在該線的長邊方向以二十~三十μm寬度的間隔形成交叉的深色環，並且在該芯材的大小的縱長溝內埋設有該表面改質層的表面形態。
简体摘要：【课题】本发明之目的在提供一种即使表面改质银钯合金线的被覆材或芯材的种类或线径被变更，亦无须个别设置接合条件，即可稳定地进行超音波接合且超音波接合时的制程窗口宽度宽的表面改质银钯合金线的结构。【构成】本发明之表面改质银钯合金线的结构系由芯材和表面改质层构成的表面改质银钯合金线的结构，该芯材由纯度99.99质量%以上的银(Ag)及金(Au)、及纯度99.9质量%以上的钯(Pd)所得之Ag-1~5质量%Pd合金或Ag-1~5质量%Pd-0.05~10质量%(Au或Pt)合金构成，该表面改质层由纯度99.99质量%以上的金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)或其合金构成，该表面改质银钯合金线的结构的特征在于，该线表面系连同该芯材的晶界在该线的长边方向以二十~三十μm宽度的间隔形成交叉的深色环，并且在该芯材的大小的纵长沟内埋设有该表面改质层的表面形态。

5. 发明专利

TW201602366A 半導體裝置接合用銅稀薄鎳合金線之構造审中-公开
简体标题：半导体设备接合用铜稀薄镍合金线之构造
公开(公告)号：TW201602366A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103124223
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , LIU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , B21C1/00 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： C22C9/06 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012
摘要：本發明之目的係抑制半導體裝置用銅合金接合線中，產生於線材表層正下方之不規則的肥大氧化層的成長，並提升第二接合性。為達成上述之目的，本發明之半導體裝置用銅合金接合線係由表層、內部氧化層及銅稀薄鎳合金層所構成，且銅稀薄鎳合金的合金組成，係將0.1~1.5質量%的鎳(Ni)均勻固溶於純度99.995質量%以上的高純度銅(Cu)母材；內部氧化層係由使鎳氧化物粒子朝向表層的銅氧化物層正下方內部均勻地微細分散的金屬不足型氧化銅母材所形成；使自由的氧快速移動，以使從表層入侵的氧往內擴散，進而抑制表層正下方的銅氧化物層之不規則的半球狀成長，並提升第二接合性。藉由使內部氧化層的厚度為該表層氧化物層的60倍以上，以確保氧的移動所產生的效果。
简体摘要：本发明之目的系抑制半导体设备用铜合金接合线中，产生于线材表层正下方之不守则的肥大氧化层的成长，并提升第二接合性。为达成上述之目的，本发明之半导体设备用铜合金接合线系由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层所构成，且铜稀薄镍合金的合金组成，系将0.1~1.5质量%的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量%以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层系由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材所形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧往内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层之不守则的半球状成长，并提升第二接合性。借由使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，以确保氧的移动所产生的效果。

6. 发明专利

TW201308434A 高溫半導體元件用平角狀鍍金銅帶审中-公开
简体标题：高温半导体组件用平角状镀金铜带
公开(公告)号：TW201308434A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100127661
申请日：2011-08-04
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 中島伸一郎 , NAKAJIMA, SHINICHIRO , 松尾寬 , MATSUO, HIROSHI , 宮崎兼一 , MIYAZAKI, KENICHI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/52
摘要：提供多處同時連接半導體元件焊墊與鍍鎳(Ni)基板側導腳間之焊帶，能提高超音波接合性及高溫可靠性。由鍍金層及銅芯材構成的鍍金銅帶作為焊帶，有使銅芯材為具有70Hv以下之維氏硬度且純度在99.9%以上之銅(Cu)，以賦予導電性及環套形成性，在氬氣(Ar)等稀有氣體的氛圍氣體下，前述金被覆層在室溫之銅(Cu)芯材狹帶上，藉由磁控管濺鍍以形成細微粒狀結晶組織，使該結晶組織之維氏硬度與芯材及被覆層相同，以防止鋁墊之損傷，同時提高接合性。在稀有氣體的氛圍氣體下磁控濺鍍之金細微結晶組織，係硬度較金塊材高，且呈粒狀組織，藉此，能抑制接合時之熱擴散。
简体摘要：提供多处同时连接半导体组件焊垫与镀镍(Ni)基板侧导脚间之焊带，能提高超音波接合性及高温可靠性。由镀金层及铜芯材构成的镀金铜带作为焊带，有使铜芯材为具有70Hv以下之维氏硬度且纯度在99.9%以上之铜(Cu)，以赋予导电性及环套形成性，在氩气(Ar)等稀有气体的氛围气体下，前述金被覆层在室温之铜(Cu)芯材狭带上，借由磁控管溅镀以形成细微粒状结晶组织，使该结晶组织之维氏硬度与芯材及被覆层相同，以防止铝垫之损伤，同时提高接合性。在稀有气体的氛围气体下磁控溅镀之金细微结晶组织，系硬度较金块材高，且呈粒状组织，借此，能抑制接合时之热扩散。

7. 发明专利

TWI510652B 半導體裝置接合用銅稀薄鎳合金線之構造有权
简体标题：半导体设备接合用铜稀薄镍合金线之构造
公开(公告)号：TWI510652B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103124223
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , LIU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , B21C1/00 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： C22C9/06 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012

8. 发明专利

TWI509089B 超音波接合用純銅合金線的剖面構造有权
简体标题：超音波接合用纯铜合金线的剖面构造
公开(公告)号：TWI509089B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103124224
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 劉斌 , LIU, BIN
IPC分类号： C22C9/00 , B23K20/10 , H01L21/60 , H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203

9. 发明专利

TW201511150A 超聲波焊接用鍍覆銅線之結構审中-公开
简体标题：超声波焊接用镀覆铜线之结构
公开(公告)号：TW201511150A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103119855
申请日：2014-06-09
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 劉斌 , LIU, BIN , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 今泉欣之 , IMAIZUMI, YOSHIYUKI , 永江祐佳 , NAGAE, YUKA , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/60 , B23K35/20
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/85207 , H01L2924/181 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01077 , H01L2924/01045 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/0103
摘要：【課題】本發明旨在提供超聲波焊接用鍍覆銅線之結構，其即使變更鍍覆銅線的鍍覆材料或者芯材的種類、線徑，仍可以在不單獨設定接合條件下即穩定地進行超聲波焊接、且其在超聲波焊接時具有廣的製程窗口範圍。【結構】本發明之結構的特徵在於，其表面形態為該芯材表面成型有沿該接合線的縱向方向的多條卷雲狀槽，該芯材上鍍覆了由抗氧化性比芯材好的貴金屬或合金(以下稱「貴金屬等」)構成的鍍覆材料。
简体摘要：【课题】本发明旨在提供超声波焊接用镀覆铜线之结构，其即使变更镀覆铜线的镀覆材料或者芯材的种类、线径，仍可以在不单独设置接合条件下即稳定地进行超声波焊接、且其在超声波焊接时具有广的制程窗口范围。【结构】本发明之结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该接合线的纵向方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。

10. 发明专利

TW201307589A 高溫半導體元件用平角狀包銀（Ａｇ）銅帶审中-公开
简体标题：高温半导体组件用平角状包银（Ａｇ）铜带
公开(公告)号：TW201307589A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100128905
申请日：2011-08-12
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 中島伸一郎 , NAKAJIMA, SHINICHIRO , 宮崎兼一 , MIYAZAKI, KENICHI , 松尾寬 , MATSUO, HIROSHI
IPC分类号： C22F1/08 , C22F1/14 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45014 , H01L2224/45033 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45639 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：提高高溫半導體元件用包銀銅帶與焊墊電極界面之接合可靠性，抑制包層界面之包覆層剝離。一種包銀銅帶，係由高純度銀包覆層及高純度銅芯材狹帶所構成，其特徵在於：在包層加工後，於450～750℃熱處理，以消除包覆層之加工組織，藉此，抑制在接合時，形成於焊墊界面之包覆層的由高應變細微結晶組織所構成之加工組織發展，減少與包覆層其他部分之硬度差，以防止龜裂產生，同時在高溫使用環境下，形成細微之粒狀結晶組織，抑制來自焊墊層之鋁等之擴散，抑制焊墊界面及包層界面之金屬間化合物生成，提高接合強度及可靠性。
简体摘要：提高高温半导体组件用包银铜带与焊垫电极界面之接合可靠性，抑制包层界面之包覆层剥离。一种包银铜带，系由高纯度银包覆层及高纯度铜芯材狭带所构成，其特征在于：在包层加工后，于450～750℃热处理，以消除包覆层之加工组织，借此，抑制在接合时，形成于焊垫界面之包覆层的由高应变细微结晶组织所构成之加工组织发展，减少与包覆层其他部分之硬度差，以防止龟裂产生，同时在高温使用环境下，形成细微之粒状结晶组织，抑制来自焊垫层之铝等之扩散，抑制焊垫界面及包层界面之金属间化合物生成，提高接合强度及可靠性。

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