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1. 发明专利

TWI419360B 具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法有权
简体标题：具有绝缘层之固晶发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI419360B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097130598
申请日：2008-08-11
申请人：璨圓光電股份有限公司 , FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：馮輝慶 , 黃國欽 , 潘錫明 , 潘宏立 , 朱胤丞
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556

2. 发明专利

TWI491074B 氮化物系半導體發光元件有权
简体标题：氮化物系半导体发光组件
公开(公告)号：TWI491074B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW097137795
申请日：2008-10-01
申请人：璨圓光電股份有限公司 , FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 , 潘錫明 , 潘宏立 , 黃政國 , 鄭惟綱 , 丁逸聖
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20

3. 发明专利

TW201007980A 具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：具有绝缘层之固晶发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201007980A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW097130598
申请日：2008-08-11
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：馮輝慶 , 黃國欽 , 潘錫明 , 潘宏立 , 朱胤丞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：本發明係有關於一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其包含一透明基板、一第一發光單元、一第二發光單元、一絕緣層與一導電層，第一發光單元與第二發光單元設置於透明基板上，其中第二發光單元具有階梯狀結構之外觀，絕緣層設置於第一發光單元與第二發光單元之間，導電層設置於該絕緣層上，以讓導電層電性耦接該第一發光單元與該第二發光單元，如此本發明利用第二發光單元具有階梯狀結構之外觀，以提高絕緣層設置於發光單元上的披覆性，並提高絕緣層之絕緣效果，而避免絕緣層鬆脫或滑動導致漏電。
简体摘要：本发明系有关于一种具有绝缘层之固晶发光设备及其制造方法，其包含一透明基板、一第一发光单元、一第二发光单元、一绝缘层与一导电层，第一发光单元与第二发光单元设置于透明基板上，其中第二发光单元具有阶梯状结构之外观，绝缘层设置于第一发光单元与第二发光单元之间，导电层设置于该绝缘层上，以让导电层电性耦接该第一发光单元与该第二发光单元，如此本发明利用第二发光单元具有阶梯状结构之外观，以提高绝缘层设置于发光单元上的披覆性，并提高绝缘层之绝缘效果，而避免绝缘层松脱或滑动导致漏电。

4. 发明专利

TWI371098B 堆疊發光二極體晶片之結構及其製造方法有权
简体标题：堆栈发光二极管芯片之结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI371098B
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：TW097131036
申请日：2008-08-14
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃國欽 , 馮輝慶 , 潘錫明 , 潘宏立 , 朱胤丞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/14
摘要：本發明係有關於一種堆疊發光二極體晶片之結構及其製造方法，將一覆晶式發光二極體晶片設置於一第一半導體磊晶層與一第二半導體磊晶層之中間，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層係共用一基板，其中，該覆晶式發光二極體晶片之電極係直接與該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之電極做電性相接，藉此以提高發光面積。
简体摘要：本发明系有关于一种堆栈发光二极管芯片之结构及其制造方法，将一覆晶式发光二极管芯片设置于一第一半导体磊晶层与一第二半导体磊晶层之中间，该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层系共享一基板，其中，该覆晶式发光二极管芯片之电极系直接与该第一半导体磊晶层与该第二半导体磊晶层之电极做电性相接，借此以提高发光面积。

5. 发明专利

TWI377663B 交流發光裝置有权
简体标题：交流发光设备
公开(公告)号：TWI377663B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW097133955
申请日：2008-09-04
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：馮輝慶 , 黃國欽 , 潘錫明 , 潘宏立
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2224/4847 , H01L2224/49107 , Y10S257/918
摘要：本發明為一種交流發光裝置，其包含一基板與複數發光單元，其中該複數發光單元設置於基板上，該複數發光單元由下而上包含一第一半導體層、一發光層與一第二半導體層，以及至少一第一電極與至少一第二電極分別設置第一半導體層與第二半導體層上，該複數發光單元分別透過複數導線耦接相鄰之至少一該發光單元。本發明係藉由本發明之該複數發光單元更藉由複數導線耦接相鄰之至少一發光單元，以避免該交流發光裝置因其中一導線斷線而導致開路之問題。
简体摘要：本发明为一种交流发光设备，其包含一基板与复数发光单元，其中该复数发光单元设置于基板上，该复数发光单元由下而上包含一第一半导体层、一发光层与一第二半导体层，以及至少一第一电极与至少一第二电极分别设置第一半导体层与第二半导体层上，该复数发光单元分别透过复数导线耦接相邻之至少一该发光单元。本发明系借由本发明之该复数发光单元更借由复数导线耦接相邻之至少一发光单元，以避免该交流发光设备因其中一导线断线而导致开路之问题。

6. 发明专利

TW201011890A 交流發光裝置审中-公开
简体标题：交流发光设备
公开(公告)号：TW201011890A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097133955
申请日：2008-09-04
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：馮輝慶 , 黃國欽 , 潘錫明 , 潘宏立
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2224/4847 , H01L2224/49107 , Y10S257/918
摘要：本發明為一種交流發光裝置，其包含一基板與複數發光單元，其中該複數發光單元設置於基板上，該複數發光單元由下而上包含一第一半導體層、一發光層與一第二半導體層，以及至少一第一電極與至少一第二電極分別設置第一半導體層與第二半導體層上，該複數發光單元分別透過複數導線耦接相鄰之至少一該發光單元。本發明係藉由本發明之該複數發光單元更藉由複數導線耦接相鄰之至少一發光單元，以避免該交流發光裝置因其中一導線斷線而導致開路之問題。
简体摘要：本发明为一种交流发光设备，其包含一基板与复数发光单元，其中该复数发光单元设置于基板上，该复数发光单元由下而上包含一第一半导体层、一发光层与一第二半导体层，以及至少一第一电极与至少一第二电极分别设置第一半导体层与第二半导体层上，该复数发光单元分别透过复数导线耦接相邻之至少一该发光单元。本发明系借由本发明之该复数发光单元更借由复数导线耦接相邻之至少一发光单元，以避免该交流发光设备因其中一导线断线而导致开路之问题。

7. 发明专利

TW201015744A 氮化物系半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化物系半导体发光组件
公开(公告)号：TW201015744A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW097137795
申请日：2008-10-01
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃國欽 , 潘錫明 , 潘宏立 , 黃政國 , 鄭惟綱 , 丁逸聖
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要：本發明係有關於一種氮化物系半導體發光元件，該發光元件包含一發光磊晶層、一P型電極及一N型電極，該P型電極及該N型電極設於該發光磊晶層，本發明之特徵在於該N型電極設於該P型電極內側，該P型電極沿著該發光磊晶層之邊緣向該N型電極呈輻射狀延伸，該N型電極沿著該P型電極之內側向內呈輻射狀延伸。本發明之該發光元件透過特殊的電極圖案設計，以增加該發光元件之發光面積。
简体摘要：本发明系有关于一种氮化物系半导体发光组件，该发光组件包含一发光磊晶层、一P型电极及一N型电极，该P型电极及该N型电极设于该发光磊晶层，本发明之特征在于该N型电极设于该P型电极内侧，该P型电极沿着该发光磊晶层之边缘向该N型电极呈辐射状延伸，该N型电极沿着该P型电极之内侧向内呈辐射状延伸。本发明之该发光组件透过特殊的电极图案设计，以增加该发光组件之发光面积。

8. 发明专利

TW201007922A 堆疊發光二極體晶片之結構及其製造方法审中-公开
简体标题：堆栈发光二极管芯片之结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201007922A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW097131036
申请日：2008-08-14
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃國欽 , 馮輝慶 , 潘錫明 , 潘宏立 , 朱胤丞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/14
摘要：本發明係有關於一種堆疊發光二極體晶片之結構及其製造方法，將一覆晶式發光二極體晶片設置於二半導體磊晶層之中間，該半導體磊晶層係共用一基板，其中，該覆晶式發光二極體晶片之電極係直接與該二半導體磊晶層之電極做電性相接，藉此以提高發光面積。
简体摘要：本发明系有关于一种堆栈发光二极管芯片之结构及其制造方法，将一覆晶式发光二极管芯片设置于二半导体磊晶层之中间，该半导体磊晶层系共享一基板，其中，该覆晶式发光二极管芯片之电极系直接与该二半导体磊晶层之电极做电性相接，借此以提高发光面积。

9. 外观设计

TWD132955S 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWD132955S
公开(公告)日：2010-01-11
申请号：TW097303346
申请日：2008-06-06
申请人：璨圓光電股份有限公司
设计人：黃國欽 , 邱筱珮 , 潘宏立 , 黃政國
摘要：【物品用途】本創作係有關於一種發光二極體之外觀設計，特別是關於一種可便於辨認且兼顧視覺效果的發光二極體之電路花紋設計。【創作特點】如圖所示，本創作發光二極體之外觀設計是在一基體上呈現P型電極與N型電極之斜狀對應及相互臂紋夾合包容之狀態，該P型電極略呈一圓形片狀，並具有一對外臂電路紋及一對內臂電路紋，該對外臂電路紋係由P型電極之兩側呈垂向延伸出，然後再各自呈垂向轉折，使成一合抱狀，該對外臂電路紋之末端係具有一弧端而呈封閉之狀態，且其封閉端係呈對角方式對應該P型電極；該對內臂電路紋係由P型電極向N型電極方向延伸出，在經適當長度後呈垂向之兩側延伸分展，然後再各自呈垂向轉折一小段長度，使成一對應該N型電極之夾口狀；該N型電極略呈一圓形片狀，並具有一對端臂電路紋，該對端臂電路紋係由N型電極之兩側呈垂向延伸出，然後再各自呈垂向轉折，使成一包合該內臂電路紋之合抱狀，而使整體呈現既對應又相互包容之紋路視覺感受。
另，本創作在該P型電極、N型電極、外臂電路紋、內臂電路紋及端臂電路紋側邊也可以進一步覆以透明導電層。
本創作於整體視覺上將呈現賦有靜動平衡與包容協調之視覺意象，表現出電子科技產品之內函質感，如此可充分讓業界感受到本創作為一種新穎之外觀造型設計，以充分感受設計意向及高品質研發之視覺辨認效果。
綜上所述，本創作實具有創作性及新穎性，完全符合新式樣專利申請之法定要件，爰依法提出新式樣專利申請，祈鈞局早日賜准專利，實感德便。
简体摘要：【物品用途】本创作系有关于一种发光二极管之外观设计，特别是关于一种可便于辨认且兼顾视觉效果的发光二极管之电路花纹设计。【创作特点】如图所示，本创作发光二极管之外观设计是在一基体上呈现P型电极与N型电极之斜状对应及相互臂纹夹合包容之状态，该P型电极略呈一圆形片状，并具有一对外臂电路纹及一对内臂电路纹，该对外臂电路纹系由P型电极之两侧呈垂向延伸出，然后再各自呈垂向转折，使成一合抱状，该对外臂电路纹之末端系具有一弧端而呈封闭之状态，且其封闭端系呈对角方式对应该P型电极；该对内臂电路纹系由P型电极向N型电极方向延伸出，在经适当长度后呈垂向之两侧延伸分展，然后再各自呈垂向转折一小段长度，使成一对应该N型电极之夹口状；该N型电极略呈一圆形片状，并具有一对端臂电路纹，该对端臂电路纹系由N型电极之两侧呈垂向延伸出，然后再各自呈垂向转折，使成一包合该内臂电路纹之合抱状，而使整体呈现既对应又相互包容之纹路视觉感受。另，本创作在该P型电极、N型电极、外臂电路纹、内臂电路纹及端臂电路纹侧边也可以进一步覆以透明导电层。本创作于整体视觉上将呈现赋有静动平衡与包容协调之视觉意象，表现出电子科技产品之内函质感，如此可充分让业界感受到本创作为一种新颖之外观造型设计，以充分感受设计意向及高品质研发之视觉辨认效果。综上所述，本创作实具有创作性及新颖性，完全符合新式样专利申请之法定要件，爰依法提出新式样专利申请，祈钧局早日赐准专利，实感德便。

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