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1. 发明专利

TWI453436B 積體電路可靠度測試方法有权
简体标题：集成电路可靠度测试方法
公开(公告)号：TWI453436B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW101116024
申请日：2012-05-04
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 , RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃耀生 , HUANG, YAO SHENG , 謝其文 , HSIEH, CHI WEN
IPC分类号： G01R31/28

2. 发明专利

TWI469205B 積體電路晶圓以及積體電路晶圓切割方法有权
简体标题：集成电路晶圆以及集成电路晶圆切割方法
公开(公告)号：TWI469205B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098138614
申请日：2009-11-13
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 , RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃耀生 , HUANG, YAO SHENG
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/14 , H01L2924/1515 , H01L2924/19041 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201346290A 積體電路可靠度測試方法审中-公开
简体标题：集成电路可靠度测试方法
公开(公告)号：TW201346290A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101116024
申请日：2012-05-04
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 , RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃耀生 , HUANG, YAO SHENG , 謝其文 , HSIEH, CHI WEN
IPC分类号： G01R31/28
摘要：本發明提供一種積體電路可靠度測試方法，包含下列步驟：於晶圓基板形成複數個積體電路；將晶圓基板置入測試裝置，使複數個積體電路與測試裝置之測試電路耦接；提供測試條件給測試機台，測試條件包含常態操作溫度、壓力操作溫度、常態操作電壓、壓力操作電壓、活化能以及機台參數；使用測試機台以測試條件同時地對複數個積體電路進行測試，並持續測試時間；當複數個積體電路經過測試時間仍全部正確運作時，提供信心參數值；以及根據測試條件包含之各條件之數值以及信心參數值獲得積體電路預估壽命。
简体摘要：本发明提供一种集成电路可靠度测试方法，包含下列步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路；将晶圆基板置入测试设备，使复数个集成电路与测试设备之测试电路耦接；提供测试条件给测试机台，测试条件包含常态操作温度、压力操作温度、常态操作电压、压力操作电压、活化能以及机台参数；使用测试机台以测试条件同时地对复数个集成电路进行测试，并持续测试时间；当复数个集成电路经过测试时间仍全部正确运作时，提供信心参数值；以及根据测试条件包含之各条件之数值以及信心参数值获得集成电路预估寿命。

4. 发明专利

TWI352408B 晶片、晶片製造方法以及晶片封裝結構 CHIP, CHIP MANUFACTURING METHOD, AND CHIP PACKAGING STRUCTURE 有权
简体标题：芯片、芯片制造方法以及芯片封装结构 CHIP, CHIP MANUFACTURING METHOD, AND CHIP PACKAGING STRUCTURE
公开(公告)号：TWI352408B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW096148687
申请日：2007-12-19
申请人：瑞鼎科技股份有限公司
发明人：周忠誠 , 徐嘉宏 , 王威 , 陳進勇 , 黃耀生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭露一種晶片、晶片製造方法以及晶片封裝結構。該晶片包含具有一功能區之一第一面以及相對於該第一面之一第二面。該第一面以及該第二面其中之至少一的至少部分區域經由蝕刻形成一散熱結構。該散熱結構增加與外界空氣或與一基材之接觸面積，致使該晶片於操作時產生之熱量能有效地傳導至外界空氣或該基材。藉此，該晶片具有高散熱率並且其重量不增加。
简体摘要：本发明揭露一种芯片、芯片制造方法以及芯片封装结构。该芯片包含具有一功能区之一第一面以及相对于该第一面之一第二面。该第一面以及该第二面其中之至少一的至少部分区域经由蚀刻形成一散热结构。该散热结构增加与外界空气或与一基材之接触面积，致使该芯片于操作时产生之热量能有效地传导至外界空气或该基材。借此，该芯片具有高散热率并且其重量不增加。

5. 发明专利

TW201140777A 一種積體電路晶片及其製造方法 IC CHIP AND AN IC CHIP MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：一种集成电路芯片及其制造方法 IC CHIP AND AN IC CHIP MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201140777A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099114169
申请日：2010-05-04
申请人：瑞鼎科技股份有限公司
发明人：黃耀生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/11831 , H01L2224/11845 , H01L2224/13076 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13169 , H01L2224/1319 , H01L2224/13553 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種積體電路晶片及其製造方法。積體電路晶片包含晶片本體以及至少一導電凸塊。晶片本體表面具有至少一導電區。導電凸塊形成於導電區之上。導電凸塊包含複數個突出物以及至少一導電物。複數個突出物彼此相隔地突出於導電區之上。導電物覆蓋突出物，且與導電區電連接。方法包含(A)提供晶片本體，表面具有至少一導電區；(B)於晶片本體形成複數個突出物，彼此相隔地突出於導電區之上；以及(C)形成至少一導電物，覆蓋複數個突出物，且與導電區電連接。
简体摘要：本发明提供一种集成电路芯片及其制造方法。集成电路芯片包含芯片本体以及至少一导电凸块。芯片本体表面具有至少一导电区。导电凸块形成于导电区之上。导电凸块包含复数个突出物以及至少一导电物。复数个突出物彼此相隔地突出于导电区之上。导电物覆盖突出物，且与导电区电连接。方法包含(A)提供芯片本体，表面具有至少一导电区；(B)于芯片本体形成复数个突出物，彼此相隔地突出于导电区之上；以及(C)形成至少一导电物，覆盖复数个突出物，且与导电区电连接。

6. 发明专利

TW201117336A 於導電點間提供絕緣保護的電子晶片與基板 ELECTRONIC CHIP AND SUBSTRATE PROVIDING INSULATION PROTECTION BETWEEN CONDUCTING NODES 审中-公开
简体标题：于导电点间提供绝缘保护的电子芯片与基板 ELECTRONIC CHIP AND SUBSTRATE PROVIDING INSULATION PROTECTION BETWEEN CONDUCTING NODES
公开(公告)号：TW201117336A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW098137546
申请日：2009-11-05
申请人：瑞鼎科技股份有限公司
发明人：黃耀生 , 楊景榮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/323 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L2224/10126 , H01L2224/10135 , H01L2224/16225 , H01L2224/26122 , H01L2224/26135 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/83101 , H01L2224/83139 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/10157 , H05K3/3452 , H05K2201/09909 , H05K2201/10674 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種電子晶片，其中包含複數個導電接腳與複數個絕緣凸塊。該等導電接腳係設置於該電子晶片之一外表面，用以提供該電子晶片與一外部電路間之複數個電性連接。該複數個絕緣凸塊係設置於該等導電接腳中兩兩相鄰的導電接腳之間。
简体摘要：本发明提供一种电子芯片，其中包含复数个导电接脚与复数个绝缘凸块。该等导电接脚系设置于该电子芯片之一外表面，用以提供该电子芯片与一外部电路间之复数个电性连接。该复数个绝缘凸块系设置于该等导电接脚中两两相邻的导电接脚之间。

7. 发明专利

TWI447895B 半導體電路有权
简体标题：半导体电路
公开(公告)号：TWI447895B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW098111821
申请日：2009-04-09
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 , RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃耀生 , HUANG, YAO SHENG , 楊景榮 , YANG, CHING JUNG
IPC分类号： H01L27/04

8. 发明专利

TW201137960A 積體電路晶圓切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD 审中-公开
简体标题：集成电路晶圆切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD
公开(公告)号：TW201137960A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099112292
申请日：2010-04-20
申请人：瑞鼎科技股份有限公司
发明人：黃耀生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78
摘要：本發明提供一種積體電路晶圓切割方法,包含以下步驟:於晶圓基板形成複數個積體電路;於積體電路上方形成圖案化保護層;以及使用圖案化保護層做為遮罩,蝕刻穿晶圓基板,以形成複數個積體電路晶粒。其中,圖案化保護層較佳係光阻。圖案化保護層之形成步驟包含:形成光阻層以覆蓋晶圓基板;使用光罩,對光阻層進行曝光;以及對光阻層進行顯影,以形成圖案化保護層。蝕刻步驟包含使用乾式或濕式蝕刻製程。
简体摘要：本发明提供一种集成电路晶圆切割方法,包含以下步骤:于晶圆基板形成复数个集成电路;于集成电路上方形成图案化保护层;以及使用图案化保护层做为遮罩,蚀刻穿晶圆基板,以形成复数个集成电路晶粒。其中,图案化保护层较佳系光阻。图案化保护层之形成步骤包含:形成光阻层以覆盖晶圆基板;使用光罩,对光阻层进行曝光;以及对光阻层进行显影,以形成图案化保护层。蚀刻步骤包含使用干式或湿式蚀刻制程。

9. 发明专利

TW201117277A 積體電路晶圓以及積體電路晶圓切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER AND DICING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：集成电路晶圆以及集成电路晶圆切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER AND DICING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201117277A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW098138614
申请日：2009-11-13
申请人：瑞鼎科技股份有限公司
发明人：黃耀生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/14 , H01L2924/1515 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
摘要：一種積體電路晶圓以及一種積體電路晶圓切割方法。積體電路晶圓包含晶圓基板、複數個積體電路、複數個測試鍵、保護層以及複數條溝槽。積體電路以矩陣分佈方式形成於晶圓基板上。測試鍵分別形成於積體電路之間。保護層覆蓋晶圓基板之積體電路之一側。溝槽以自保護層表面向下延伸之方式形成於積體電路及測試鍵之間。積體電路晶圓切割方法包含：於晶圓基板上形成積體電路以及測試鍵；形成保護層；形成複數條溝槽；以及施外力於保護層在兩並排相鄰之溝槽所夾之區域，使晶圓基板沿兩並排相鄰溝槽至少其中之一之底部向下沿晶圓基板之晶格分離。
简体摘要：一种集成电路晶圆以及一种集成电路晶圆切割方法。集成电路晶圆包含晶圆基板、复数个集成电路、复数个测试键、保护层以及复数条沟槽。集成电路以矩阵分布方式形成于晶圆基板上。测试键分别形成于集成电路之间。保护层覆盖晶圆基板之集成电路之一侧。沟槽以自保护层表面向下延伸之方式形成于集成电路及测试键之间。集成电路晶圆切割方法包含：于晶圆基板上形成集成电路以及测试键；形成保护层；形成复数条沟槽；以及施外力于保护层在两并排相邻之沟槽所夹之区域，使晶圆基板沿两并排相邻沟槽至少其中之一之底部向下沿晶圆基板之晶格分离。

10. 发明专利

TW201037814A 半導體電路 SEMICONDUCTOR CIRCUIT 审中-公开
简体标题：半导体电路 SEMICONDUCTOR CIRCUIT
公开(公告)号：TW201037814A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098111821
申请日：2009-04-09
申请人：瑞鼎科技股份有限公司
发明人：黃耀生 , 楊景榮
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提出一種半導體電路。半導體電路包含基材、介電層、多晶矽層以及電壓源線。介電層設置於基材上。多晶矽層設置於介電層上。多晶矽層其具有第一摻雜區、第二摻雜區以及介於第一摻雜區與第二摻雜區之間的本質區。電壓源線通過多晶矽層上方。多晶矽層透過第一摻雜區、第二摻雜區以及本質區形成穩壓電容，穩壓電容用以對應穩定該電壓源線之通過電壓，進而提高半導體電路的穩定性。
简体摘要：本发明提出一种半导体电路。半导体电路包含基材、介电层、多晶硅层以及电压源线。介电层设置于基材上。多晶硅层设置于介电层上。多晶硅层其具有第一掺杂区、第二掺杂区以及介于第一掺杂区与第二掺杂区之间的本质区。电压源线通过多晶硅层上方。多晶硅层透过第一掺杂区、第二掺杂区以及本质区形成稳压电容，稳压电容用以对应稳定该电压源线之通过电压，进而提高半导体电路的稳定性。

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