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1. 发明专利

TW507125B 具有複數個記憶體模組之同步半導體記憶體裝置失效
简体标题：具有复数个内存模块之同步半导体内存设备
公开(公告)号：TW507125B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW087121923
申请日：1998-12-29
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：崔周善 , 尹錫徹
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G11C7/1066 , G11C7/1006
摘要：揭示一種具有資料選通遮罩功能之晶片組記憶體控制器。此控制器包括第一至第N記憶體模組，其係以從晶片記憶體控制器輸出的時脈信號而同步操作，從而從各記憶體模組輸出的資料係藉由從晶片組記憶體控制器模組輸出的資料遮罩信號而加以遮罩，且從各記憶體模組輸出的資料之操作係藉由從各記憶體模組輸出的資料選通信號加以控制，由是藉由額外地於DDR SDRAM安裝一針腳，並且遮罩資料選通信號而實施DQM功能之逆相容性。
简体摘要：揭示一种具有数据选通遮罩功能之芯片组内存控制器。此控制器包括第一至第N内存模块，其系以从芯片内存控制器输出的时脉信号而同步操作，从而从各内存模块输出的数据系借由从芯片组内存控制器模块输出的数据遮罩信号而加以遮罩，且从各内存模块输出的数据之操作系借由从各内存模块输出的数据选通信号加以控制，由是借由额外地于DDR SDRAM安装一针脚，并且遮罩数据选通信号而实施DQM功能之逆兼容性。

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