专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI672388B 用於氣相沉積設備之反應腔室有权
简体标题：用于气相沉积设备之反应腔室
公开(公告)号：TWI672388B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107121309
申请日：2018-06-21
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：梁祐笙 , LIANG, STEVEN , 邱建欽 , CHIU, CHIEN-CHIN , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 大石隆宏 , TAKAHIRO, OISHI , 須田昇 , NOBORU, SUDA , 米野純次 , JUNJI, KOMENO
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/458 , F28F13/06 , H01L21/67

2. 发明专利

TWI682059B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI682059B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107135823
申请日：2018-10-11
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 陳哲霖 , CHEN, CHE-LIN , 劉奕宏 , LIU, YI-HUNG
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52

3. 发明专利

TWI689618B 應用於半導體設備之氣體噴射裝置有权
简体标题：应用于半导体设备之气体喷射设备
公开(公告)号：TWI689618B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107135096
申请日：2018-10-04
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 黃健寶 , WONG, KIAN-POH , 米野純次 , JUNJI, KOMENO
IPC分类号： C23C16/455

4. 发明专利

TW202014551A 應用於半導體設備之氣體噴射裝置审中-公开
简体标题：应用于半导体设备之气体喷射设备
公开(公告)号：TW202014551A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107135096
申请日：2018-10-04
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 黃健寶 , WONG, KIAN-POH , 米野純次 , JUNJI, KOMENO
IPC分类号： C23C16/455
摘要：一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其包含底板、通道蓋板及設於底板與通道蓋板之間的至少一中隔板。中隔板的頂面或底面具有多個分離的凹陷，因而於水平方向與垂直方向定義出分隔的多種排氣口。
简体摘要：一种应用于半导体设备之气体喷射设备，其包含底板、信道盖板及设于底板与信道盖板之间的至少一中隔板。中隔板的顶面或底面具有多个分离的凹陷，因而于水平方向与垂直方向定义出分隔的多种排气口。

5. 发明专利

TWI675119B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI675119B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107105127
申请日：2018-02-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/54

6. 发明专利

TW201817911A 應用於沉積系統的氣體分配裝置审中-公开
简体标题：应用于沉积系统的气体分配设备
公开(公告)号：TW201817911A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135390
申请日：2016-11-01
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：米野純次 , JUNJI, KOMENO , 須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , TAKAHIRO, OISHI , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG
IPC分类号： C23C16/455
摘要：本發明揭露一種反應室中之氣體分配裝置或噴射器，包含複數大致平行擴散板以及至少一具有斜面與大致平坦頂面或斜面之凸塊，以水平引入至少二不同反應氣體分別進入反應室，以藉由避免反向擴散防止因反應氣體於低溫混合所形成之加合物的凝結。同時由於凸塊之斜面使反應氣體不會出現任何渦流或亂流
简体摘要：本发明揭露一种反应室中之气体分配设备或喷射器，包含复数大致平行扩散板以及至少一具有斜面与大致平坦顶面或斜面之凸块，以水平引入至少二不同反应气体分别进入反应室，以借由避免反向扩散防止因反应气体于低温混合所形成之加合物的凝结。同时由于凸块之斜面使反应气体不会出现任何涡流或乱流

7. 发明专利

TW201840887A 氣相成膜裝置审中-公开
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TW201840887A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105127
申请日：2018-02-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要：本發明之課題，將提供一種可抑制（或降低）對向面之沉積物之氣相成膜裝置。本發明之課題，氣相成膜裝置10，係就由用來保持成膜用基板14之承載座12及與該承載座12對向之對向面20，往水平方向形成一流體通道40。於該流體通道40，設置一材料氣體導入口42；材料氣體導及吹掃氣體之排出口48。於該對向面20，設置複數個吹掃氣體噴嘴36，且分割成複數個吹掃區域PE1~PE3。於各吹掃區域PE1~PE3，其中於各吹掃區域設置用來調整流量之質量流量控制器（MFC）52A~52C，62A~62C。且，於各吹掃區域PE1~PE3，以該MFC52A~52C，62A~62C來控制吹掃氣體之質量流量。
简体摘要：本发明之课题，将提供一种可抑制（或降低）对向面之沉积物之气相成膜设备。本发明之课题，气相成膜设备10，系就由用来保持成膜用基板14之承载座12及与该承载座12对向之对向面20，往水平方向形成一流体信道40。于该流体信道40，设置一材料气体导入口42；材料气体导及吹扫气体之排出口48。于该对向面20，设置复数个吹扫气体喷嘴36，且分割成复数个吹扫区域PE1~PE3。于各吹扫区域PE1~PE3，其中于各吹扫区域设置用来调整流量之质量流量控制器（MFC）52A~52C，62A~62C。且，于各吹扫区域PE1~PE3，以该MFC52A~52C，62A~62C来控制吹扫气体之质量流量。

8. 发明专利

TWI612176B 應用於沉積系統的氣體分配裝置有权
简体标题：应用于沉积系统的气体分配设备
公开(公告)号：TWI612176B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105135390
申请日：2016-11-01
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：米野純次 , JUNJI, KOMENO , 須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , TAKAHIRO, OISHI , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/45576 , C23C16/46

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式