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1. 发明专利

TWI398024B 發光媒體有权
简体标题：发光媒体
公开(公告)号：TWI398024B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098133682
申请日：2009-10-05
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：史陶斯彼得 , STAUSS, PETER , 溫迪屈瑞納 , WINDISCH, REINER , 鮑曼法蘭克 , BAUMANN, FRANK , 彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/50 , H01S5/40
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201025679A 發光手段 LIGHTING MEANS 审中-公开
简体标题：发光手段 LIGHTING MEANS
公开(公告)号：TW201025679A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098133682
申请日：2009-10-05
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：史陶斯彼得 , 溫迪屈瑞納 , 鮑曼法蘭克 , 彼得馬修斯
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：在發光媒體(1)之至少一實施形式中,該發光媒體(1)包括:至少一光電半導體構件(2),其在操作時發出至少一第一波長(L1)和至少一第二波長(L2)之電磁輻射,其中第一波長(L1)和第二波長(L2)互不相同且小於500奈米,特別是位於200奈米和500奈米之間。又,該發光媒體(1)包括至少一轉換媒體(3),其將第一波長(L1)之電磁輻射之至少一部份轉換成另一頻率之波長,使由該發光媒體(1)在操作時所發出之輻射光譜近似於黑體輻射光譜。藉由此種發光媒體,則可選擇第一波長和第二波長,以便該發光媒體可同時實現高的彩色再現性和高的效率。
简体摘要：在发光媒体(1)之至少一实施形式中,该发光媒体(1)包括:至少一光电半导体构件(2),其在操作时发出至少一第一波长(L1)和至少一第二波长(L2)之电磁辐射,其中第一波长(L1)和第二波长(L2)互不相同且小于500奈米,特别是位于200奈米和500奈米之间。又,该发光媒体(1)包括至少一转换媒体(3),其将第一波长(L1)之电磁辐射之至少一部份转换成另一频率之波长,使由该发光媒体(1)在操作时所发出之辐射光谱近似于黑体辐射光谱。借由此种发光媒体,则可选择第一波长和第二波长,以便该发光媒体可同时实现高的彩色再现性和高的效率。

3. 发明专利

TW201115785A 具有量子阱結構之光電半導體本體 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY WITH A QUANTUM WELL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：具有量子阱结构之光电半导体本体 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY WITH A QUANTUM WELL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201115785A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099123097
申请日：2010-07-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：布登迪契雷納 , 歐夫爵根 , 彼得馬修斯 , 瓦特亞歷山大 , 高哲也 , 梅爾托拜西
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347
摘要：一種光電半導體本體,包含半導體材料,其由第一成份和一與第一成份不同的第二成份所組成。此光電半導體本體具有一配置在n-導電層(1)和p-導電層(5)之間的量子阱結構。此量子阱結構包括以下的元件:個別的量子阱層(31)或層堆疊(3),其由多個量子阱層(31)和至少一個障壁層(32)所構成,其中分別在二個上下重疊之量子阱層(31)之間配置一個障壁層(32),其鄰接於二個量子阱層(31);n-側連接層(2),其鄰接於該n-導電層(1)和該個別的量子阱層(31)或該層堆疊(3);以及p-側連接層(4),其配置在該p-導電層(5)和該個別的量子阱層(31)或該層堆疊(3)之間且鄰接於該層堆疊(3)或該個別的量子阱層(31)。
简体摘要：一种光电半导体本体,包含半导体材料,其由第一成份和一与第一成份不同的第二成份所组成。此光电半导体本体具有一配置在n-导电层(1)和p-导电层(5)之间的量子阱结构。此量子阱结构包括以下的组件:个别的量子阱层(31)或层堆栈(3),其由多个量子阱层(31)和至少一个障壁层(32)所构成,其中分别在二个上下重叠之量子阱层(31)之间配置一个障壁层(32),其邻接于二个量子阱层(31);n-侧连接层(2),其邻接于该n-导电层(1)和该个别的量子阱层(31)或该层堆栈(3);以及p-侧连接层(4),其配置在该p-导电层(5)和该个别的量子阱层(31)或该层堆栈(3)之间且邻接于该层堆栈(3)或该个别的量子阱层(31)。

4. 发明专利

TWI440216B 具有量子阱結構之光電半導體本體有权
简体标题：具有量子阱结构之光电半导体本体
公开(公告)号：TWI440216B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW099123097
申请日：2010-07-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 歐夫爵根 , OFF, JUERGEN , 彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS , 瓦特亞歷山大 , WALTER, ALEXANDER , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS
IPC分类号： H01L33/06 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347

5. 发明专利

TW201248912A 具有積體式靜電放電保護的發出輻射之半導體晶片 RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP WITH INTEGRATED ESD PROTECTION 审中-公开
简体标题：具有积体式静电放电保护的发出辐射之半导体芯片 RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP WITH INTEGRATED ESD PROTECTION
公开(公告)号：TW201248912A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101115037
申请日：2012-04-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：羅夫勒安德烈斯 , 萊羅克里斯丁 , 布登迪契雷納 , 梅爾托拜西 , 彼得馬修斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要：一種發出輻射之半導體晶片(1),具有以氮化物-化合物半導體材料為主之半導體層序列(2),此半導體層序列(2)具有pn-接面,且包括:-第一保護層(3),其具有適當地引入之晶體缺陷(4),該第一保護層(3)用來保護該半導體晶片(1)使不受靜電放電脈波的影響,-用來產生輻射之活性區(7),其在生長方向(W)中配置在該第一保護層(3、5)之後,其中在該半導體晶片(1)操作時該半導體層序列(2)在截止方向中之擊穿特性在具有晶體缺陷(4)之區域中不同於不具有晶體缺陷之區域中者,且在靜電放電脈波中電荷均勻地分佈在具有晶體缺陷(4)之區域上而排出。
简体摘要：一种发出辐射之半导体芯片(1),具有以氮化物-化合物半导体材料为主之半导体层串行(2),此半导体层串行(2)具有pn-接面,且包括:-第一保护层(3),其具有适当地引入之晶体缺陷(4),该第一保护层(3)用来保护该半导体芯片(1)使不受静电放电脉波的影响,-用来产生辐射之活性区(7),其在生长方向(W)中配置在该第一保护层(3、5)之后,其中在该半导体芯片(1)操作时该半导体层串行(2)在截止方向中之击穿特性在具有晶体缺陷(4)之区域中不同于不具有晶体缺陷之区域中者,且在静电放电脉波中电荷均匀地分布在具有晶体缺陷(4)之区域上而排出。

6. 发明专利

TW201135976A 光電半導體晶片及ALGAN 系中間層之應用 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND USE OF AN ALGAN-BASED INTERLAYER 审中-公开
简体标题：光电半导体芯片及ALGAN 系中间层之应用 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND USE OF AN ALGAN-BASED INTERLAYER
公开(公告)号：TW201135976A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099146210
申请日：2010-12-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：彼得馬修斯 , 梅爾托拜西 , 曼威瑟尼可勞斯 , 高哲也 , 盧加爾漢斯侏根 , 瓦特亞歷山大
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之光電半導體晶片(100)的至少一實施樣態中,其包含一GaN、InGaN、AlGaN與/或InAlGaN系半導體疊層(1)。此半導體疊層(1)包括一p型摻雜疊層(2)、一n型摻雜疊層(4)與位於p型摻雜疊層(2)與n型摻雜疊層(4)間之一活性區(3)。再者,半導體疊層(1)包含至少一AlxGa1-xN系中間層(5),其中0
简体摘要：本发明之光电半导体芯片(100)的至少一实施样态中,其包含一GaN、InGaN、AlGaN与/或InAlGaN系半导体叠层(1)。此半导体叠层(1)包括一p型掺杂叠层(2)、一n型掺杂叠层(4)与位于p型掺杂叠层(2)与n型掺杂叠层(4)间之一活性区(3)。再者,半导体叠层(1)包含至少一AlxGa1-xN系中间层(5),其中0

7. 发明专利

TWI483421B 具有積體式靜電放電保護的發出輻射之半導體晶片有权
简体标题：具有积体式静电放电保护的发出辐射之半导体芯片
公开(公告)号：TWI483421B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101115037
申请日：2012-04-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：羅夫勒安德烈斯 , LOEFFLER, ANDREAS , 萊羅克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN , 布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/14 , H01L23/60
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32

8. 发明专利

TWI442600B 光電半導體晶片有权
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI442600B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW099146210
申请日：2010-12-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 曼威瑟尼可勞斯 , GMEINWIESER, NIKOLAUS , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 盧加爾漢斯侏根 , LUGAUER, HANS-JUERGEN , 瓦特亞歷山大 , WALTER, ALEXANDER
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI437725B 光電半導體元件有权
简体标题：光电半导体组件
公开(公告)号：TWI437725B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098132633
申请日：2009-09-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：史翠斯保馬丁 , STRASSBURG, MARTIN , 何佩魯茲 , HOEPPEL, LUTZ , 彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS , 森德烏瑞奇 , ZEHNDER, ULRICH , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 利伯安德烈亞 , LEBER, ANDREAS , 布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 布爾湯瑪斯 , BAUER, THOMAS
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/34
CPC分类号： H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201017938A 光電半導體元件 OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
简体标题：光电半导体组件 OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
公开(公告)号：TW201017938A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098132633
申请日：2009-09-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：史翠斯保馬丁 , 何佩魯茲 , 彼得馬修斯 , 森德烏瑞奇 , 高哲也 , 利伯安德烈亞 , 布登迪契雷納 , 布爾湯瑪斯
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種光電半導體元件，具有以氮化物化合物半導體為主之半導體層序列(3)，其包括：n-摻雜區(4)，p-摻雜區(8)和一介於該n-摻雜區(4)和該p-摻雜區(8)之間的活性區(5)，其中該p-摻雜區(8)具有由InxAlyGa1-x-yN，其中0≦x≦1，0≦y≦1且x+y≦1所構成之p-接觸層(7)，其鄰接於一由金屬、金屬合金或透明的導電氧化物所構成的終端層(9)。該p-接觸層(7)在至該終端層(9)之界面上具有Ga-正面-方位之第一區(1)和N-正面-方向之第二區(2)。
简体摘要：一种光电半导体组件，具有以氮化物化合物半导体为主之半导体层串行(3)，其包括：n-掺杂区(4)，p-掺杂区(8)和一介于该n-掺杂区(4)和该p-掺杂区(8)之间的活性区(5)，其中该p-掺杂区(8)具有由InxAlyGa1-x-yN，其中0≦x≦1，0≦y≦1且x+y≦1所构成之p-接触层(7)，其邻接于一由金属、金属合金或透明的导电氧化物所构成的终端层(9)。该p-接触层(7)在至该终端层(9)之界面上具有Ga-正面-方位之第一区(1)和N-正面-方向之第二区(2)。

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