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1. 发明专利

TWI518938B 光電半導體晶片及其製造方法有权
简体标题：光电半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：TWI518938B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW098110038
申请日：2009-03-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：英格卡羅 , ENGL, KARL , 何佩魯茲 , HOEPPEL, LUTZ , 羅德派翠克 , RODE, PATRICK , 薩巴席馬提亞 , SABATHIL, MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201236195A 光電半導體晶片 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：光电半导体芯片 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201236195A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW101103749
申请日：2012-02-06
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：何佩魯茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/385 , H01L33/405
摘要：一種光電半導體晶片(1)，包括：載體基板(11)，半導體層序列(2)，其具有第一導電型之第一半導體區(3)、第二導電型之第二半導體區(5)及配置在此二半導體區之間的活性層(4)，配置在載體基板(11)和半導體層序列(2)之間的鏡面層(6)，電性絕緣之透明包封層(10)，其覆蓋鏡面層(6)之側緣(16)及半導體層序列(2)之側緣(21)，接合墊(9)，其以在橫向上偏離半導體層序列(2)的方式配置，接觸層(7)，其用來與第二半導體區(5)形成電性接觸且至少配置在輻射發出面(15)之多個部分區域上，及電性連接層(8)，其使接合墊(9)與接觸層(7)導電性連接，且在透明包封層(10)上於半導體層序列(2)之上述側緣(21)上延伸至接合墊(9)。
简体摘要：一种光电半导体芯片(1)，包括：载体基板(11)，半导体层串行(2)，其具有第一导电型之第一半导体区(3)、第二导电型之第二半导体区(5)及配置在此二半导体区之间的活性层(4)，配置在载体基板(11)和半导体层串行(2)之间的镜面层(6)，电性绝缘之透明包封层(10)，其覆盖镜面层(6)之侧缘(16)及半导体层串行(2)之侧缘(21)，接合垫(9)，其以在横向上偏离半导体层串行(2)的方式配置，接触层(7)，其用来与第二半导体区(5)形成电性接触且至少配置在辐射发出面(15)之多个部分区域上，及电性连接层(8)，其使接合垫(9)与接触层(7)导电性连接，且在透明包封层(10)上于半导体层串行(2)之上述侧缘(21)上延伸至接合垫(9)。

3. 发明专利

TW201117344A 光電半導體晶片及使接觸結構適合與光電半導體晶片形成電性接觸的方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD TO ADAPT A CONTACT STRUCTURE FOR ELECTRICAL CONTACTING OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 失效
简体标题：光电半导体芯片及使接触结构适合与光电半导体芯片形成电性接触的方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD TO ADAPT A CONTACT STRUCTURE FOR ELECTRICAL CONTACTING OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201117344A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099130842
申请日：2010-09-13
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：羅德派翠克 , 何佩魯茲 , 凡馬爾姆諾文 , 薩巴席馬提亞 , 摩斯伯格侏根
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/153 , G01R31/318516 , H01H85/0417 , H01H85/32 , H01L23/5256 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02H3/046 , H03K17/74 , H03K19/17728 , H05B33/083 , H05B33/0893 , Y10T29/49204
摘要：一種光電半導體晶片，包括：第一半導體功能區(21)，其具有第一終端(211)和第二終端(212)；以及一接觸結構(4)，用來與該光電半導體晶片形成電性接觸，該光電半導體晶片可導電地與該第一半導體功能區(21)相連接。該接觸結構(4)具有可分離的導體結構(41，71，42)，其中-在未分離的導體結構中經由該第一半導體功能區之第一終端和第二終端來確定一操作電流路徑，其在已分離的導體結構中被中斷，或是-在已分離的導體結構(41，71，42)中經由第一半導體功能區(21)之第一終端(211)和第二終端(212)來確定一操作電流路徑，其中在未分離的導體結構(41，71，42)中該導體結構(41，71，42)將第一終端(211)和第二終端(212)相連接且使第一半導體功能區(21)短路。
简体摘要：一种光电半导体芯片，包括：第一半导体功能区(21)，其具有第一终端(211)和第二终端(212)；以及一接触结构(4)，用来与该光电半导体芯片形成电性接触，该光电半导体芯片可导电地与该第一半导体功能区(21)相连接。该接触结构(4)具有可分离的导体结构(41，71，42)，其中-在未分离的导体结构中经由该第一半导体功能区之第一终端和第二终端来确定一操作电流路径，其在已分离的导体结构中被中断，或是-在已分离的导体结构(41，71，42)中经由第一半导体功能区(21)之第一终端(211)和第二终端(212)来确定一操作电流路径，其中在未分离的导体结构(41，71，42)中该导体结构(41，71，42)将第一终端(211)和第二终端(212)相连接且使第一半导体功能区(21)短路。

4. 发明专利

TW201029232A 輻射半導體晶片 RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：辐射半导体芯片 RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201029232A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098139698
申请日：2009-11-23
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：英格卡羅 , 何佩魯茲 , 摩斯伯格侏根 , 羅德派翠克 , 凡馬爾姆諾文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：一種發出輻射之半導體晶片(1),具有一載體(5)和一包含半導體層序列之半導體本體(2)。具有半導體層序列之半導體本體(2)中形成一放射區(23)和一保護二極體區(24)。該半導體層序列包括一用來產生輻射之活性區(20),其配置在第一半導體層(21)和第二半導體層(22)之間。該第一半導體層(21)配置在該活性區(20)之遠離該載體(5)之一側上。該放射區(23)具有一凹口(25),其經由該活性區而延伸。該第一半導體層(21)在該放射區(23)中可導電地與第一連接層(31)相連接,其中該第一連接層(31)在該凹口(25)中由該第一半導體層(21)延伸至該載體(5)的方向中。該第一連接層在該保護二極體區(24)中可導電地與該第二半導體層(22)相連接。此外,本發明提供一發出輻射之半導體晶片之製造方法。
简体摘要：一种发出辐射之半导体芯片(1),具有一载体(5)和一包含半导体层串行之半导体本体(2)。具有半导体层串行之半导体本体(2)中形成一放射区(23)和一保护二极管区(24)。该半导体层串行包括一用来产生辐射之活性区(20),其配置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。该第一半导体层(21)配置在该活性区(20)之远离该载体(5)之一侧上。该放射区(23)具有一凹口(25),其经由该活性区而延伸。该第一半导体层(21)在该放射区(23)中可导电地与第一连接层(31)相连接,其中该第一连接层(31)在该凹口(25)中由该第一半导体层(21)延伸至该载体(5)的方向中。该第一连接层在该保护二极管区(24)中可导电地与该第二半导体层(22)相连接。此外,本发明提供一发出辐射之半导体芯片之制造方法。

5. 发明专利

TWI467817B 用於光電半導體晶片之載體及半導體晶片有权
简体标题：用于光电半导体芯片之载体及半导体芯片
公开(公告)号：TWI467817B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100146504
申请日：2011-12-15
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：何佩魯茲 , HOEPPEL, LUTZ
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/48 , H01L23/49827 , H01L25/167 , H01L33/483 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201115793A 光電半導體元件及製造無機半導體光電元件之方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PROCESS FOR PRODUCING AN INORGANIC SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
简体标题：光电半导体组件及制造无机半导体光电组件之方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PROCESS FOR PRODUCING AN INORGANIC SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC COMPONENT
公开(公告)号：TW201115793A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099122953
申请日：2010-07-13
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：何佩魯茲 , 凡馬爾姆諾文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/05 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：在光電半導體組件(1)之至少一實施形式中,包括:載體(2)以及至少一半導體層序列(3)。此半導體層序列(3)具有至少一活性層(30)。又,此半導體層序列(3)安裝在該載體(2)上。此外,該半導體組件(1)包含金屬鏡面(4),其位於該載體(2)和該半導體層序列(3)之間。該載體(2)和該半導體層序列(3)在橫向中由該金屬鏡面(4)突出。又,該金屬鏡面(4)在橫向中直接由一可透過輻射的包封層(5)所包圍著。
简体摘要：在光电半导体组件(1)之至少一实施形式中,包括:载体(2)以及至少一半导体层串行(3)。此半导体层串行(3)具有至少一活性层(30)。又,此半导体层串行(3)安装在该载体(2)上。此外,该半导体组件(1)包含金属镜面(4),其位于该载体(2)和该半导体层串行(3)之间。该载体(2)和该半导体层串行(3)在横向中由该金属镜面(4)突出。又,该金属镜面(4)在横向中直接由一可透过辐射的包封层(5)所包围着。

7. 发明专利

TW201027806A 光電半導體晶片之製造方法及光電半導體晶片 METHOD FOR THE PRODUCING OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：光电半导体芯片之制造方法及光电半导体芯片 METHOD FOR THE PRODUCING OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201027806A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098137382
申请日：2009-11-04
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：葛洛利爾文森 , 何佩魯茲 , 畢貝斯朵夫安德里亞斯 , 盧加爾漢斯侏根 , 史翠斯保馬丁
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種光電半導體晶片之製造方法,包括以下各步驟:A)形成一具有至少一摻雜的功能層(7)之半導體層序列(200),其鍵結複合物具有至少一摻雜物質和至少一共摻雜物質,其中由該摻雜物質和該共摻雜物質所選取之一是電子授體且另一是電子施體,B)藉由能量之施加使鍵結複合物中斷來驅動該摻雜物質,此時該共摻雜物質之至少一部份保留在該半導體層序列(200)中且至少一部份未與該摻雜物質形成鍵結複合物。此外,本發明提供一種光電半導體晶片。
简体摘要：一种光电半导体芯片之制造方法,包括以下各步骤:A)形成一具有至少一掺杂的功能层(7)之半导体层串行(200),其键结复合物具有至少一掺杂物质和至少一共掺杂物质,其中由该掺杂物质和该共掺杂物质所选取之一是电子授体且另一是电子施体,B)借由能量之施加使键结复合物中断来驱动该掺杂物质,此时该共掺杂物质之至少一部份保留在该半导体层串行(200)中且至少一部份未与该掺杂物质形成键结复合物。此外,本发明提供一种光电半导体芯片。

8. 发明专利

TW201001753A 單石光電半導體及其製造方法 MONOLITHIC, OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCTION OF SUCH 审中-公开
简体标题：单石光电半导体及其制造方法 MONOLITHIC, OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCTION OF SUCH
公开(公告)号：TW201001753A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098106285
申请日：2009-02-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：英格卡羅 , 何佩魯茲 , 羅德派翠克 , 辛格法蘭克 , 史翠斯保馬丁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種光電半導體本體，包括：半導體層序列，其劃分成至少二個電性互相絕緣的部份區段。該半導體層序列在每一個部份區段中都具有一活性層。此外，設有至少三個電性接觸墊。第一導線面是與至少二個部份區段之第一部份區段以及第一接觸墊相接觸。第二導線面是與至少二個部份區段之第二部份區段以及第二接觸墊相接觸。第三導線面將該二個部份區段互相連接且與第三接觸墊相接觸。又，各導線面分別配置成與第一主面相面對，其中該第一主面用來發出該活性層中所產生的電磁輻射。
简体摘要：一种光电半导体本体，包括：半导体层串行，其划分成至少二个电性互相绝缘的部份区段。该半导体层串行在每一个部份区段中都具有一活性层。此外，设有至少三个电性接触垫。第一导线面是与至少二个部份区段之第一部份区段以及第一接触垫相接触。第二导线面是与至少二个部份区段之第二部份区段以及第二接触垫相接触。第三导线面将该二个部份区段互相连接且与第三接触垫相接触。又，各导线面分别配置成与第一主面相面对，其中该第一主面用来发出该活性层中所产生的电磁辐射。

9. 发明专利

TW200950161A 光電半導體晶片及其製造方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND ITS PRODUCTION METHOD 审中-公开
简体标题：光电半导体芯片及其制造方法 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND ITS PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TW200950161A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110038
申请日：2009-03-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：英格卡羅 , 何佩魯茲 , 羅德派翠克 , 薩巴席馬提亞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種光電半導體晶片，包括半導體層序列(2)，其在第一導電型之層(21)和第二導電型之層(22)之間具有一用來產生輻射之活性層(23)。該第一導電型之層(21)是與該半導體層序列(2)之前側(110)相鄰。該半導體層序列(2)包括至少一凹口(3)，其由該半導體層序列(2)之與該前側(110)相面對的背面(120)經由該活性層(23)而延伸至該第一導電型之層(21)。該第一導電型之層(21)藉由第一電性終端層(5)以經由該凹口(3)來形成電性達接，該第一電性終端層(5)至少依據位置來覆蓋該半導體層序列(2)之背面(120)。該半導體層晶片在該凹口(3)之區域中包括一接面層(20)，其所具有的材料成份包括該第一導電型之層(21)之材料和該第一電性終端層(5)之材料。此外，本發明亦涉及此種半導體晶片的製造方法。
简体摘要：一种光电半导体芯片，包括半导体层串行(2)，其在第一导电型之层(21)和第二导电型之层(22)之间具有一用来产生辐射之活性层(23)。该第一导电型之层(21)是与该半导体层串行(2)之前侧(110)相邻。该半导体层串行(2)包括至少一凹口(3)，其由该半导体层串行(2)之与该前侧(110)相面对的背面(120)经由该活性层(23)而延伸至该第一导电型之层(21)。该第一导电型之层(21)借由第一电性终端层(5)以经由该凹口(3)来形成电性达接，该第一电性终端层(5)至少依据位置来覆盖该半导体层串行(2)之背面(120)。该半导体层芯片在该凹口(3)之区域中包括一接面层(20)，其所具有的材料成份包括该第一导电型之层(21)之材料和该第一电性终端层(5)之材料。此外，本发明亦涉及此种半导体芯片的制造方法。

10. 发明专利

TWI626763B 光電半導體組件以及製造光電半導體組件的方法有权
简体标题：光电半导体组件以及制造光电半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI626763B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105122210
申请日：2016-07-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：包爾約翰尼斯 , BAUR, JOHANNES , 摩斯伯格侏根 , MOOSBURGER, JUERGEN , 何佩魯茲 , HOEPPEL, LUTZ , 茂堤馬庫斯 , MAUTE, MARKUS , 休瓦茲湯瑪斯 , SCHWARZ, THOMAS , 薩巴席馬提亞 , SABATHIL, MATTHIAS , 渥斯瑞夫 , WIRTH, RALPH , 林可夫亞歷山大 , LINKOV, ALEXANDER
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/42

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