专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI446581B 發光二極體晶片有权
简体标题：发光二极管芯片
公开(公告)号：TWI446581B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW099123071
申请日：2010-07-14
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：阿柏瑞奇特湯尼 , ALBRECHT, TONY , 卡薩札克拉柏拉卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 馬特馬可士 , MAUTE, MARKUS
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025

2. 发明专利

TWI401822B 光電半導體晶片有权
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI401822B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW098123575
申请日：2009-07-13
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：魏瑪爾安卓斯 , WEIMAR, ANDREAS , 費奇爾海木特 , FISCHER, HELMUT , 阿柏瑞奇特湯尼 , ALBRECHT, TONY , 卡薩札克拉柏拉卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/18
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/44

3. 发明专利

TW201013990A 光電半導體晶片 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：光电半导体芯片 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201013990A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098123575
申请日：2009-07-13
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：魏瑪爾安卓斯 , 費奇爾海木特 , 阿柏瑞奇特湯尼 , 卡薩札克拉柏拉卡安娜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/44
摘要：一種光電半導體晶片，包括：-載體(3)；-反射層(1)，該反射層(1)包含易於遷移之金屬，該反射層(3)配置在該載體(3)上；-半導體主體(2)，該半導體主體(2)配置在面對離開該載體(3)之該反射層(1)之面上，並且在該反射層(3)之側面(1a)上凸出超過該反射層(1)；以及-遷移阻障(4)，該遷移阻障(4)覆蓋該反射層(1)之該側面(1a)，其中，該遷移阻障(4)包含金屬。
简体摘要：一种光电半导体芯片，包括：-载体(3)；-反射层(1)，该反射层(1)包含易于迁移之金属，该反射层(3)配置在该载体(3)上；-半导体主体(2)，该半导体主体(2)配置在面对离开该载体(3)之该反射层(1)之面上，并且在该反射层(3)之侧面(1a)上凸出超过该反射层(1)；以及-迁移阻障(4)，该迁移阻障(4)覆盖该反射层(1)之该侧面(1a)，其中，该迁移阻障(4)包含金属。

4. 发明专利

TW201115786A 發光二極體晶片 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
简体标题：发光二极管芯片 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP
公开(公告)号：TW201115786A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099123071
申请日：2010-07-14
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：阿柏瑞奇特湯尼 , 卡薩札克拉柏拉卡安娜 , 馬特馬可士
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要：本發明提供一種發光二極體晶片,包括:半導體本體(1),係具有第一區域(1A)與第二區域(1B);主動區(2),係於該半導體本體(1)中,該主動區(2)於該發光二極體晶片(100)之操作期間透過輻射耦合輸出區(11)放射電磁輻射,該輻射耦合輸出區(11)的至少一些地方由該半導體本體(1)之第一主要區(111)所形成;至少一個溝槽(3),係於該半導體本體(1)中,其中,在該溝槽(3)區域中移除部分的該半導體本體(1),其中,該至少一個溝槽(3)至少延伸到達該主動區(2),該至少一個溝槽(3)於側向方向完全圍繞該第一區域(1A);以及,該第二區域(1B)於側向方向完全圍繞該至少一個溝槽(3)與該第一區域(1A)。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管芯片,包括:半导体本体(1),系具有第一区域(1A)与第二区域(1B);主动区(2),系于该半导体本体(1)中,该主动区(2)于该发光二极管芯片(100)之操作期间透过辐射耦合输出区(11)放射电磁辐射,该辐射耦合输出区(11)的至少一些地方由该半导体本体(1)之第一主要区(111)所形成;至少一个沟槽(3),系于该半导体本体(1)中,其中,在该沟槽(3)区域中移除部分的该半导体本体(1),其中,该至少一个沟槽(3)至少延伸到达该主动区(2),该至少一个沟槽(3)于侧向方向完全围绕该第一区域(1A);以及,该第二区域(1B)于侧向方向完全围绕该至少一个沟槽(3)与该第一区域(1A)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式