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1. 发明专利

TWI523260B 製造複數個光電半導體晶片之方法及光電半導體晶片有权
简体标题：制造复数个光电半导体芯片之方法及光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI523260B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101144683
申请日：2012-11-29
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：羅德派翠克 , RODE, PATRICK , 霍普路茲 , HOPPEL, LUTZ , 凡馬蘭諾爾溫 , VON MALM, NORWIN , 林克史帝芬 , ILLEK, STEFAN , 凱史齊阿瑞齊特 , KIESLICH, ALBRECHT , 海馬恩希瑞德 , HERRMANN, SIEGFRIED
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L2933/0016

2. 发明专利

TWI451568B 光電半導體晶片有权
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI451568B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW100131880
申请日：2011-09-05
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：恩葛爾卡爾 , ENGL, KARL , 馬特馬克 , MAUTE, MARKUS , 威馬爾安卓 , WEIMAR, ANDREAS , 霍普路茲 , HOPPEL, LUTZ , 羅德派翠克 , RODE, PATRICK , 摩斯伯格喬根 , MOOSBURGER, JURGEN , 凡馬蘭諾爾溫 , VON MALM, NORWIN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201310707A 光電組件及製造光電組件之方法审中-公开
简体标题：光电组件及制造光电组件之方法
公开(公告)号：TW201310707A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101126576
申请日：2012-07-24
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：蓋爾廣恩 , GEYER, GUDRUN , 霍普路茲 , HOPPEL, LUTZ , 路爾海瑞貝特 , ZULL, HERIBERT
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/005 , H01S5/0282
摘要：本發明載明一種光電組件，包括具有光電活性區域的半導體層序列（10），及於該半導體序列（10）上之介電層（20），及於該介電層（20）上之金屬層（40）。配置於該介電層（20）與該金屬層（40）間者為共價地鍵結至該介電層（20）與該金屬層（40）之黏合層（30）。額外地載明一種製造光電組件之方法。
简体摘要：本发明载明一种光电组件，包括具有光电活性区域的半导体层串行（10），及于该半导体串行（10）上之介电层（20），及于该介电层（20）上之金属层（40）。配置于该介电层（20）与该金属层（40）间者为共价地键结至该介电层（20）与该金属层（40）之黏合层（30）。额外地载明一种制造光电组件之方法。

4. 发明专利

TW201715755A 光電半導體組件及用於生產其之方法审中-公开
简体标题：光电半导体组件及用于生产其之方法
公开(公告)号：TW201715755A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105125415
申请日：2016-08-10
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：佩利馬爾柯賓恩 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡司扎克扎羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 霍普路茲 , 萊瑞爾克里斯帝恩 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/642
摘要：本發明詳述一種光電半導體組件(100)，其包括：半導體本體(1)，該半導體本體(1)包括半導體層序列(2)；載板(10)，該載板(10)包括塑膠及包括第一電鍍導通孔(11)及第二電鍍導通孔(12)；p型接觸層(6)及n型接觸層(8、8A)，該p型接觸層(6)及該n型接觸層(8、8A)為至少區域性配置在該載板(10)及該半導體本體(1)之間；金屬補強層(14)，該金屬補強層(14)為至少區域性配置在該n型接觸層(8、8A)及該載板(10)之間，其中該金屬補強層(14)的厚度為至少5微米；以及至少一個p型接觸通孔(7)，其配置在該第一電鍍導通孔(11)及該p型接觸層(6)之間，其中該p型接觸通孔(7)的厚度為至少5微米並且在側向方向上由該補強層(14)至少區域性圍繞。再者，本發明詳述用於製造此類光電半導體組件(100)之有利的方法。
简体摘要：本发明详述一种光电半导体组件(100)，其包括：半导体本体(1)，该半导体本体(1)包括半导体层串行(2)；载板(10)，该载板(10)包括塑胶及包括第一电镀导通孔(11)及第二电镀导通孔(12)；p型接触层(6)及n型接触层(8、8A)，该p型接触层(6)及该n型接触层(8、8A)为至少局部配置在该载板(10)及该半导体本体(1)之间；金属补强层(14)，该金属补强层(14)为至少局部配置在该n型接触层(8、8A)及该载板(10)之间，其中该金属补强层(14)的厚度为至少5微米；以及至少一个p型接触通孔(7)，其配置在该第一电镀导通孔(11)及该p型接触层(6)之间，其中该p型接触通孔(7)的厚度为至少5微米并且在侧向方向上由该补强层(14)至少局部围绕。再者，本发明详述用于制造此类光电半导体组件(100)之有利的方法。

5. 发明专利

TWI478391B 發光二極體晶片及製造發光二極體晶片之方法有权
简体标题：发光二极管芯片及制造发光二极管芯片之方法
公开(公告)号：TWI478391B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW100131878
申请日：2011-09-05
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：霍普路茲
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201208111A 用於製造光電半導體晶片之方法及光電半導體晶片 METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：用于制造光电半导体芯片之方法及光电半导体芯片 METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201208111A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100121017
申请日：2011-06-16
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：霍普路茲 , 凡馬蘭諾爾溫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/0248 , H01L29/861 , H01L31/0224 , H01L31/02327 , H01L31/186 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要：一種用於製造光電半導體晶片的方法,包含下列步驟:提供n導電層(2);設置p導電層(4)於n導電層(2)上;設置金屬層序列(5)於p導電層(4)上;設置遮罩(6)於金屬層序列(5)中遠離p導電層(4)的那一面上;於適當位置使用遮罩(6)移除金屬層序列(5)以及暴露p導電層(4);以及於適當位置使用遮罩(6)中和(neutralizing)或移除p導電層(4)的未覆蓋區域至n導電層(2)為止,其中,金屬層序列(5)包含至少一個鏡層51(mirror layer)及阻障層(52)(barrier layer),以及金屬層序列(5)的鏡層(51)面向p導電層(4)。
简体摘要：一种用于制造光电半导体芯片的方法,包含下列步骤:提供n导电层(2);设置p导电层(4)于n导电层(2)上;设置金属层串行(5)于p导电层(4)上;设置遮罩(6)于金属层串行(5)中远离p导电层(4)的那一面上;于适当位置使用遮罩(6)移除金属层串行(5)以及暴露p导电层(4);以及于适当位置使用遮罩(6)中和(neutralizing)或移除p导电层(4)的未覆盖区域至n导电层(2)为止,其中,金属层串行(5)包含至少一个镜层51(mirror layer)及阻障层(52)(barrier layer),以及金属层串行(5)的镜层(51)面向p导电层(4)。

7. 发明专利

TWI636597B 半導體晶片有权
简体标题：半导体芯片
公开(公告)号：TWI636597B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105128139
申请日：2016-08-31
申请人：德商歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：佩利馬爾柯賓恩 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡司扎克扎羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 霍普路茲
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48

8. 发明专利

TWI524550B 用於製造光電半導體晶片之方法及光電半導體晶片有权
简体标题：用于制造光电半导体芯片之方法及光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI524550B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100121017
申请日：2011-06-16
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：霍普路茲 , HOPPEL, LUTZ , 凡馬蘭諾爾溫 , VON MALM, NORWIN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/0248 , H01L29/861 , H01L31/0224 , H01L31/02327 , H01L31/186 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02P70/521 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI495162B 光電組件及製造光電組件之方法有权
简体标题：光电组件及制造光电组件之方法
公开(公告)号：TWI495162B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101126576
申请日：2012-07-24
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：蓋爾廣恩 , GEYER, GUDRUN , 霍普路茲 , HOPPEL, LUTZ , 路爾海瑞貝特 , ZULL, HERIBERT
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/005 , H01S5/0282

10. 发明专利

TW201232833A 發光二極體晶片及製造發光二極體晶片之方法 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
简体标题：发光二极管芯片及制造发光二极管芯片之方法 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE CHIP
公开(公告)号：TW201232833A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100131878
申请日：2011-09-05
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：霍普路茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種發光二極體晶片及發光二極體晶片的製造方法,該發光二極體晶片包括:n型導電區(1);p型導電區(2);主動區(3),介於n型導電區(1)與p型導電區(2)之間;鏡像層(4),位於p型導電區(2)中遠離主動區(3)的一側;以及絕緣層(5),由電性絕緣材料所形成。其中,鏡像層(4)設計用以反射於主動區中所產生的電磁輻射,鏡像層(4)具有穿孔(41),其中鏡像層(4)之側面(4a)係在穿孔(41)的區域內被絕緣層(5)完全地覆蓋。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法,该发光二极管芯片包括:n型导电区(1);p型导电区(2);主动区(3),介于n型导电区(1)与p型导电区(2)之间;镜像层(4),位于p型导电区(2)中远离主动区(3)的一侧;以及绝缘层(5),由电性绝缘材料所形成。其中,镜像层(4)设计用以反射于主动区中所产生的电磁辐射,镜像层(4)具有穿孔(41),其中镜像层(4)之侧面(4a)系在穿孔(41)的区域内被绝缘层(5)完全地覆盖。

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