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1. 发明专利

TWI381548B 光電半導體主體及製造該光電半導體主體之方法有权
简体标题：光电半导体主体及制造该光电半导体主体之方法
公开(公告)号：TWI381548B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097114771
申请日：2008-04-23
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：依哥卡爾 , ENGL, KARL , 哈佩爾路特 , HOPPEL, LUTZ , 羅德派翠克 , RODE, PATRICK , 沙貝絲爾馬提亞 , SABATHIL, MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/02
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201044634A 發光二極體 LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：发光二极管 LIGHT-EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW201044634A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099108111
申请日：2010-03-19
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：沙貝絲爾馬提亞 , 科庫爾西蒙 , 喬布斯斯特凡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種發光二極體,包括:第一半導體本體(10),其包括至少一個電性接觸連接之主動區域(11),其中,在發光二極體的操作期間,於主動區域(11)產生第一波長範圍的電磁輻射(110);第二半導體本體(20),與該第一半導體本體(10)固定於該第一半導體本體(10)之頂側(10a),其中,第二半導體本體(20)具有具多重量子井結構(213)之再發射區域(21),及其中,在該發光二極體的操作期間,吸收第一波長範圍之電磁輻射(110),並再發出該再發射區域(21)中第二波長範圍(220)之電磁輻射;以及連接材料(30),其佈置於該第一半導體本體(10)及該第二半導體本體(20)之間,其中,該連接材料(30)係與該第一半導體本體(10)及該第二半導體本體(20)彼此機械連接。
简体摘要：本发明揭露一种发光二极管,包括:第一半导体本体(10),其包括至少一个电性接触连接之主动区域(11),其中,在发光二极管的操作期间,于主动区域(11)产生第一波长范围的电磁辐射(110);第二半导体本体(20),与该第一半导体本体(10)固定于该第一半导体本体(10)之顶侧(10a),其中,第二半导体本体(20)具有具多重量子井结构(213)之再发射区域(21),及其中,在该发光二极管的操作期间,吸收第一波长范围之电磁辐射(110),并再发出该再发射区域(21)中第二波长范围(220)之电磁辐射;以及连接材料(30),其布置于该第一半导体本体(10)及该第二半导体本体(20)之间,其中,该连接材料(30)系与该第一半导体本体(10)及该第二半导体本体(20)彼此机械连接。

3. 发明专利

TWI520374B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI520374B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW099108111
申请日：2010-03-19
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：沙貝絲爾馬提亞 , SABATHIL, MATTHIAS , 科庫爾西蒙 , KOCUR, SIMON , 喬布斯斯特凡
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201036216A 圖案化半導體表面之方法及半導體晶片 METHOD FOR PATTERNING A SEMICONDUCTOR SURFACE, AND SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：图案化半导体表面之方法及半导体芯片 METHOD FOR PATTERNING A SEMICONDUCTOR SURFACE, AND SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW201036216A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099103149
申请日：2010-02-03
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：鮑爾愛爾瑪 , 博姆貝恩德 , 海德爾亞歷山大 , 羅德派翠克 , 沙貝絲爾馬提亞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0062
摘要：本發明提供一種圖案化半導體表面之方法及半導體晶片,係說明一種圖案化半導體表面之方法,包括以下步驟:設置第一晶圓(1),其具有經圖案化之表面(11);設置第二半導體晶圓(3);施加光阻(2)於該第二半導體晶圓(5)之外圍區;藉由將該第一晶圓(1)之經圖案化之表面(11)壓印於該光阻(2)內而圖案化與該第二半導體晶圓(3)相隔很遠之該光阻(2)之表面;以及施加圖案化方法(6)於該光阻(2)之經圖案化之表面(21),其中,施加於該光阻(2)上之結構至少於一些位置係轉換至該第二半導體晶圓(3)之外圍區(31)。
简体摘要：本发明提供一种图案化半导体表面之方法及半导体芯片,系说明一种图案化半导体表面之方法,包括以下步骤:设置第一晶圆(1),其具有经图案化之表面(11);设置第二半导体晶圆(3);施加光阻(2)于该第二半导体晶圆(5)之外围区;借由将该第一晶圆(1)之经图案化之表面(11)压印于该光阻(2)内而图案化与该第二半导体晶圆(3)相隔很远之该光阻(2)之表面;以及施加图案化方法(6)于该光阻(2)之经图案化之表面(21),其中,施加于该光阻(2)上之结构至少于一些位置系转换至该第二半导体晶圆(3)之外围区(31)。

5. 发明专利

TWI415302B 光電半導體本體有权
简体标题：光电半导体本体
公开(公告)号：TWI415302B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098133792
申请日：2009-10-06
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：依哥卡爾 , ENGL, KARL , 沙貝絲爾馬提亞 , SABATHIL, MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201025680A 光電半導體本體 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY 审中-公开
简体标题：光电半导体本体 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY
公开(公告)号：TW201025680A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098133792
申请日：2009-10-06
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：依哥卡爾 , 沙貝絲爾馬提亞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種具有半導體層序列(1)及第一電性接觸層(4)之光電半導體本體,該半導體層序列包括適於產生電磁輻射之主動層(100)。該光電半導體本體係設置用於自前側(2)發射電磁輻射。該半導體層序列(1)包括至少一個開口(110),該開口(110)於自前側(2)至相對於該前側(2)之背側(3)之方向上完全穿透該半導體層序列(1)。該第一電性接觸層(4)係配置於該半導體本體之背側(3),該第一電性接觸層(4)的區段(40)自該背側(3)延伸穿過該開口(110)到達該前側(2),並且覆蓋該半導體層序列(1)之前側主要面(10)之第一次要區域(11)。該第一電性接觸層(4)並未覆蓋該前側主要面(10)之第二次要區域(12)。
简体摘要：一种具有半导体层串行(1)及第一电性接触层(4)之光电半导体本体,该半导体层串行包括适于产生电磁辐射之主动层(100)。该光电半导体本体系设置用于自前侧(2)发射电磁辐射。该半导体层串行(1)包括至少一个开口(110),该开口(110)于自前侧(2)至相对于该前侧(2)之背侧(3)之方向上完全穿透该半导体层串行(1)。该第一电性接触层(4)系配置于该半导体本体之背侧(3),该第一电性接触层(4)的区段(40)自该背侧(3)延伸穿过该开口(110)到达该前侧(2),并且覆盖该半导体层串行(1)之前侧主要面(10)之第一次要区域(11)。该第一电性接触层(4)并未覆盖该前侧主要面(10)之第二次要区域(12)。

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