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1. 发明专利

TW201616671A 發光二極體封裝體的製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装体的制造方法
公开(公告)号：TW201616671A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103136853
申请日：2014-10-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/00
摘要：一種發光二極體封裝體的製造方法，包括如下步驟：提供磊晶結構其具有依次形成的第一導電基板上、N型氮化鎵層、多層量子井層、P型氮化鎵層；蝕刻磊晶結構的上部而形成多個交錯設置在第一導電基板上的且被第一通道間隔的第一半導體結構及第二半導體結構；形成第一絕緣層於第一通道的底端；將第二半導體結構蝕刻形成第三半導體結構；形成金屬層於所述第一半導體結構的周緣且電連接N型氮化鎵層及第一導電基板；去除第三半導體結構而形成多個晶粒於第一導電基板上；將晶粒分離；提供第二導電基板並將晶粒固定在第二導電基板上。
简体摘要：一种发光二极管封装体的制造方法，包括如下步骤：提供磊晶结构其具有依次形成的第一导电基板上、N型氮化镓层、多层量子井层、P型氮化镓层；蚀刻磊晶结构的上部而形成多个交错设置在第一导电基板上的且被第一信道间隔的第一半导体结构及第二半导体结构；形成第一绝缘层于第一信道的底端；将第二半导体结构蚀刻形成第三半导体结构；形成金属层于所述第一半导体结构的周缘且电连接N型氮化镓层及第一导电基板；去除第三半导体结构而形成多个晶粒于第一导电基板上；将晶粒分离；提供第二导电基板并将晶粒固定在第二导电基板上。

2. 发明专利

TW201611333A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201611333A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103133019
申请日：2014-09-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要：一種發光二極體，包括第一電極、第二電極以及磊晶結構，所述磊晶結構設置在所述第一電極上且分別與所述第一電極、第二電極電性連接，所述第二電極環繞所述磊晶結構的周緣側向，以將所述磊晶結構周緣側向的光線反射集中自磊晶結構的頂部出射。本發明還涉及這種發光二極體的製造方法。本發明的發光二極體及其製造方法，有效地解決了由於電極的反射而導致的發光二極體發光效率降低的問題。
简体摘要：一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述第二电极环绕所述磊晶结构的周缘侧向，以将所述磊晶结构周缘侧向的光线反射集中自磊晶结构的顶部出射。本发明还涉及这种发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法，有效地解决了由于电极的反射而导致的发光二极管发光效率降低的问题。

3. 发明专利

TW201630216A 發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201630216A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104109258
申请日：2015-03-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58
摘要：一種發光二極體封裝結構，包括基板，所述基板包括一上表面、與上表面相對的下表面，以及與上表面邊緣和下表面邊緣連接的第一側面和第二側面，一第一電極、第二電極、及發光二極體設置在基板的上表面，一封裝層位於基板上表面且覆蓋所述第一電極、第二電極及發光二極體，所述基板內形成第一空氣洞列及第二空氣洞列，所述第一空氣洞列及第二空氣洞列分別由多個均勻間隔排布的空氣洞組成且分別形成於基板內靠近所述第一側面的一側和靠近所述第二側面的一側，所述發光二極體朝向基板下表面的正向投影位於第一空氣洞列和第二空氣洞列之間。
简体摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。

4. 发明专利

TWI560911B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI560911B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104109258
申请日：2015-03-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58

5. 发明专利

TWI590490B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI590490B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW103133019
申请日：2014-09-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2933/0016

6. 发明专利

TW201611336A 發光二極體晶粒及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管晶粒及其制造方法
公开(公告)号：TW201611336A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103137292
申请日：2014-10-28
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 楊順貴 , YANG, SHUN-KUEI , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要：一種發光二極體晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半導體層、有源層、第二半導體層及透明導電層，第一電極以及第二電極分別形成在第一半導體層及透明導電層上，所述第一半導體層上開設有多個間隔的凹槽，所述凹槽的深度隨著與第一電極之間的距離變大而變淺，所述透明導電層包括多個穿設在第二半導體層中、且分別與第一半導體層的凹槽對應的間隔設置的延伸部，所述延伸部的導電能力沿靠近第二電極的方向依次變小。本發明還涉及所述發光二極體晶粒的製造方法。
简体摘要：一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层及透明导电层，第一电极以及第二电极分别形成在第一半导体层及透明导电层上，所述第一半导体层上开设有多个间隔的凹槽，所述凹槽的深度随着与第一电极之间的距离变大而变浅，所述透明导电层包括多个穿设在第二半导体层中、且分别与第一半导体层的凹槽对应的间隔设置的延伸部，所述延伸部的导电能力沿靠近第二电极的方向依次变小。本发明还涉及所述发光二极管晶粒的制造方法。

7. 发明专利

TWI548116B 發光二極體晶粒及其製造方法有权
简体标题：发光二极管晶粒及其制造方法
公开(公告)号：TWI548116B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103137292
申请日：2014-10-28
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 楊順貴 , YANG, SHUN-KUEI , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/382 , H01L2933/0016

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