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1. 发明专利

TW201406922A 螢光粉及其製造方法以及使用該螢光粉的發光二極體审中-公开
简体标题：萤光粉及其制造方法以及使用该萤光粉的发光二极管
公开(公告)号：TW201406922A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101133569
申请日：2012-09-13
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： C09K11/00 , H01L33/00
摘要：一種螢光粉，包括螢光粉顆粒以及罩設於螢光粉顆粒外的矽殼體，矽殼體通過氣體層與螢光粉顆粒隔開。
简体摘要：一种萤光粉，包括萤光粉颗粒以及罩设于萤光粉颗粒外的硅壳体，硅壳体通过气体层与萤光粉颗粒隔开。

2. 发明专利

TW201526299A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201526299A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102138558
申请日：2013-10-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： H01L33/50
摘要：一種發光二極體，包括一發光二極體晶片、封裝該發光二極體晶片的一封裝層及設置在該封裝層內的多個第一螢光粉顆粒和多個第二螢光粉顆粒，第一螢光粉顆粒的激發效率比第二螢光粉顆粒的激發效率低，第一螢光粉顆粒的密度大於封裝層的密度，第二螢光粉顆粒的密度等於或小於封裝層的密度，第一螢光粉顆粒位於封裝層底部且靠近該發光二極體晶片，第二螢光粉顆粒位於封裝層頂部。
简体摘要：一种发光二极管，包括一发光二极管芯片、封装该发光二极管芯片的一封装层及设置在该封装层内的多个第一萤光粉颗粒和多个第二萤光粉颗粒，第一萤光粉颗粒的激发效率比第二萤光粉颗粒的激发效率低，第一萤光粉颗粒的密度大于封装层的密度，第二萤光粉颗粒的密度等于或小于封装层的密度，第一萤光粉颗粒位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，第二萤光粉颗粒位于封装层顶部。

3. 发明专利

TWI467814B 螢光粉膠體製備方法及相應的發光二極體封裝方法失效
简体标题：萤光粉胶体制备方法及相应的发光二极管封装方法
公开(公告)号：TWI467814B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101130620
申请日：2012-08-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/50

4. 发明专利

TW201427087A 發光二極體及其封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管及其封装结构
公开(公告)号：TW201427087A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148839
申请日：2012-12-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張耀祖 , JANG, YAU TZU , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 羅杏芬 , LO, HSING FEN , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/647 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L29/866 , H01L33/502 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137
摘要：一種封裝結構，包括基板以及形成於基板內並彼此分離的固晶電極、第一連接電極、第二連接電極，封裝結構用於安裝第一晶片及第二晶片，第一晶片的二電極分別連接至固晶電極及第一連接電極，第二晶片的一電極連接至第一連接電極，另一電極選擇性地直接或間接地連接至第二連接電極，從而實現第一晶片與第二晶片之間的串聯或並聯。
简体摘要：一种封装结构，包括基板以及形成于基板内并彼此分离的固晶电极、第一连接电极、第二连接电极，封装结构用于安装第一芯片及第二芯片，第一芯片的二电极分别连接至固晶电极及第一连接电极，第二芯片的一电极连接至第一连接电极，另一电极选择性地直接或间接地连接至第二连接电极，从而实现第一芯片与第二芯片之间的串联或并联。

5. 发明专利

TW201417348A 發光二極體封裝方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装方法
公开(公告)号：TW201417348A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101147395
申请日：2012-12-14
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光二極體封裝方法，包括步驟：提供一種螢光粉顆粒，在螢光粉顆粒表面附著表面活性劑；提供一封裝膠，並將附著有表面活性劑的螢光粉顆粒混合在封裝膠中；將混有螢光粉顆粒的封裝膠覆蓋在發光二極體晶粒上；靜置覆蓋在發光二極體晶粒上的封裝膠；待附著有表面活性劑的螢光粉顆粒漂浮至封裝膠頂面後，固化封裝膠。
简体摘要：一种发光二极管封装方法，包括步骤：提供一种萤光粉颗粒，在萤光粉颗粒表面附着表面活性剂；提供一封装胶，并将附着有表面活性剂的萤光粉颗粒混合在封装胶中；将混有萤光粉颗粒的封装胶覆盖在发光二极管晶粒上；静置覆盖在发光二极管晶粒上的封装胶；待附着有表面活性剂的萤光粉颗粒漂浮至封装胶顶面后，固化封装胶。

6. 发明专利

TW201406923A 發光二極體晶片的溫度測量方法及使用的熱敏高分子材料审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的温度测量方法及使用的热敏高分子材料
公开(公告)号：TW201406923A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101133896
申请日：2012-09-14
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： C09K11/06 , C08F20/56 , C08F20/60 , G01K11/32 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
摘要：一種發光二極體晶片的溫度測量方法，包括以下步驟：提供高分子材料，該高分子材料包括支撐體和分散於該支撐體中的螢光分子、交聯劑、負離子基團及水分子，該螢光分子包覆於支撐體內，該螢光分子隨外部環境溫度的變化而變化；用不同波長的光源激發高分子材料並採集高分子材料在不同溫度條件下的螢光的光強值，得到光源波長、該高分子材料溫度及螢光的光強值的關聯資料庫；提供已固晶打線的發光二極體封裝結構，將高分子材料置於待測發光二極體晶片上並通電，測量該熱高分子材料的螢光光強並與資料庫對比得到發光二極體晶片溫度。
简体摘要：一种发光二极管芯片的温度测量方法，包括以下步骤：提供高分子材料，该高分子材料包括支撑体和分散于该支撑体中的萤光分子、交联剂、负离子基团及水分子，该萤光分子包覆于支撑体内，该萤光分子随外部环境温度的变化而变化；用不同波长的光源激发高分子材料并采集高分子材料在不同温度条件下的萤光的光强值，得到光源波长、该高分子材料温度及萤光的光强值的关联数据库；提供已固晶打线的发光二极管封装结构，将高分子材料置于待测发光二极管芯片上并通电，测量该热高分子材料的萤光光强并与数据库对比得到发光二极管芯片温度。

7. 发明专利

TWI535071B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI535071B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW102138558
申请日：2013-10-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： H01L33/50

8. 发明专利

TWI482318B 發光二極體及其封裝結構有权
简体标题：发光二极管及其封装结构
公开(公告)号：TWI482318B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101148839
申请日：2012-12-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張耀祖 , JANG, YAU TZU , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 羅杏芬 , LO, HSING FEN , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/647 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L29/866 , H01L33/502 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137

9. 发明专利

TW201327923A 發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201327923A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100149514
申请日：2011-12-29
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種發光二極體封裝結構，包括基板、電極結構、發光二極體晶粒以及透鏡。該基板具有上表面、下表面以及位於上表面和下表面之間的側面，所述上表面的邊緣部分朝向下表面一側凹陷形成一個收容部。該電極結構貫穿整個基板並凸露於基板的上表面和下表面。該發光二極體晶粒設置於基板上並電連接至該電極結構。該透鏡設置於基板上並罩設在發光二極體晶粒的上方，該透鏡包括與基板上表面相接的接合面，該接合面邊緣部分朝向基板的收容部內凸伸形成鑲嵌部。該種發光二極體封裝結構的透鏡與基板之間的接合力較強，具有可靠度高的優點。
简体摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板、电极结构、发光二极管晶粒以及透镜。该基板具有上表面、下表面以及位于上表面和下表面之间的侧面，所述上表面的边缘部分朝向下表面一侧凹陷形成一个收容部。该电极结构贯穿整个基板并凸露于基板的上表面和下表面。该发光二极管晶粒设置于基板上并电连接至该电极结构。该透镜设置于基板上并罩设在发光二极管晶粒的上方，该透镜包括与基板上表面相接的接合面，该接合面边缘部分朝向基板的收容部内凸伸形成镶嵌部。该种发光二极管封装结构的透镜与基板之间的接合力较强，具有可靠度高的优点。

10. 发明专利

TWI616513B 發光二極體晶片的溫度測量方法及使用的熱敏高分子材料有权
简体标题：发光二极管芯片的温度测量方法及使用的热敏高分子材料
公开(公告)号：TWI616513B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW101133896
申请日：2012-09-14
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： C09K11/06 , C08F20/56 , C08F20/60 , G01K11/32 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014

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