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1. 发明专利

TW201515284A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201515284A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW102138348
申请日：2013-10-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50
摘要：一種發光二極體（LED）的製造方法，包括如下步驟：提供LED晶片及封裝膠，該封裝膠內均勻摻有多個具有磁性的螢光粉顆粒，將封裝膠覆置在LED晶片上以形成包覆該LED晶片的封裝層；提供至少一磁體，在覆置在LED晶片上的封裝膠固化前，將該至少一磁體置於該封裝膠外部，使所述多個具有磁性的螢光粉顆粒被磁體藉由磁力作用吸到該封裝膠內預定的位置，再固化所述封裝膠，從而螢光粉顆粒分佈在封裝膠內該預定的位置形成一螢光粉層。
简体摘要：一种发光二极管（LED）的制造方法，包括如下步骤：提供LED芯片及封装胶，该封装胶内均匀掺有多个具有磁性的萤光粉颗粒，将封装胶覆置在LED芯片上以形成包覆该LED芯片的封装层；提供至少一磁体，在覆置在LED芯片上的封装胶固化前，将该至少一磁体置于该封装胶外部，使所述多个具有磁性的萤光粉颗粒被磁体借由磁力作用吸到该封装胶内预定的位置，再固化所述封装胶，从而萤光粉颗粒分布在封装胶内该预定的位置形成一萤光粉层。

2. 发明专利

TW201405215A 發光二極體背光模組审中-公开
简体标题：发光二极管背光模块
公开(公告)号：TW201405215A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101129297
申请日：2012-08-14
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 柯志勳 , KE, CHIH HSUN
IPC分类号： G02F1/13357
摘要：一種發光二極體背光模組，包括背板以及設置在該背板上之多個發光二極體。每個發光二極體包括基板、設置在該基板上之第一電極和第二電極、設置在該基板上並與第一電極和第二電極電連接之發光二極體晶粒及一封裝層。封裝層直接貼附在發光二極體晶粒之表面及基板之表面，厚度小於等於2μm。
简体摘要：一种发光二极管背光模块，包括背板以及设置在该背板上之多个发光二极管。每个发光二极管包括基板、设置在该基板上之第一电极和第二电极、设置在该基板上并与第一电极和第二电极电连接之发光二极管晶粒及一封装层。封装层直接贴附在发光二极管晶粒之表面及基板之表面，厚度小于等于2μm。

3. 发明专利

TWI497780B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI497780B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101135190
申请日：2012-09-26
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201523923A 發光二極體封裝體的製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装体的制造方法
公开(公告)号：TW201523923A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102141362
申请日：2013-11-13
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光二極體封裝體的製造方法，包括以下步驟：提供第一電極、第二電極、發光二極體，固定所述發光二極體與所述第一電極及第二電極的上表面，所述第一電極及第二電極的上表面與發光二極體的下表面之間間隔設置而形成有空隙；提供一可側向噴膠的點膠機並將所述點膠機內裝滿導熱膠，然後使所述點膠機朝向所述空隙以一設定的速度勻速噴膠直至導熱膠填滿所述空隙；快速固化所述導熱膠。
简体摘要：一种发光二极管封装体的制造方法，包括以下步骤：提供第一电极、第二电极、发光二极管，固定所述发光二极管与所述第一电极及第二电极的上表面，所述第一电极及第二电极的上表面与发光二极管的下表面之间间隔设置而形成有空隙；提供一可侧向喷胶的点胶机并将所述点胶机内装满导热胶，然后使所述点胶机朝向所述空隙以一设置的速度匀速喷胶直至导热胶填满所述空隙；快速固化所述导热胶。

5. 发明专利

TW201447268A 發光二極體的檢測系統及其檢測方法审中-公开
简体标题：发光二极管的检测系统及其检测方法
公开(公告)号：TW201447268A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102114717
申请日：2013-04-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： G01N21/25 , G01R31/26
CPC分类号： G06T7/001
摘要：一種發光二極體的檢測系統，包括資料存儲模組、資料獲取模組以及比較模組，資料獲取模組包括影像感測模組、資料讀取模組以及計算模組，影像感測模組用以拍攝記錄待測發光二極體處發光時的光學影像，資料讀取模組用以從光學影像中讀取光學資料，計算模組依據資料讀取模組讀取到的光學資料進行計算，得到待測發光二極體的頻譜資料，比較模組將資料存儲模組中存儲的標準的或期望的頻譜資料與計算模組計算得到的頻譜資料進行比較。本發明還涉及一種發光二極體的檢測方法。
简体摘要：一种发光二极管的检测系统，包括数据存储模块、数据获取模块以及比较模块，数据获取模块包括影像传感模块、数据读取模块以及计算模块，影像传感模块用以拍摄记录待测发光二极管处发光时的光学影像，数据读取模块用以从光学影像中读取光学数据，计算模块依据数据读取模块读取到的光学数据进行计算，得到待测发光二极管的频谱数据，比较模块将数据存储模块中存储的标准的或期望的频谱数据与计算模块计算得到的频谱数据进行比较。本发明还涉及一种发光二极管的检测方法。

6. 发明专利

TW201417359A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201417359A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101135192
申请日：2012-09-26
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/36 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體模組，包括基板及嵌設於所述基板內的第一電極組合、第二電極組合及電性連接所述第一電極組及第二電極組的發光二極體晶粒，所述第一電極組合包括間隔設置的第一電極及第二電極，所述第二電極組合位於第一電極及第二電極之間，其包括第三電極，所述第一、第二電極的側面外露於基板，所述第三電極的側面位於基板內部，所述發光二極體晶粒電性連接所述第一電極、第二電極及第三電極。本發明還涉及這種發光二極體模組的製造方法。
简体摘要：一种发光二极管模块，包括基板及嵌设于所述基板内的第一电极组合、第二电极组合及电性连接所述第一电极组及第二电极组的发光二极管晶粒，所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一电极及第二电极之间，其包括第三电极，所述第一、第二电极的侧面外露于基板，所述第三电极的侧面位于基板内部，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极及第三电极。本发明还涉及这种发光二极管模块的制造方法。

7. 发明专利

TWI565103B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI565103B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW102116434
申请日：2013-05-08
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 葉輔湘 , YEH, FU HSIANG
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/54 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014

8. 发明专利

TWI492428B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI492428B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101135191
申请日：2012-09-26
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L27/15 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

9. 发明专利

TW201427087A 發光二極體及其封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管及其封装结构
公开(公告)号：TW201427087A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148839
申请日：2012-12-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張耀祖 , JANG, YAU TZU , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 羅杏芬 , LO, HSING FEN , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/647 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L29/866 , H01L33/502 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137
摘要：一種封裝結構，包括基板以及形成於基板內並彼此分離的固晶電極、第一連接電極、第二連接電極，封裝結構用於安裝第一晶片及第二晶片，第一晶片的二電極分別連接至固晶電極及第一連接電極，第二晶片的一電極連接至第一連接電極，另一電極選擇性地直接或間接地連接至第二連接電極，從而實現第一晶片與第二晶片之間的串聯或並聯。
简体摘要：一种封装结构，包括基板以及形成于基板内并彼此分离的固晶电极、第一连接电极、第二连接电极，封装结构用于安装第一芯片及第二芯片，第一芯片的二电极分别连接至固晶电极及第一连接电极，第二芯片的一电极连接至第一连接电极，另一电极选择性地直接或间接地连接至第二连接电极，从而实现第一芯片与第二芯片之间的串联或并联。

10. 发明专利

TW201526299A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201526299A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102138558
申请日：2013-10-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： H01L33/50
摘要：一種發光二極體，包括一發光二極體晶片、封裝該發光二極體晶片的一封裝層及設置在該封裝層內的多個第一螢光粉顆粒和多個第二螢光粉顆粒，第一螢光粉顆粒的激發效率比第二螢光粉顆粒的激發效率低，第一螢光粉顆粒的密度大於封裝層的密度，第二螢光粉顆粒的密度等於或小於封裝層的密度，第一螢光粉顆粒位於封裝層底部且靠近該發光二極體晶片，第二螢光粉顆粒位於封裝層頂部。
简体摘要：一种发光二极管，包括一发光二极管芯片、封装该发光二极管芯片的一封装层及设置在该封装层内的多个第一萤光粉颗粒和多个第二萤光粉颗粒，第一萤光粉颗粒的激发效率比第二萤光粉颗粒的激发效率低，第一萤光粉颗粒的密度大于封装层的密度，第二萤光粉颗粒的密度等于或小于封装层的密度，第一萤光粉颗粒位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，第二萤光粉颗粒位于封装层顶部。

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