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1. 发明专利

TWI402848B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI402848B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW097137973
申请日：2008-10-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：長富靖 , NAGADOMI, YASUSHI , 高島大三郎 , TAKASHIMA, DAISABURO , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE
IPC分类号： G11C16/02 , G11C11/56
CPC分类号： G11C16/349 , G06F11/1068 , G11C11/005 , G11C16/3431

2. 发明专利

TWI397815B 記憶體系統失效
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI397815B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098104988
申请日：2009-02-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：長富靖 , NAGADOMI, YASUSHI
IPC分类号： G06F12/02 , G11C8/18
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/061 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F11/1441 , G06F12/06 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7206 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208

3. 发明专利

TW201643874A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201643874A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105107654
申请日：2016-03-11
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：長冨靖 , NAGADOMI, YASUSHI , 星聡 , HOSHI, SATORU
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/1012 , G11C7/106 , G11C7/1087 , G11C8/06 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/32 , G11C2211/5642
摘要：本發明之實施形態提供一種動作速度得到提高之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置包含：記憶胞陣列；感測放大器，其與上述記憶胞陣列連接；第1資料鎖存器，其與輸入輸出電路連接；第2資料鎖存器，其與上述輸入輸出電路連接；資料匯流排，其連接於上述感測放大器、上述第1資料鎖存器及上述第2資料鎖存器；及第3資料鎖存器，其連接於上述資料匯流排，且配置於上述感測放大器與上述第1資料鎖存器或上述第2資料鎖存器之間。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种动作速度得到提高之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备包含：记忆胞数组；传感放大器，其与上述记忆胞数组连接；第1数据锁存器，其与输入输出电路连接；第2数据锁存器，其与上述输入输出电路连接；数据总线，其连接于上述传感放大器、上述第1数据锁存器及上述第2数据锁存器；及第3数据锁存器，其连接于上述数据总线，且配置于上述传感放大器与上述第1数据锁存器或上述第2数据锁存器之间。

4. 发明专利

TWI409640B 記憶體系統有权
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI409640B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098106020
申请日：2009-02-25
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：長富靖 , NAGADOMI, YASUSHI
IPC分类号： G06F13/20
CPC分类号： G11C16/32

5. 发明专利

TW201511022A 非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201511022A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103106117
申请日：2014-02-24
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：長富靖 , NAGADOMI, YASUSHI
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/44
CPC分类号： G11C29/42 , G11C29/025 , G11C2029/0409 , G11C2029/1204 , G11C2029/4402
摘要：本實施形態提供一種提高資料可靠性之非揮發性半導體記憶裝置。實施形態之非揮發性半導體記憶裝置之特徵在於包括：第1記憶體串，其包含第1記憶胞、第2記憶胞；第1字元線，其連接於上述第1記憶胞之控制閘極；第2字元線，其連接於上述第2記憶胞之控制閘極；及周邊電路，其控制資料之寫入順序、資料之讀出順序；且上述周邊電路於執行對於上述第1記憶胞之寫入順序或上述讀出順序之情形時，執行對上述第1字元線及上述第2字元線施加正的第1通過電壓之不良偵測動作。
简体摘要：本实施形态提供一种提高数据可靠性之非挥发性半导体记忆设备。实施形态之非挥发性半导体记忆设备之特征在于包括：第1内存串，其包含第1记忆胞、第2记忆胞；第1字符线，其连接于上述第1记忆胞之控制闸极；第2字符线，其连接于上述第2记忆胞之控制闸极；及周边电路，其控制数据之写入顺序、数据之读出顺序；且上述周边电路于运行对于上述第1记忆胞之写入顺序或上述读出顺序之情形时，运行对上述第1字符线及上述第2字符线施加正的第1通过电压之不良侦测动作。

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