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1. 发明专利

TW569512B 半導體雷射裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW569512B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091119592
申请日：2002-08-28
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：玄永康一 , 田中明 , 伊藤義行 , 渡邊實 , 奧田肇
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要：本發明之解決手段為提供一種半導體雷射裝置，具備第1導電型包覆層(103)，與被設置於其上的活性層(107)，與被設置於其上，並在其上部具有對雷射共振方向平行延設之隆起部的第2導電型包覆層(108，110)，與被設置於前述隆起部的兩側的電流阻止層(113)，利用前述電流阻止層縮窄通路的電流會介由前述隆起部的上面而被注入前述活性層，前述第1導電型及第2導電型的包覆層由大致相同組成的半導體所形成，前述第1導電型包覆層的層厚是大於包含前述第2導電型包覆層的前述隆起部的層厚的半導體雷射裝置。
简体摘要：本发明之解决手段为提供一种半导体激光设备，具备第1导电型包覆层(103)，与被设置于其上的活性层(107)，与被设置于其上，并在其上部具有对激光共振方向平行延设之隆起部的第2导电型包覆层(108，110)，与被设置于前述隆起部的两侧的电流阻止层(113)，利用前述电流阻止层缩窄通路的电流会介由前述隆起部的上面而被注入前述活性层，前述第1导电型及第2导电型的包覆层由大致相同组成的半导体所形成，前述第1导电型包覆层的层厚是大于包含前述第2导电型包覆层的前述隆起部的层厚的半导体激光设备。

2. 发明专利

TW200306044A 半導體雷射及其製造方法失效
简体标题：半导体激光及其制造方法
公开(公告)号：TW200306044A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092105510
申请日：2003-03-13
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 , 田中宏和 , 伊藤義行 , 玄永康一
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
摘要：在實折射率波導型的半導體雷射之中，得到高輸出的半導體雷射。本發明係提供一種半導體雷射，其特徵為具備：第1導電型披覆層、藉由電流注入放射光的活性層、第1的第2導電型披覆層、作為脊型波導電路的第2的第2導電型披覆層、隔著前述第2的第2導電型披覆層而形成於其兩側而具有較前述第1和第2的第2導電型披覆層大的帶間隙（bandgap）的阻流層、以導入電流於前述第2的第2導電型披覆層而具有僅阻止流向上述阻流層的洩漏電流的流入的移動度所構成的第3的第2導電型披覆層。
简体摘要：在实折射率波导型的半导体激光之中，得到高输出的半导体激光。本发明系提供一种半导体激光，其特征为具备：第1导电型披覆层、借由电流注入放射光的活性层、第1的第2导电型披覆层、作为嵴型波导电路的第2的第2导电型披覆层、隔着前述第2的第2导电型披覆层而形成于其两侧而具有较前述第1和第2的第2导电型披覆层大的带间隙（bandgap）的阻流层、以导入电流于前述第2的第2导电型披覆层而具有仅阻止流向上述阻流层的泄漏电流的流入的移动度所构成的第3的第2导电型披覆层。

3. 发明专利

TWI445205B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI445205B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101109123
申请日：2012-03-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：玄永康一 , GENEI, KOICHI , 松永德彥 , MATSUNAGA, TOKUHIKO , 近藤且章 , KONDO, KATSUFUMI , 布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405

4. 发明专利

TW201306305A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201306305A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101109123
申请日：2012-03-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：玄永康一 , GENEI, KOICHI , 松永德彥 , MATSUNAGA, TOKUHIKO , 近藤且章 , KONDO, KATSUFUMI , 布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405
摘要：其中一個實施形態之半導體發光元件，具備：發光層、具有反射金屬層之第1電極、絕緣層、第1及第2導電型層、及第2電極。前述絕緣層設置於前述第1電極上，且具有開口部，該開口部內設置前述第1電極的一部分。前述第1導電型層設置於前述絕緣層和前述第1電極的前述一部分與前述發光層之間，具有較前述發光層的帶隙能量更大之帶隙能量。前述第1導電型層至少包含第1接觸層、成分漸變層及第1披覆層。前述第2導電型層設置於前述發光層上。前述第2導電型層至少具有電流擴散層及第2接觸層。前述第2接觸層未與前述絕緣膜的前述開口部重疊，前述電流擴散層的厚度較前述第1接觸層的厚度來得大。前述第2電極具有銲墊部與較細部分，該較細部分於前述第2接觸層上延伸存在。
简体摘要：其中一个实施形态之半导体发光组件，具备：发光层、具有反射金属层之第1电极、绝缘层、第1及第2导电型层、及第2电极。前述绝缘层设置于前述第1电极上，且具有开口部，该开口部内设置前述第1电极的一部分。前述第1导电型层设置于前述绝缘层和前述第1电极的前述一部分与前述发光层之间，具有较前述发光层的带隙能量更大之带隙能量。前述第1导电型层至少包含第1接触层、成分渐变层及第1披覆层。前述第2导电型层设置于前述发光层上。前述第2导电型层至少具有电流扩散层及第2接触层。前述第2接触层未与前述绝缘膜的前述开口部重叠，前述电流扩散层的厚度较前述第1接触层的厚度来得大。前述第2电极具有焊垫部与较细部分，该较细部分于前述第2接触层上延伸存在。

5. 外观设计

TW534723S 發光元件(一) 失效
简体标题：发光组件(一)
公开(公告)号：TW534723S
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090305976
申请日：2001-09-14
申请人：東芝股份有限公司
设计人：飯田清次 , 島田直弘 , 福岡和雄 , 玄永康一 , 河本聰
摘要：本創作係有關一種發光元件(一)之新式樣設計，該發光件是內裝一作為光拾波器光源所用的半導體雷射，主要是用於個人電腦的光碟驅動器等；由各圖觀之，該發光元件之上方為一略呈帽形之主體，該主體具有一圓筒形部，且於圓筒形部的頂面形成一淺凹部；此外該圓筒形部的另一端配置一略呈圓盤形之座部，該座部的詳細形狀乃如第2圖所示，分別於左右兩側具有對稱狀的V字狀缺口，以及後側之ㄇ字形缺口外，其前側及後側均呈平直狀的切面設計，除此之外，在圓筒形部及座部之間具有一環淺凸；另如第5圖及第6圖所示，於座部的下方設置多根細長形圓柱體，在該圓柱體的底端亦即座部之底面設有圓形凹部以及圓形凸緣之設計；綜上所述，本創作不僅整個外觀造型呈現出精巧細緻規劃完善的設計概念，且無論以何種角度來審視，均屬上乘之創作，確為一深具美感性及創新性之特殊設計。
简体摘要：本创作系有关一种发光组件(一)之新式样设计，该发光件是内装一作为光十波器光源所用的半导体激光，主要是用于个人电脑的光盘驱动器等；由各图观之，该发光组件之上方为一略呈帽形之主体，该主体具有一圆筒形部，且于圆筒形部的顶面形成一浅凹部；此外该圆筒形部的另一端配置一略呈圆盘形之座部，该座部的详细形状乃如第2图所示，分别于左右两侧具有对称状的V字状缺口，以及后侧之ㄇ字形缺口外，其前侧及后侧均呈平直状的切面设计，除此之外，在圆筒形部及座部之间具有一环浅凸；另如第5图及第6图所示，于座部的下方设置多根细长形圆柱体，在该圆柱体的底端亦即座部之底面设有圆形凹部以及圆形凸缘之设计；综上所述，本创作不仅整个外观造型呈现出精巧细致规划完善的设计概念，且无论以何种角度来审视，均属上乘之创作，确为一深具美感性及创新性之特殊设计。

6. 外观设计

TW534722S 發光元件(二) 失效
简体标题：发光组件(二)
公开(公告)号：TW534722S
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090305975
申请日：2001-09-14
申请人：東芝股份有限公司
设计人：飯田清次 , 島田直弘 , 福岡和雄 , 玄永康一 , 河本聰
摘要：本創作係有關一種發光元件(二)之新式樣設計，該發光件是內裝一作為光拾波器光源所用的半導體雷射，主要是用於個人電腦的光碟驅動器等；由各圖觀之，該發光元件之上方為一略呈帽形之主體，該主體具有一圓筒形部，且於圓筒形部的頂面形成一淺凹部；此外該圓筒形部的另一端配置一略呈圓盤形之座部，該座部的詳細形狀乃如第2圖所示，其具有呈對稱狀之V字狀缺口，以及呈平直狀之切面的設計；除此之外，更在圓筒形部及座部之間具有一環淺凸緣；另如第5圖及第6圖所示，於座部的下方設置多根細長形圓柱體，在該圓柱體的底端亦即座部之底面設有圓形凹部以及圓形凸緣之設計；綜上所述，本創作不僅整個外觀造型呈現出精巧細緻規劃完善的設計概念，且無論以何種角度來審視，均屬上乘之創作，確為一深具美感性及創新性之特殊設計。
简体摘要：本创作系有关一种发光组件(二)之新式样设计，该发光件是内装一作为光十波器光源所用的半导体激光，主要是用于个人电脑的光盘驱动器等；由各图观之，该发光组件之上方为一略呈帽形之主体，该主体具有一圆筒形部，且于圆筒形部的顶面形成一浅凹部；此外该圆筒形部的另一端配置一略呈圆盘形之座部，该座部的详细形状乃如第2图所示，其具有呈对称状之V字状缺口，以及呈平直状之切面的设计；除此之外，更在圆筒形部及座部之间具有一环浅凸缘；另如第5图及第6图所示，于座部的下方设置多根细长形圆柱体，在该圆柱体的底端亦即座部之底面设有圆形凹部以及圆形凸缘之设计；综上所述，本创作不仅整个外观造型呈现出精巧细致规划完善的设计概念，且无论以何种角度来审视，均属上乘之创作，确为一深具美感性及创新性之特殊设计。

7. 发明专利

TW552751B 半導體雷射裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW552751B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW090122266
申请日：2001-09-07
申请人：東芝股份有限公司
发明人：玄永康一 , 福岡和雄 , 飯田清次 , 岡田真琴
IPC分类号： G11B , H01L , H01S
CPC分类号： G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/02236 , H01S5/02252 , H01S5/4087
摘要：本發明係提供一種半導體雷射裝置及其製造方法，其係半導體雷射晶片具有出射雷射光束之出射面。副安裝座係至少具有第1面及至少與上述第1面垂直之第2面。於副安裝座第1面上設置上述半導體雷射晶片。與上述半導體雷射晶片的上述出射面平行之第2面，係以3度以上30度以下的角度傾斜於上述出射面。該上述傾斜的第2面，將從上述半導體雷射晶片出射之雷射光束所繞射的副光束之反射光予以反射。
简体摘要：本发明系提供一种半导体激光设备及其制造方法，其系半导体激光芯片具有出射激光光束之出射面。副安装座系至少具有第1面及至少与上述第1面垂直之第2面。于副安装座第1面上设置上述半导体激光芯片。与上述半导体激光芯片的上述出射面平行之第2面，系以3度以上30度以下的角度倾斜于上述出射面。该上述倾斜的第2面，将从上述半导体激光芯片出射之激光光束所绕射的副光束之反射光予以反射。

8. 外观设计

TW534721S 發光元件(三) 失效
简体标题：发光组件(三)
公开(公告)号：TW534721S
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090305974
申请日：2001-09-14
申请人：東芝股份有限公司
设计人：飯田清次 , 島田直弘 , 福岡和雄 , 玄永康一 , 河本聰
摘要：本創作係有關一種發光元件(三)之新式樣設計，該發光件是內裝一作為光拾波器光源所用的半導體雷射，主要是用於個人電腦的光碟驅動器等；由各圖觀之，該發光元件之上方為一略呈帽形之主體，該主體具有一圓筒形部，且於圓筒形部的頂面形成一淺凹部；此外該圓筒形部的另一端配置一略呈圓盤形之座部，該座部的詳細形狀乃如第2圖所示，其具有呈對稱狀之V字狀缺口，以及呈平直狀之切面的設計，除此之外，更在圓筒形部及座部之間具有一環淺凸緣；另如第5圖及第6圖所示，於座部的下方設置多根細長形圓柱體，在該圓柱體的底端亦即座部之底面設有圓形凹部以及圓形凸緣之設計；綜上所述，本創作不僅整個外觀造型呈現出精巧細緻規劃完善的設計概念，且無論以何種角度來審視，均屬上乘之創作，確為一深具美感性及創新性之特殊設計。
简体摘要：本创作系有关一种发光组件(三)之新式样设计，该发光件是内装一作为光十波器光源所用的半导体激光，主要是用于个人电脑的光盘驱动器等；由各图观之，该发光组件之上方为一略呈帽形之主体，该主体具有一圆筒形部，且于圆筒形部的顶面形成一浅凹部；此外该圆筒形部的另一端配置一略呈圆盘形之座部，该座部的详细形状乃如第2图所示，其具有呈对称状之V字状缺口，以及呈平直状之切面的设计，除此之外，更在圆筒形部及座部之间具有一环浅凸缘；另如第5图及第6图所示，于座部的下方设置多根细长形圆柱体，在该圆柱体的底端亦即座部之底面设有圆形凹部以及圆形凸缘之设计；综上所述，本创作不仅整个外观造型呈现出精巧细致规划完善的设计概念，且无论以何种角度来审视，均属上乘之创作，确为一深具美感性及创新性之特殊设计。

9. 发明专利

TW497309B 光半導體雷射裝置及其製造方法有权
简体标题：光半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW497309B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW090104420
申请日：2001-02-27
申请人：東芝股份有限公司
发明人：岡田真琴 , 玄永康一
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0287 , H01S5/4087
摘要：一種光半導體雷射裝置及其製造方法，其目的在於單片式構造二波長半導體雷射裝置中，提供具所需反射率並可一次形成的端面膜，同時信賴性高，且滿足所需性能，並生產性高的二波長半導體雷射裝置。
在單片式構造二波長半導體雷射裝置中，於更戰器前端面18上設有前端面膜19，而在共振器後端面21上設有由多層膜所組成的高反射端面膜22。前端面膜19係採用低折射率材料，並依使反射率呈20%狀態設定膜厚。另，高反射端面膜22係由低折射率材料與高折射率材料薄膜交互疊層，並依使反射率呈80%狀態設定膜厚。二端面膜的膜厚，係採用二半導體雷射二極體的振盪波長平均值λm=(λ1+λ2)/2，依光學長度d=(l/4+j)xλm公式計算出。
简体摘要：一种光半导体激光设备及其制造方法，其目的在於单片式构造二波长半导体激光设备中，提供具所需反射率并可一次形成的端面膜，同时信赖性高，且满足所需性能，并生产性高的二波长半导体激光设备。在单片式构造二波长半导体激光设备中，于更战器前端面18上设有前端面膜19，而在共振器后端面21上设有由多层膜所组成的高反射端面膜22。前端面膜19系采用低折射率材料，并依使反射率呈20%状态设置膜厚。另，高反射端面膜22系由低折射率材料与高折射率材料薄膜交互叠层，并依使反射率呈80%状态设置膜厚。二端面膜的膜厚，系采用二半导体激光二极管的振荡波长平均值λm=(λ1+λ2)/2，依光学长度d=(l/4+j)xλm公式计算出。

10. 发明专利

TW463430B 半導體雷射裝置有权
简体标题：半导体激光设备
公开(公告)号：TW463430B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089115874
申请日：2000-08-07
申请人：東芝股份有限公司
发明人：玄永康一 , 鹽澤秀夫 , 田中明
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：本發明係提供一種減低包覆層（c1ad 1ayer）與活性層之界面所發生之帶隙（band gap）不連續現象，以提高動作電壓，動作電流之半導體雷射裝置。
本發明之解決手段之半導體雷射，係具有於結晶基板，與發射設在第一波長之雷射光之第一雷射元件部，與和射出在結晶基板上之第一波長不同之第二雷射光之第二雷射元件部者，其特徵為；第一雷射元件部，係具有膜厚為0.01μm以上，０．１μm以下之體（bu1k）構造之活性層，第二雷射元件部，係具有量子井層（quantam well1ayer）與障壁層（barrier 1ayer）之積層構造之活性層。
简体摘要：本发明系提供一种减低包覆层（c1ad 1ayer）与活性层之界面所发生之带隙（band gap）不连续现象，以提高动作电压，动作电流之半导体激光设备。本发明之解决手段之半导体激光，系具有于结晶基板，与发射设在第一波长之激光光之第一激光组件部，与和射出在结晶基板上之第一波长不同之第二激光光之第二激光组件部者，其特征为；第一激光组件部，系具有膜厚为0.01μm以上，０．１μm以下之体（bu1k）构造之活性层，第二激光组件部，系具有量子井层（quantam well1ayer）与障壁层（barrier 1ayer）之积层构造之活性层。

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