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1. 发明专利

TW201306305A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201306305A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101109123
申请日：2012-03-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：玄永康一 , GENEI, KOICHI , 松永德彥 , MATSUNAGA, TOKUHIKO , 近藤且章 , KONDO, KATSUFUMI , 布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405
摘要：其中一個實施形態之半導體發光元件，具備：發光層、具有反射金屬層之第1電極、絕緣層、第1及第2導電型層、及第2電極。前述絕緣層設置於前述第1電極上，且具有開口部，該開口部內設置前述第1電極的一部分。前述第1導電型層設置於前述絕緣層和前述第1電極的前述一部分與前述發光層之間，具有較前述發光層的帶隙能量更大之帶隙能量。前述第1導電型層至少包含第1接觸層、成分漸變層及第1披覆層。前述第2導電型層設置於前述發光層上。前述第2導電型層至少具有電流擴散層及第2接觸層。前述第2接觸層未與前述絕緣膜的前述開口部重疊，前述電流擴散層的厚度較前述第1接觸層的厚度來得大。前述第2電極具有銲墊部與較細部分，該較細部分於前述第2接觸層上延伸存在。
简体摘要：其中一个实施形态之半导体发光组件，具备：发光层、具有反射金属层之第1电极、绝缘层、第1及第2导电型层、及第2电极。前述绝缘层设置于前述第1电极上，且具有开口部，该开口部内设置前述第1电极的一部分。前述第1导电型层设置于前述绝缘层和前述第1电极的前述一部分与前述发光层之间，具有较前述发光层的带隙能量更大之带隙能量。前述第1导电型层至少包含第1接触层、成分渐变层及第1披覆层。前述第2导电型层设置于前述发光层上。前述第2导电型层至少具有电流扩散层及第2接触层。前述第2接触层未与前述绝缘膜的前述开口部重叠，前述电流扩散层的厚度较前述第1接触层的厚度来得大。前述第2电极具有焊垫部与较细部分，该较细部分于前述第2接触层上延伸存在。

2. 发明专利

TWI545799B 半導體發光裝置有权
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TWI545799B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103122148
申请日：2014-06-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI , 藤村一夫 , FUJIMURA, KAZUO , 伊藤信也 , ITO, SHINYA
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/504 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0091

3. 发明专利

TW201537780A 半導體發光裝置审中-公开
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TW201537780A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103124605
申请日：2014-07-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：藤村一夫 , FUJIMURA, KAZUO , 山崎宏德 , YAMASAKI, HIRONORI , 小野正 , ONO, TADASHI , 久保晉作 , KUBO, SHINSAKU , 布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
摘要：本發明提供一種可提高向設有電極側之相反側之光提取效率之半導體發光裝置。一實施形態之半導體發光裝置於半導體層之第1側、及晶片外周部之第2絕緣膜上，設有對發光層之放射光具有透過性之光學層。於半導體層之第1側設置複數個凸部與複數個凹部，且凸部之頂部較晶片外周部之光學層之第2絕緣膜側之端更位於第2側。
简体摘要：本发明提供一种可提高向设有电极侧之相反侧之光提取效率之半导体发光设备。一实施形态之半导体发光设备于半导体层之第1侧、及芯片外周部之第2绝缘膜上，设有对发光层之放射光具有透过性之光学层。于半导体层之第1侧设置复数个凸部与复数个凹部，且凸部之顶部较芯片外周部之光学层之第2绝缘膜侧之端更位于第2侧。

4. 发明专利

TWI478384B 半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI478384B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101108452
申请日：2012-03-13
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI , 赤池康彥 , AKAIKE, YASUHIKO , 夏目嘉德 , NATSUME, YOSHINORI , 古川和由 , FURUKAWA, KAZUYOSHI
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/60

5. 发明专利

TW201327905A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201327905A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101108452
申请日：2012-03-13
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI , 赤池康彥 , AKAIKE, YASUHIKO , 夏目嘉德 , NATSUME, YOSHINORI , 古川和由 , FURUKAWA, KAZUYOSHI
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/60
摘要：相關於本實施型態之半導體發光元件，具備：支撐基板、設於前述支撐基板上的接合層、設於前述接合層上的LED層、以及比前述接合層更為軟質之緩衝層。前述緩衝層，被配置於前述支撐基板與前述接合層之間，以及前述接合層與前述LED層之間之一方。
简体摘要：相关于本实施型态之半导体发光组件，具备：支撑基板、设于前述支撑基板上的接合层、设于前述接合层上的LED层、以及比前述接合层更为软质之缓冲层。前述缓冲层，被配置于前述支撑基板与前述接合层之间，以及前述接合层与前述LED层之间之一方。

6. 发明专利

TW200301973A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200301973A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：TW092100257
申请日：2003-01-07
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：吉武春二 , 高橋幸一 , 布谷伸仁 , 大橋健一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/105 , H01L33/16
摘要：本發明有關於發光二極體(LED)或半導體雷射(LD)等之半導體發光元件。揭示有，具備：基板、及疊層於上述基板上之，含有發光層之多層之半導體膜所成，而從與基板側之相反側之面，取出光之多層之半導體膜，在於上述多層半導體膜之光取出部，形成有，由(111)面所成或由(111)面附近之面所成之光取出面之備有光取出面之圖樣，在於該光取出而形成有凹凸之半導體發光元件。
简体摘要：本发明有关于发光二极管(LED)或半导体激光(LD)等之半导体发光组件。揭示有，具备：基板、及叠层于上述基板上之，含有发光层之多层之半导体膜所成，而从与基板侧之相反侧之面，取出光之多层之半导体膜，在于上述多层半导体膜之光取出部，形成有，由(111)面所成或由(111)面附近之面所成之光取出面之备有光取出面之图样，在于该光取出而形成有凹凸之半导体发光组件。

7. 发明专利

TW201537778A 半導體發光裝置审中-公开
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TW201537778A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103122148
申请日：2014-06-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI , 藤村一夫 , FUJIMURA, KAZUO , 伊藤信也 , ITO, SHINYA
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/504 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0091
摘要：本發明提供一種可靠性較高之半導體發光裝置。第2絕緣膜係設於第1佈線部與第2佈線部之間、及與半導體層之側面相鄰之晶片外周部。光學層係設於第1側、及晶片外周部之第2絕緣膜上，且相對於發光層之放射光具有透過性。於與光學層相接之側具有粗糙面之膜係設於晶片外周部之第2絕緣膜與光學層之間。
简体摘要：本发明提供一种可靠性较高之半导体发光设备。第2绝缘膜系设于第1布线部与第2布线部之间、及与半导体层之侧面相邻之芯片外周部。光学层系设于第1侧、及芯片外周部之第2绝缘膜上，且相对于发光层之放射光具有透过性。于与光学层相接之侧具有粗糙面之膜系设于芯片外周部之第2绝缘膜与光学层之间。

8. 发明专利

TW588469B 半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW588469B
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：TW092100257
申请日：2003-01-07
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：吉武春二 , 高橋幸一 , 布谷伸仁 , 大橋健一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/105 , H01L33/16
摘要：本發明有關於發光二極體(LED)或半導體雷射(LD)等之半導體發光元件。
揭示有，具備：基板、及疊層於上述基板上之，含有發光層之多層之半導體膜所成，而從與基板側之相反側之面，取出光之多層之半導體膜，
在於上述多層半導體膜之光取出部，形成有，由(111)面所成或由(111)面附近之面所成之光取出面之備有光取出面之圖樣，在於該光取出而形成有凹凸之半導體發光元件。
简体摘要：本发明有关于发光二极管(LED)或半导体激光(LD)等之半导体发光组件。揭示有，具备：基板、及叠层于上述基板上之，含有发光层之多层之半导体膜所成，而从与基板侧之相反侧之面，取出光之多层之半导体膜，在于上述多层半导体膜之光取出部，形成有，由(111)面所成或由(111)面附近之面所成之光取出面之备有光取出面之图样，在于该光取出而形成有凹凸之半导体发光组件。

9. 发明专利

TWI550910B 半導體發光裝置有权
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TWI550910B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103124605
申请日：2014-07-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：藤村一夫 , FUJIMURA, KAZUO , 山崎宏德 , YAMASAKI, HIRONORI , 小野正 , ONO, TADASHI , 久保晉作 , KUBO, SHINSAKU , 布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091

10. 发明专利

TW201613140A 半導體發光元件及發光裝置审中-公开
简体标题：半导体发光组件及发光设备
公开(公告)号：TW201613140A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106371
申请日：2015-02-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：岡本倫太郎 , OKAMOTO, RINTARO , 布谷伸仁 , NUNOTANI, SHINJI
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種抑制光強度下降之半導體發光元件及發光裝置。實施形態之半導體發光元件包括：半導體基板，其包含：第1面、與上述第1面為相反側之第2面、及與上述第1面及上述第2面相連之第3面；第1光反射膜，其覆蓋上述半導體基板之上述第3面之至少一部分；及積層體，其設置於上述半導體基板之上述第2面側，包含：第1半導體層、第2半導體層、及設置於上述第1半導體層與上述第2半導體層之間的發光層。
简体摘要：本发明提供一种抑制光强度下降之半导体发光组件及发光设备。实施形态之半导体发光组件包括：半导体基板，其包含：第1面、与上述第1面为相反侧之第2面、及与上述第1面及上述第2面相连之第3面；第1光反射膜，其覆盖上述半导体基板之上述第3面之至少一部分；及积层体，其设置于上述半导体基板之上述第2面侧，包含：第1半导体层、第2半导体层、及设置于上述第1半导体层与上述第2半导体层之间的发光层。

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