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1. 发明专利

TWI481076B 半導體發光裝置、使用其之照明器具以及該半導體發光裝置之製造程序有权
简体标题：半导体发光设备、使用其之照明器具以及该半导体发光设备之制造进程
公开(公告)号：TWI481076B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW099130066
申请日：2010-09-06
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：藤本明 , FUJIMOTO, AKIRA , 北川良太 , KITAGAWA, RYOTA , 堤榮史 , TSUTSUMI, EISHI , 淺川鋼兒 , ASAKAWA, KOJI
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44

2. 发明专利

TWI407588B 半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI407588B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW098108580
申请日：2009-03-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：北川良太 , KITAGAWA, RYOTA , 淺川鋼兒 , ASAKAWA, KOJI , 藤本明 , FUJIMOTO, AKIRA , 中西務 , NAKANISHI, TSUTOMU , 堤榮史 , TSUTSUMI, EISHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2933/0091

3. 发明专利

TW200952219A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200952219A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098108580
申请日：2009-03-17
申请人：東芝股份有限公司
发明人：北川良太 , 淺川鋼兒 , 藤本明 , 中西務 , 堤榮史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2933/0091
摘要：提供半導體發光元件，其顯示良好之歐姆接觸，具備可以全面發光的電極材料。光取出側之電極層，係具有貫穿之多數開口部，該金屬部位之任意2點間呈無縫之連續狀，對開口部無阻礙的連續狀金屬部位之直線距離為，活化層所產生之發光波長之1／3以下之部位成為全面積之90%以上，平均開口部徑成為10nm以上、上述發光波長之1／3以下之範圍，電極層之膜厚為10nm以上、200nm以下之範圍，於上述電極層與上述半導體層形成良好之歐姆接觸。
简体摘要：提供半导体发光组件，其显示良好之欧姆接触，具备可以全面发光的电极材料。光取出侧之电极层，系具有贯穿之多数开口部，该金属部位之任意2点间呈无缝之连续状，对开口部无阻碍的连续状金属部位之直线距离为，活化层所产生之发光波长之1／3以下之部位成为全面积之90%以上，平均开口部径成为10nm以上、上述发光波长之1／3以下之范围，电极层之膜厚为10nm以上、200nm以下之范围，于上述电极层与上述半导体层形成良好之欧姆接触。

4. 发明专利

TW201131814A 半導體發光裝置、使用其之照明器具以及該半導體發光裝置之製造程序 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING INSTRUMENT EMPLOYING THE SAME AND PROCESS FOR PRODUCTION OF THE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光设备、使用其之照明器具以及该半导体发光设备之制造进程 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING INSTRUMENT EMPLOYING THE SAME AND PROCESS FOR PRODUCTION OF THE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201131814A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099130066
申请日：2010-09-06
申请人：東芝股份有限公司
发明人：藤本明 , 北川良太 , 堤榮史 , 淺川鋼兒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44
摘要：根據實施例之半導體發光裝置包括:基板;化合物半導體層;設置有特定開口之金屬電極層;光析取層;及相對電極。光析取層具有20nm至120nm的厚度,及至少局部覆蓋金屬電極層的金屬部;或者不然,光析取層具有粗糙結構,及至少局部覆蓋金屬電極層的金屬部。粗糙結構具有突出物,其被配置成使其峰頂以100nm至600nm的間距來定位,及峰頂距金屬電極層的表面之高度為200nm至700nm。
简体摘要：根据实施例之半导体发光设备包括:基板;化合物半导体层;设置有特定开口之金属电极层;光析取层;及相对电极。光析取层具有20nm至120nm的厚度,及至少局部覆盖金属电极层的金属部;或者不然,光析取层具有粗糙结构,及至少局部覆盖金属电极层的金属部。粗糙结构具有突出物,其被配置成使其峰顶以100nm至600nm的间距来定位,及峰顶距金属电极层的表面之高度为200nm至700nm。

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