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1. 发明专利

TW201640597A 半導體裝置之製造裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201640597A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105100072
申请日：2016-01-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：三浦正幸 , MIURA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75502 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/7592 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2924/3512 , H01L2924/014
摘要：本發明之實施形態提供一種可容易地進行半導體裝置之製造之半導體裝置之製造裝置及半導體裝置之製造方法。實施形態之半導體裝置之製造裝置包括：載台；頭部，其與上述載台對向配置，可保持半導體元件；驅動部，其可使上述頭部沿與上述頭部及上述載台交叉之第一方向移動，並且對上述頭部施加負載；負載感測器，其檢測上述頭部之負載值；及控制部，其具備第一動作與第二動作，上述第一動作係藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台，上述第二動作係檢測上述負載值之變化而使上述半導體元件與上述頭部切離。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可容易地进行半导体设备之制造之半导体设备之制造设备及半导体设备之制造方法。实施形态之半导体设备之制造设备包括：载台；头部，其与上述载台对向配置，可保持半导体组件；驱动部，其可使上述头部沿与上述头部及上述载台交叉之第一方向移动，并且对上述头部施加负载；负载传感器，其检测上述头部之负载值；及控制部，其具备第一动作与第二动作，上述第一动作系借由驱动上述驱动部而使上述头部接近上述载台，上述第二动作系检测上述负载值之变化而使上述半导体组件与上述头部切离。

2. 发明专利

TW201511213A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201511213A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102148508
申请日：2013-12-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：河崎一茂 , KAWASAKI, KAZUSHIGE , 栗田洋一郎 , KURITA, YOICHIRO , 築山慧至 , TSUKIYAMA, SATOSHI , 三浦正幸 , MIURA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/367 , H01L21/4817 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種難以剝離為了謀求散熱性之提高而露出之金屬板之半導體裝置。本發明提供一種包括金屬板1、複數個半導體晶片3、絕緣層6a、配線層6b、外部連接端子19、及密封樹脂部2之半導體裝置10。金屬板1具有呈方形形狀之第1面1a。複數個半導體晶片3係積層於金屬板1之第2面1g上。絕緣層6a及配線層6b係相對於半導體晶片3而設置於金屬板1之相反側。外部連接端子19係相對於絕緣層6a及配線層6b而設置於半導體晶片3之相反側。密封樹脂部2係使金屬板1之第1面1a露出，並且密封半導體晶片3。金屬板1之自第1面1a之外周邊連續之外周面中的至少1個對向之2個面係由密封樹脂部2覆蓋。
简体摘要：本发明提供一种难以剥离为了谋求散热性之提高而露出之金属板之半导体设备。本发明提供一种包括金属板1、复数个半导体芯片3、绝缘层6a、配线层6b、外部连接端子19、及密封树脂部2之半导体设备10。金属板1具有呈方形形状之第1面1a。复数个半导体芯片3系积层于金属板1之第2面1g上。绝缘层6a及配线层6b系相对于半导体芯片3而设置于金属板1之相反侧。外部连接端子19系相对于绝缘层6a及配线层6b而设置于半导体芯片3之相反侧。密封树脂部2系使金属板1之第1面1a露出，并且密封半导体芯片3。金属板1之自第1面1a之外周边连续之外周面中的至少1个对向之2个面系由密封树脂部2覆盖。

3. 发明专利

TWI581363B 半導體製造裝置有权
简体标题：半导体制造设备
公开(公告)号：TWI581363B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104106722
申请日：2015-03-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：深山真哉 , FUKAYAMA, SHINYA , 尾山幸史 , OYAMA, YUKIFUMI , 三浦正幸 , MIURA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L23/48

4. 发明专利

TW201316486A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201316486A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101134048
申请日：2012-09-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：三浦正幸 , MIURA, MASAYUKI , 加本拓 , KAMOTO, TAKU , 佐藤隆夫 , SATO, TAKAO
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/568 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L27/115 , H01L2224/05554 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要：在一實施形態中，本發明之半導體裝置包含配置於中介基板上之晶片積層體與搭載於晶片積層體上之介面晶片。晶片積層體經由設於除了位於積層順序最下段之半導體晶片以外之半導體晶片內之貫通電極及凸塊電極電性連接。介面晶片經由形成於位於積層順序最上段之半導體晶片之表面之再佈線層或設於介面晶片內之貫通電極與中介基板電性連接。
简体摘要：在一实施形态中，本发明之半导体设备包含配置于中介基板上之芯片积层体与搭载于芯片积层体上之界面芯片。芯片积层体经由设于除了位于积层顺序最下段之半导体芯片以外之半导体芯片内之贯通电极及凸块电极电性连接。界面芯片经由形成于位于积层顺序最上段之半导体芯片之表面之再布线层或设于界面芯片内之贯通电极与中介基板电性连接。

5. 发明专利

TW201644033A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201644033A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104142826
申请日：2015-12-18
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：三浦正幸 , MIURA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/538 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/16145
摘要：本發明之實施形態提供一種可減少半導體晶片之積層構造安裝時對半導體晶片造成損傷之半導體裝置及半導體裝置之製造方法。實施形態之半導體裝置係藉由積層半導體晶片P1~P8而構成晶片積層體TA1，間隔件8配置於與焊墊電極10之至少一部分重合之位置，將密封樹脂12一體地填充間隔SP1、SP2，且一體地密封晶片積層體TA1。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可减少半导体芯片之积层构造安装时对半导体芯片造成损伤之半导体设备及半导体设备之制造方法。实施形态之半导体设备系借由积层半导体芯片P1~P8而构成芯片积层体TA1，间隔件8配置于与焊垫电极10之至少一部分重合之位置，将密封树脂12一体地填充间隔SP1、SP2，且一体地密封芯片积层体TA1。

8. 发明专利

TW201613025A 半導體製造裝置审中-公开
简体标题：半导体制造设备
公开(公告)号：TW201613025A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106722
申请日：2015-03-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：深山真哉 , FUKAYAMA, SHINYA , 尾山幸史 , OYAMA, YUKIFUMI , 三浦正幸 , MIURA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L23/48
摘要：本發明之半導體製造裝置1可提高半導體晶片之凸塊連接性，具備：接合頭2，其包括彈性體夾頭5及夾頭保持器6，該彈性體夾頭5與於兩個面設置有凸塊電極42、44之半導體晶片4之一表面抵接並進行吸附，該夾頭保持器6保持彈性體夾頭5；平台3，其載置被連接零件7，該被連接零件7具有與凸塊電極44對應之被連接電極72；及驅動機構，其使接合頭2與平台3相對移動以使半導體晶片4移動至被連接零件7上，且對半導體晶片4施加荷重。彈性體夾頭5及夾頭保持器6中之至少一者之接觸面於包含凸塊電極44之形成區域之正上方之位置具備凸部62。
简体摘要：本发明之半导体制造设备1可提高半导体芯片之凸块连接性，具备：接合头2，其包括弹性体夹头5及夹头保持器6，该弹性体夹头5与于两个面设置有凸块电极42、44之半导体芯片4之一表面抵接并进行吸附，该夹头保持器6保持弹性体夹头5；平台3，其载置被连接零件7，该被连接零件7具有与凸块电极44对应之被连接电极72；及驱动机构，其使接合头2与平台3相对移动以使半导体芯片4移动至被连接零件7上，且对半导体芯片4施加荷重。弹性体夹头5及夹头保持器6中之至少一者之接触面于包含凸块电极44之形成区域之正上方之位置具备凸部62。

10. 发明专利

TW201214585A 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201214585A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100130014
申请日：2011-08-22
申请人：東芝股份有限公司
发明人：佐藤隆夫 , 三浦正幸 , 加本拓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81801 , H01L2224/85 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：於1個實施形態中，依序於支持基板上形成剝離層與配線層。於配線層上安裝複數個半導體晶片。複數個半導體晶片係利用密封樹脂層成批地密封。利用保持體平坦地保持樹脂密封體整體，並對剝離層一面進行加熱一面進行剪斷，使樹脂密封體自支持基板中分離。一面維持由保持體平坦地保持已分離之樹脂密封體之狀態，一面於冷卻後解除保持體對樹脂密封體之保持狀態。切斷樹脂密封體11使電路構成體單片化。
简体摘要：于1个实施形态中，依序于支持基板上形成剥离层与配线层。于配线层上安装复数个半导体芯片。复数个半导体芯片系利用密封树脂层成批地密封。利用保持体平坦地保持树脂密封体整体，并对剥离层一面进行加热一面进行剪断，使树脂密封体自支持基板中分离。一面维持由保持体平坦地保持已分离之树脂密封体之状态，一面于冷却后解除保持体对树脂密封体之保持状态。切断树脂密封体11使电路构成体单片化。

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