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1. 发明专利

TWI483079B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI483079B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101130308
申请日：2012-08-21
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽原英志 , SHIOBARA, EISHI
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/095 , G03F7/16

2. 发明专利

TWI351583B 在微影步驟所進行之基板處理方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：在微影步骤所进行之基板处理方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI351583B
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW096120146
申请日：2007-06-05
申请人：東芝股份有限公司
发明人：早崎圭 , 鹽原英志
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/67109 , G03F7/091 , G03F7/168
摘要：本發明之基板處理方法係逐片地加熱處理塗佈含溶劑之膜之被處理基板。一面使特定流量之氣體流向前述被處理基板上，一面將被加熱之熱板與前述被處理基板接近地配置，藉以特定時間加熱前述被處理基板。其次，一面使加熱至含被塗佈於前述被處理基板上之前述溶劑之膜所含之物質之昇華溫度以上之氣體流向前述被處理基板上，一面將前述被處理基板冷卻至低於含前述溶劑之膜所含之物質之昇華溫度之溫度。
简体摘要：本发明之基板处理方法系逐片地加热处理涂布含溶剂之膜之被处理基板。一面使特定流量之气体流向前述被处理基板上，一面将被加热之热板与前述被处理基板接近地配置，借以特定时间加热前述被处理基板。其次，一面使加热至含被涂布于前述被处理基板上之前述溶剂之膜所含之物质之升华温度以上之气体流向前述被处理基板上，一面将前述被处理基板冷却至低于含前述溶剂之膜所含之物质之升华温度之温度。

3. 发明专利

TWI332419B 基板處理裝置及基板處理方法失效
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI332419B
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW096117429
申请日：2007-05-16
申请人：東芝股份有限公司
发明人：鹽原英志 , 加藤寬和 , 三吉靖郎 , 伊藤信一
IPC分类号： B05C , G03F
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：本發明係可抑制起因於在最終過濾器二次側產生之粒子或在噴嘴前端產生之粒子等之塗佈缺陷。本發明之基板處理裝置具備：載置被處理基板10之試料台11；用於對基板10供給藥液之第1線路；用於供給藥液清洗的清洗液之第2線路；與第1線路和第2線路相連接，選擇任何一方而引導至基板側之三向閥26；設於第1線路之三向閥26之上游側，除去藥液中之異物之過濾器24；及設於三向閥26之下游側，噴出由該三向閥26所選擇之藥液或清洗液之噴嘴28；在基板10上塗佈藥液之情形，係藉由三向閥26選擇第1線路，在其以外之情形，係藉由三向閥26選擇第2線路。
简体摘要：本发明系可抑制起因于在最终过滤器二次侧产生之粒子或在喷嘴前端产生之粒子等之涂布缺陷。本发明之基板处理设备具备：载置被处理基板10之试料台11；用于对基板10供给药液之第1线路；用于供给药液清洗的清洗液之第2线路；与第1线路和第2线路相连接，选择任何一方而引导至基板侧之三向阀26；设于第1线路之三向阀26之上游侧，除去药液中之异物之过滤器24；及设于三向阀26之下游侧，喷出由该三向阀26所选择之药液或清洗液之喷嘴28；在基板10上涂布药液之情形，系借由三向阀26选择第1线路，在其以外之情形，系借由三向阀26选择第2线路。

4. 发明专利

TW201327057A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201327057A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101130308
申请日：2012-08-21
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽原英志 , SHIOBARA, EISHI
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/095 , G03F7/16
摘要：根據實施形態，本發明之圖案形成方法包含如下步驟：於被處理體上形成光阻膜，該光阻膜包含感光性物質，且具有感光性物質之濃度於底部側高於表面側，且感光性物質之濃度最大之部分位於較厚度方向之中央更靠底部側之濃度分佈；自表面側對光阻膜照射光；及對光阻膜照射光後，顯影光阻膜。
简体摘要：根据实施形态，本发明之图案形成方法包含如下步骤：于被处理体上形成光阻膜，该光阻膜包含感光性物质，且具有感光性物质之浓度于底部侧高于表面侧，且感光性物质之浓度最大之部分位于较厚度方向之中央更靠底部侧之浓度分布；自表面侧对光阻膜照射光；及对光阻膜照射光后，显影光阻膜。

5. 发明专利

TWI320877B 圖案形成方法失效
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI320877B
公开(公告)日：2010-02-21
申请号：TW095100919
申请日：2006-01-10
申请人：東芝股份有限公司
发明人：鹽原英志 , 近藤丈博 , 小林祐二 , 庄浩太郎
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/3088 , Y10S430/151
摘要：本發明之圖案形成方法包含於被加工膜上形成光阻圖案。形成光罩圖案，其包含光阻圖案、與形成於光阻圖案表面的樹脂膜。並且，使光罩圖案變得細長。【創作特點】本發明之第1態樣之圖案形成方法具備：於被加工膜上形成光阻圖案，形成光罩圖案，其包括上述光阻圖案、與形成於上述光阻圖案表面的樹脂膜，且使上述光罩圖案細長。
本發明之第2態樣之圖案形成方法具備：於被加工膜上形成光阻圖案，形成光罩圖案，其包括上述光阻圖案、與形成於上述光阻圖案表面的樹脂膜，藉由將上述光罩圖案作為光罩且對上述被加工膜進行蝕刻而形成被加工膜圖案，且使上述被加工膜圖案變得細長。
本發明之第3態樣之圖案形成方法具備：於被加工膜上形成光罩膜，於上述光罩膜上塗敷包含樹脂之樹脂溶液，使用上述樹脂溶液，形成藉由上述樹脂之相互交聯而形成之交聯層、與將形成於上述交聯層上且未交聯之上述樹脂作為主要成分之非交聯層，並除去上述非交聯層，而於上述交聯層上形成光阻圖案。
本發明之第4態樣之圖案形成方法具備：於底層構件上形成被加工膜，於上述被加工膜上形成光阻膜，於上述光阻膜形成潛像圖案；藉由將形成有上述潛像圖案之上述光阻膜以不溶解上述被加工膜之第1溶液而顯像，從而於上述光阻膜形成光阻圖案，於上述光阻圖案上，塗敷不溶解上述被加工膜且包含樹脂之樹脂溶液，使用上述樹脂溶液，於上述光阻圖案之表面形成藉由上述樹脂之相互交聯而形成之交聯層，並且，形成將未交聯之上述樹脂作為主要成分之非交聯層，除去上述非交聯層，使用不溶解上述交聯層第2溶液對上述光阻圖案及上述交聯層相互間之上述被加工膜進行蝕刻。
简体摘要：本发明之图案形成方法包含于被加工膜上形成光阻图案。形成光罩图案，其包含光阻图案、与形成于光阻图案表面的树脂膜。并且，使光罩图案变得细长。【创作特点】本发明之第1态样之图案形成方法具备：于被加工膜上形成光阻图案，形成光罩图案，其包括上述光阻图案、与形成于上述光阻图案表面的树脂膜，且使上述光罩图案细长。本发明之第2态样之图案形成方法具备：于被加工膜上形成光阻图案，形成光罩图案，其包括上述光阻图案、与形成于上述光阻图案表面的树脂膜，借由将上述光罩图案作为光罩且对上述被加工膜进行蚀刻而形成被加工膜图案，且使上述被加工膜图案变得细长。本发明之第3态样之图案形成方法具备：于被加工膜上形成光罩膜，于上述光罩膜上涂敷包含树脂之树脂溶液，使用上述树脂溶液，形成借由上述树脂之相互交联而形成之交联层、与将形成于上述交联层上且未交联之上述树脂作为主要成分之非交联层，并除去上述非交联层，而于上述交联层上形成光阻图案。本发明之第4态样之图案形成方法具备：于底层构件上形成被加工膜，于上述被加工膜上形成光阻膜，于上述光阻膜形成潜像图案；借由将形成有上述潜像图案之上述光阻膜以不溶解上述被加工膜之第1溶液而显像，从而于上述光阻膜形成光阻图案，于上述光阻图案上，涂敷不溶解上述被加工膜且包含树脂之树脂溶液，使用上述树脂溶液，于上述光阻图案之表面形成借由上述树脂之相互交联而形成之交联层，并且，形成将未交联之上述树脂作为主要成分之非交联层，除去上述非交联层，使用不溶解上述交联层第2溶液对上述光阻图案及上述交联层相互间之上述被加工膜进行蚀刻。

6. 发明专利

TW200409179A 基板處理方法、加熱處理裝置、圖案形成方法审中-公开
简体标题：基板处理方法、加热处理设备、图案形成方法
公开(公告)号：TW200409179A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW092127177
申请日：2003-10-01
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：川野健二 , 伊藤信一 , 鹽原英志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
摘要：本發明抑制PEB處理時，酸再附著於光阻膜。本發明之基板處理方法包含：於基板上形成化學放大型光阻膜之工序；對於前述化學放大型光阻膜照射能量射線，形成潛像之工序；及對於前述化學放大型光阻膜進行加熱處理之工序；前述加熱處理係一面使加熱前述化學放大型光阻膜之加熱部及前述基板相對移動，一面於前述加熱部下面與前述化學放大型光阻膜之間，形成對於前述加熱部之相對移動方向在反方向流動之氣流而進行。
简体摘要：本发明抑制PEB处理时，酸再附着于光阻膜。本发明之基板处理方法包含：于基板上形成化学放大型光阻膜之工序；对于前述化学放大型光阻膜照射能量射线，形成潜像之工序；及对于前述化学放大型光阻膜进行加热处理之工序；前述加热处理系一面使加热前述化学放大型光阻膜之加热部及前述基板相对移动，一面于前述加热部下面与前述化学放大型光阻膜之间，形成对于前述加热部之相对移动方向在反方向流动之气流而进行。

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