专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI459199B 半導體記憶體控制裝置有权
简体标题：半导体内存控制设备
公开(公告)号：TWI459199B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW100128401
申请日：2011-08-09
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 吉井謙一郎 , YOSHII, KENICHIRO
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/1009 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205

2. 发明专利

TWI440042B 半導體儲存裝置及儲存控制方法失效
简体标题：半导体存储设备及存储控制方法
公开(公告)号：TWI440042B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW098130427
申请日：2009-09-09
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU
IPC分类号： G11C7/22
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14

3. 发明专利

TW200952147A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200952147A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097145190
申请日：2008-11-21
申请人：東芝股份有限公司
发明人：淺野滋博 , 菅野伸一 , 矢野純二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5228 , G06F9/4401 , G11C5/005 , G11C5/04 , G11C5/066 , G11C16/0408 , H01L23/60 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：在一單一半導體封裝PK1上，安裝m個半導體晶片CP1至CPm，而該半導體封裝PK1具有由該m個半導體晶片CP1至CPm的m個焊墊電極PD1至PDm共用之外部端子T。一靜電保護電路CD係安裝於該m個半導體晶片CP1至CPm之唯一CPm上。
简体摘要：在一单一半导体封装PK1上，安装m个半导体芯片CP1至CPm，而该半导体封装PK1具有由该m个半导体芯片CP1至CPm的m个焊垫电极PD1至PDm共享之外部端子T。一静电保护电路CD系安装于该m个半导体芯片CP1至CPm之唯一CPm上。

4. 发明专利

TWI473006B 儲存裝置之控制器、儲存裝置及儲存裝置之電腦程式產品失效
简体标题：存储设备之控制器、存储设备及存储设备之电脑进程产品
公开(公告)号：TWI473006B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW100127619
申请日：2011-08-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：福富和弘 , FUKUTOMI, KAZUHIRO , 矢尾浩 , YAO, HIROSHI , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 木村康浩 , KIMURA, YASUHIRO
IPC分类号： G06F3/06 , G06F11/16 , G06F12/16
CPC分类号： G06F11/108 , G06F2211/1059 , G06F2211/1073 , G06F2211/1092

5. 发明专利

TW201202933A 半導體記憶裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体记忆设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201202933A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100106758
申请日：2011-03-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：吉井謙一郎 , 福富和弘 , 菅野伸一 , 淺野滋博
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F11/1048
摘要：根據一實施例，一種半導體記憶裝置包括半導體記憶體晶片，該等半導體記憶體晶片具有寫入有資料之可寫儲存區域。該資料具有第一資料之一或多個片段，且該第一資料之一或多個片段包括第二資料。該裝置包括：一判定單元，其判定寫入有該第一資料之指定數目或更少個半導體記憶體晶片；一寫入控制器，其將該第一資料及自該第二資料計算而得且用於校正該第二資料中之一錯誤的冗餘資訊寫入至該等已判定之半導體記憶體晶片中之該等可寫儲存區域中；及一儲存單元，其儲存彼此相關聯之識別資訊與區域規定資訊。該識別資訊使該第二資料與該冗餘資訊相關聯，且該區域規定資訊規定該等半導體記憶體晶片中寫入有該第二資料中所包括之該第一資料及該冗餘資訊的該等儲存區域。
简体摘要：根据一实施例，一种半导体记忆设备包括半导体内存芯片，该等半导体内存芯片具有写入有数据之可写存储区域。该数据具有第一数据之一或多个片段，且该第一数据之一或多个片段包括第二数据。该设备包括：一判定单元，其判定写入有该第一数据之指定数目或更少个半导体内存芯片；一写入控制器，其将该第一数据及自该第二数据计算而得且用于校正该第二数据中之一错误的冗余信息写入至该等已判定之半导体内存芯片中之该等可写存储区域中；及一存储单元，其存储彼此相关联之识别信息与区域规定信息。该识别信息使该第二数据与该冗余信息相关联，且该区域规定信息规定该等半导体内存芯片中写入有该第二数据中所包括之该第一数据及该冗余信息的该等存储区域。

6. 发明专利

TW201145012A 半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 失效
简体标题：半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201145012A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100104483
申请日：2011-02-10
申请人：東芝股份有限公司
发明人：淺野滋博 , 吉井謙一郎 , 福富和弘 , 菅野伸一
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G11C29/52 , G06F11/1008 , G06F11/1068
摘要：根據一實施例,一種半導體記憶體裝置包含請求對其寫入資料之半導體記憶體晶片。該資料具有一預定單位之一或多段第一資料。該裝置包含:一寫入控制器,其經組態以將該第一資料以及冗餘資訊寫入至不同半導體記憶體晶片中,該冗餘資訊係藉由使用預定數量段之該第一資料而計算,且用於校正該預定數量段之該第一資料中之一錯誤;及一儲存單元,其儲存識別資訊與區指定資訊以使其等互相關聯。該識別資訊使該第一資料與該冗餘資訊相關聯,該區指定資訊指定寫入互相關聯之該等段之第一資料及該冗餘資訊之該等半導體記憶體晶片中之複數個儲存區。
简体摘要：根据一实施例,一种半导体内存设备包含请求对其写入数据之半导体内存芯片。该数据具有一预定单位之一或多段第一数据。该设备包含:一写入控制器,其经组态以将该第一数据以及冗余信息写入至不同半导体内存芯片中,该冗余信息系借由使用预定数量段之该第一数据而计算,且用于校正该预定数量段之该第一数据中之一错误;及一存储单元,其存储识别信息与区指定信息以使其等互相关联。该识别信息使该第一数据与该冗余信息相关联,该区指定信息指定写入互相关联之该等段之第一数据及该冗余信息之该等半导体内存芯片中之复数个存储区。

7. 发明专利

TW201027555A 半導體儲存裝置及儲存控制方法 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND STORAGE CONTROLLING METHOD 失效
简体标题：半导体存储设备及存储控制方法 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND STORAGE CONTROLLING METHOD
公开(公告)号：TW201027555A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098130427
申请日：2009-09-09
申请人：東芝股份有限公司
发明人：菅野伸一 , 淺野滋博 , 橘內和也 , 矢野浩邦 , 檜田敏克
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14
摘要：一種半導體儲存裝置包括:一第一儲存單元,其具有作為資料寫入區之複數個第一區塊;一指令單元,其發出一將資料寫入至該等第一區塊中之寫入指令;一轉換單元,其參考一轉換表將輸入資料之一外部位址轉換為該第一區塊中之一記憶體位置,在該轉換表中,該資料之外部位址與該等第一區塊中之該資料之該等記憶體位置相關聯;及一判斷單元,其基於該輸入資料之該等記憶體位置判斷該等第一區塊中之任一者是否儲存與該外部位址相關聯之有效資料,其中該指令單元在該等第一區塊中之任一者未儲存該有效資料時發出將該資料寫入至未儲存該有效資料之該第一區塊中的該寫入指令。
简体摘要：一种半导体存储设备包括:一第一存储单元,其具有作为数据写入区之复数个第一区块;一指令单元,其发出一将数据写入至该等第一区块中之写入指令;一转换单元,其参考一转换表将输入数据之一外部位址转换为该第一区块中之一内存位置,在该转换表中,该数据之外部位址与该等第一区块中之该数据之该等内存位置相关联;及一判断单元,其基于该输入数据之该等内存位置判断该等第一区块中之任一者是否存储与该外部位址相关联之有效数据,其中该指令单元在该等第一区块中之任一者未存储该有效数据时发出将该数据写入至未存储该有效数据之该第一区块中的该写入指令。

9. 发明专利

TWI397916B 半導體儲存裝置有权
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TWI397916B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW097144965
申请日：2008-11-20
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 矢野純二 , YANO, JUNJI
IPC分类号： G11C29/52 , G11C16/02
CPC分类号： G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431

10. 发明专利

TWI396083B 半導體儲存裝置失效
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TWI396083B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097151099
申请日：2008-12-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/00 , G11C16/02
CPC分类号： G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式