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1. 发明专利

TWI317051B 描繪圖案形成方法、光阻圖案形成方法、曝光裝置控制方法及半導體裝置製造方法有权
简体标题：描绘图案形成方法、光阻图案形成方法、曝光设备控制方法及半导体设备制造方法
公开(公告)号：TWI317051B
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：TW094111860
申请日：2005-04-14
申请人：東芝股份有限公司
发明人：河村大輔 , 伊藤信一
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/70341 , G03F7/70433 , G03F7/70441
摘要：本發明於形成光阻膜之局部區域液膜而進行曝光之浸液曝光中，為提高所形成之光阻圖案的精度，而提供一種形成於光罩之光罩圖案的描繪圖案形成方法。求出上述單位曝光區域之上述光阻膜與上述液膜之接觸經歷值的代表性分佈(步驟ST12)。將對應於第1圖案資料之圖案分割成與上述接觸經歷值之代表性分佈相應的複數個區域(步驟ST19)。依據與上述接觸經歷值相應之規則，進行分割後各區域所含之圖案的校正(步驟ST20)。
简体摘要：本发明于形成光阻膜之局部区域液膜而进行曝光之浸液曝光中，为提高所形成之光阻图案的精度，而提供一种形成于光罩之光罩图案的描绘图案形成方法。求出上述单位曝光区域之上述光阻膜与上述液膜之接触经历值的代表性分布(步骤ST12)。将对应于第1图案数据之图案分割成与上述接触经历值之代表性分布相应的复数个区域(步骤ST19)。依据与上述接触经历值相应之守则，进行分割后各区域所含之图案的校正(步骤ST20)。

2. 发明专利

TW200425252A 圖案形成方法及使用其之半導體裝置失效
简体标题：图案形成方法及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TW200425252A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093112661
申请日：2004-05-05
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：庄浩太郎 , 柴田剛 , 加藤寬和 , 大西廉伸 , 河村大輔
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/31116 , H01L21/76801
摘要：本發明之圖案形成方法係在半導體基體上之被加工層13上，將光阻圖案化而形成第1圖案層14a。形成光阻圖案後，利用附加處理縮小第1圖案層14a。其次，在第1圖案層14a之間，使用耐蝕刻性較大之材料形成埋入膜15後，施行平坦化處理後，除去第1圖案層14a。藉此，殘留第2圖案層15a。使用此第2圖案層蝕刻底層之被加工層13。再以底層之被加工層13為掩摸，例如蝕刻Al膜12。
简体摘要：本发明之图案形成方法系在半导体基体上之被加工层13上，将光阻图案化而形成第1图案层14a。形成光阻图案后，利用附加处理缩小第1图案层14a。其次，在第1图案层14a之间，使用耐蚀刻性较大之材料形成埋入膜15后，施行平坦化处理后，除去第1图案层14a。借此，残留第2图案层15a。使用此第2图案层蚀刻底层之被加工层13。再以底层之被加工层13为掩摸，例如蚀刻Al膜12。

3. 发明专利

TWI317080B 光罩資料修正方法、光罩之製造方法、電腦可讀取之記錄媒體、光學像的預測方法、抗蝕劑圖案的形狀預測方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩数据修正方法、光罩之制造方法、电脑可读取之记录媒体、光学像的预测方法、抗蚀剂图案的形状预测方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI317080B
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：TW094105467
申请日：2005-02-23
申请人：東芝股份有限公司
发明人：福原和也 , 河村大輔 , 三本木省次
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G03F7/705 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70133 , G03F7/70433
摘要：本發明係提供一種考慮實際之曝光裝置之特性的光罩資料之修正方法、光罩、光罩資料之修正程式。本發明係用於作成於光微影步驟中使用之光罩時的光罩資料之修正方法，基於使用曝光裝置之包含照明亮度分佈不均勻性的資訊之模擬，進行光罩資料之修正，該曝光裝置係使用利用由上述修正結果獲得之光罩資料而作成的光罩。
简体摘要：本发明系提供一种考虑实际之曝光设备之特性的光罩数据之修正方法、光罩、光罩数据之修正进程。本发明系用于作成于光微影步骤中使用之光罩时的光罩数据之修正方法，基于使用曝光设备之包含照明亮度分布不均匀性的信息之仿真，进行光罩数据之修正，该曝光设备系使用利用由上述修正结果获得之光罩数据而作成的光罩。

4. 发明专利

TWI317968B 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI317968B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW095114890
申请日：2006-04-26
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一 , 松永健太郎 , 河村大輔 , 大西廉伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/162
摘要：本發明係關於一種圖案形成方法，其係包含：於被加工膜上形成感光性樹脂膜；在上述感光性樹脂膜上以塗佈法形成保護上述感光性樹脂膜用的保護膜；介由浸潤液選擇性地對上述感光性樹脂膜之一部分區域浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；在形成上述保護膜後、且於含上述感光性樹脂膜的一部分區域選擇性地浸潤式曝光前，自上述保護膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留物質；去除上述保護膜；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜的曝光區域或非曝光區域，藉此形成含上述感光性樹脂膜之圖案。【創作特點】本發明之一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：在被加工膜上形成感光性樹脂膜；以塗佈法於上述感光性樹脂膜上形成保護上述感光性樹脂膜之用的保護膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；形成上述保護膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，自上述保護膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留物質；去除上述保護膜；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：以塗佈法於被加工膜上形成感光性樹脂膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；形成上述感光性樹脂膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，自上述感光性樹脂膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留溶劑；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：於被加工膜上形成感光性樹脂膜；以塗佈法於上述感光性樹脂膜上形成保護上述感光性樹脂膜之用的保護膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；在形成上述保護膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，令上述保護膜表面平滑化；去除上述保護膜；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：以塗佈法於被加工膜上形成感光性樹脂膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；形成上述感光性樹脂膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，令上述感光性樹脂膜表面平滑化；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：以塗佈法於上述感光性樹脂膜上形成保護上述感光性樹脂膜之用的保護膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；使用第1顯影液去除上述保護膜，上述第1顯影液係具有上述保護膜之溶解速度變得較上述感光性樹脂膜之溶解速度快的濃度者；以及使用較上述第1顯影液濃度高的第2顯影液，選擇性地去除上述感光性樹脂膜的曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於包含半導體基板之基板上形成光阻圖案，上述光阻圖案係以本發明的樣態之一的圖案形成方法所形成；以及以上述光阻圖案為遮罩蝕刻上述基板，藉此形成圖案。
简体摘要：本发明系关于一种图案形成方法，其系包含：于被加工膜上形成感光性树脂膜；在上述感光性树脂膜上以涂布法形成保护上述感光性树脂膜用的保护膜；介由浸润液选择性地对上述感光性树脂膜之一部分区域浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后、且于含上述感光性树脂膜的一部分区域选择性地浸润式曝光前，自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质；去除上述保护膜；以及选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域，借此形成含上述感光性树脂膜之图案。【创作特点】本发明之一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：在被加工膜上形成感光性树脂膜；以涂布法于上述感光性树脂膜上形成保护上述感光性树脂膜之用的保护膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；形成上述保护膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质；去除上述保护膜；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：以涂布法于被加工膜上形成感光性树脂膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；形成上述感光性树脂膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，自上述感光性树脂膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留溶剂；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：于被加工膜上形成感光性树脂膜；以涂布法于上述感光性树脂膜上形成保护上述感光性树脂膜之用的保护膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，令上述保护膜表面平滑化；去除上述保护膜；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：以涂布法于被加工膜上形成感光性树脂膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；形成上述感光性树脂膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，令上述感光性树脂膜表面平滑化；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：以涂布法于上述感光性树脂膜上形成保护上述感光性树脂膜之用的保护膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；使用第1显影液去除上述保护膜，上述第1显影液系具有上述保护膜之溶解速度变得较上述感光性树脂膜之溶解速度快的浓度者；以及使用较上述第1显影液浓度高的第2显影液，选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种半导体设备之制造方法，其系包含：于包含半导体基板之基板上形成光阻图案，上述光阻图案系以本发明的样态之一的图案形成方法所形成；以及以上述光阻图案为遮罩蚀刻上述基板，借此形成图案。

5. 发明专利

TWI223321B 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI223321B
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092109474
申请日：2003-04-23
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤寬和 , 大西廉伸 , 鹽原英志 , 河村大輔 , 中村裕子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
摘要：本發明之圖案形成方法，其包含有以下步驟：在基板上設置被加工膜；在上述被加工膜上設置光阻膜；對上述光阻膜進行圖案化處理；覆蓋上述經圖案化之光阻膜並將感放射線性化合物之膜設在上述被加工膜上；對上述感放射線性化合物之膜施予放射線熙射及顯影處理以使上述光阻膜之上面露出，且對上述感放射線性化合物之膜進行圖案化處理；以及將上述經圖案化的感放射線性化合物之膜當作掩模以去除上述光阻膜，同時加工上述被加工膜。
简体摘要：本发明之图案形成方法，其包含有以下步骤：在基板上设置被加工膜；在上述被加工膜上设置光阻膜；对上述光阻膜进行图案化处理；覆盖上述经图案化之光阻膜并将感放射线性化合物之膜设在上述被加工膜上；对上述感放射线性化合物之膜施予放射线熙射及显影处理以使上述光阻膜之上面露出，且对上述感放射线性化合物之膜进行图案化处理；以及将上述经图案化的感放射线性化合物之膜当作掩模以去除上述光阻膜，同时加工上述被加工膜。

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