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1. 发明专利

TW200945047A 記憶系統 MEMORY SYSTEM 失效
简体标题：记忆系统 MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW200945047A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097136969
申请日：2008-09-25
申请人：東芝股份有限公司
发明人：菅野伸一 , 矢野浩邦 , 檜田敏克 , 橘內和也 , 矢野純二
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G11C16/349 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/16 , G11C29/76
摘要：本發明揭示一種記憶系統，其包括：一非揮發性記憶體，其包括作為資料抹除單元的複數個區塊；一測量單元，其測量一抹除各區塊中之資料的抹除時間；一區塊控制器，其具有一區塊表，該區塊表將一指示一可用狀態與一使用狀態中之一者的一狀態值與各區塊之該抹除時間相關聯；一偵測器，其偵測在一短期間內已共同發生重寫的區塊；一第一選擇器，其基於該區塊表中之一資訊來選擇具有一舊抹除時間之一可用區塊作為一第一區塊；一第二選擇器，其基於該區塊表中之該資訊來選擇具有一舊抹除時間之一使用中區塊作為一第二區塊；以及一平均抹寫單元，若藉由該偵測器偵測的區塊中包括該第一區塊，則該平均抹寫單元將該第二區塊中的資料移至該第一區塊。
简体摘要：本发明揭示一种记忆系统，其包括：一非挥发性内存，其包括作为数据抹除单元的复数个区块；一测量单元，其测量一抹除各区块中之数据的抹除时间；一区块控制器，其具有一区块表，该区块表将一指示一可用状态与一使用状态中之一者的一状态值与各区块之该抹除时间相关联；一侦测器，其侦测在一短期间内已共同发生重写的区块；一第一选择器，其基于该区块表中之一信息来选择具有一旧抹除时间之一可用区块作为一第一区块；一第二选择器，其基于该区块表中之该信息来选择具有一旧抹除时间之一使用中区块作为一第二区块；以及一平均抹写单元，若借由该侦测器侦测的区块中包括该第一区块，则该平均抹写单元将该第二区块中的数据移至该第一区块。

2. 发明专利

TWI440042B 半導體儲存裝置及儲存控制方法失效
简体标题：半导体存储设备及存储控制方法
公开(公告)号：TWI440042B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW098130427
申请日：2009-09-09
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU
IPC分类号： G11C7/22
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14

3. 发明专利

TWI397916B 半導體儲存裝置有权
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TWI397916B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW097144965
申请日：2008-11-20
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 矢野純二 , YANO, JUNJI
IPC分类号： G11C29/52 , G11C16/02
CPC分类号： G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431

4. 发明专利

TWI396083B 半導體儲存裝置失效
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TWI396083B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097151099
申请日：2008-12-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/00 , G11C16/02
CPC分类号： G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628

5. 发明专利

TWI400613B 記憶體系統有权
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI400613B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW097135364
申请日：2008-09-15
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 矢野純二 , YANO, JUNJI
IPC分类号： G06F13/14 , G11C16/04
CPC分类号： G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0647 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211

6. 发明专利

TW201027555A 半導體儲存裝置及儲存控制方法 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND STORAGE CONTROLLING METHOD 失效
简体标题：半导体存储设备及存储控制方法 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND STORAGE CONTROLLING METHOD
公开(公告)号：TW201027555A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098130427
申请日：2009-09-09
申请人：東芝股份有限公司
发明人：菅野伸一 , 淺野滋博 , 橘內和也 , 矢野浩邦 , 檜田敏克
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14
摘要：一種半導體儲存裝置包括:一第一儲存單元,其具有作為資料寫入區之複數個第一區塊;一指令單元,其發出一將資料寫入至該等第一區塊中之寫入指令;一轉換單元,其參考一轉換表將輸入資料之一外部位址轉換為該第一區塊中之一記憶體位置,在該轉換表中,該資料之外部位址與該等第一區塊中之該資料之該等記憶體位置相關聯;及一判斷單元,其基於該輸入資料之該等記憶體位置判斷該等第一區塊中之任一者是否儲存與該外部位址相關聯之有效資料,其中該指令單元在該等第一區塊中之任一者未儲存該有效資料時發出將該資料寫入至未儲存該有效資料之該第一區塊中的該寫入指令。
简体摘要：一种半导体存储设备包括:一第一存储单元,其具有作为数据写入区之复数个第一区块;一指令单元,其发出一将数据写入至该等第一区块中之写入指令;一转换单元,其参考一转换表将输入数据之一外部位址转换为该第一区块中之一内存位置,在该转换表中,该数据之外部位址与该等第一区块中之该数据之该等内存位置相关联;及一判断单元,其基于该输入数据之该等内存位置判断该等第一区块中之任一者是否存储与该外部位址相关联之有效数据,其中该指令单元在该等第一区块中之任一者未存储该有效数据时发出将该数据写入至未存储该有效数据之该第一区块中的该写入指令。

7. 发明专利

TWI386808B 記憶系統失效
简体标题：记忆系统
公开(公告)号：TWI386808B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097136969
申请日：2008-09-25
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 矢野浩邦 , YANO, HIROKUNI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU , 橘內和也 , KITSUNAI, KAZUYA , 矢野純二 , YANO, JUNJI
IPC分类号： G06F13/14 , G06F13/20
CPC分类号： G11C16/349 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/16 , G11C29/76

8. 发明专利

TW200949537A 半導體儲存裝置 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE 失效
简体标题：半导体存储设备 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TW200949537A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097151099
申请日：2008-12-26
申请人：東芝股份有限公司
发明人：矢野浩邦 , 菅野伸一 , 檜田敏克 , 松崎秀則 , 橘內和也 , 淺野滋博
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
摘要：本發明揭示一種半導體儲存裝置，其包括：一第一記憶體區域11，其係組態於一揮發性半導體記憶體中；第二及第三記憶體區域12及13，其係組態於一非揮發性半導體記憶體中；以及一控制器10，其執行下列處理。該控制器10執行：一第一處理，其用於藉由第一單元儲存複數個資料於該第一記憶體區域中；一第二處理，其用於藉由一第一管理單元儲存自該第一記憶體區域輸出的資料於該第二記憶體區域中；以及一第三處理，其用於藉由一第二管理單元儲存自該第一記憶體區域輸出的資料於該第三記憶體區域中。
简体摘要：本发明揭示一种半导体存储设备，其包括：一第一内存区域11，其系组态于一挥发性半导体内存中；第二及第三内存区域12及13，其系组态于一非挥发性半导体内存中；以及一控制器10，其运行下列处理。该控制器10运行：一第一处理，其用于借由第一单元存储复数个数据于该第一内存区域中；一第二处理，其用于借由一第一管理单元存储自该第一内存区域输出的数据于该第二内存区域中；以及一第三处理，其用于借由一第二管理单元存储自该第一内存区域输出的数据于该第三内存区域中。

9. 发明专利

TW200941488A 半導體儲存裝置 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体存储设备 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TW200941488A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097144965
申请日：2008-11-20
申请人：東芝股份有限公司
发明人：檜田敏克 , 菅野伸一 , 矢野浩邦 , 橘內和也 , 淺野滋博 , 矢野純二
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431
摘要：本發明提供一種半導體儲存裝置作為可有效率地執行一再新操作的一半導體儲存裝置，其包含一非揮發性半導體記憶體，其按區塊來儲存資料，該區塊係一資料抹除單元；及一控制單元，其監控儲存於選自該等區塊之一受監控區塊內之資料的一錯誤計數並再新在其中該錯誤計數等於或大於一臨限值的該受監控區塊內之資料。
简体摘要：本发明提供一种半导体存储设备作为可有效率地运行一再新操作的一半导体存储设备，其包含一非挥发性半导体内存，其按区块来存储数据，该区块系一数据抹除单元；及一控制单元，其监控存储于选自该等区块之一受监控区块内之数据的一错误计数并再新在其中该错误计数等于或大于一临限值的该受监控区块内之数据。

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