专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI412039B 記憶體系統失效
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI412039B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW098105827
申请日：2009-02-24
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野純二 , YANO, JUNJI , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0866 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F2212/1032 , G06F2212/2022 , G06F2212/7203

2. 发明专利

TW200949537A 半導體儲存裝置 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE 失效
简体标题：半导体存储设备 SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TW200949537A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097151099
申请日：2008-12-26
申请人：東芝股份有限公司
发明人：矢野浩邦 , 菅野伸一 , 檜田敏克 , 松崎秀則 , 橘內和也 , 淺野滋博
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
摘要：本發明揭示一種半導體儲存裝置，其包括：一第一記憶體區域11，其係組態於一揮發性半導體記憶體中；第二及第三記憶體區域12及13，其係組態於一非揮發性半導體記憶體中；以及一控制器10，其執行下列處理。該控制器10執行：一第一處理，其用於藉由第一單元儲存複數個資料於該第一記憶體區域中；一第二處理，其用於藉由一第一管理單元儲存自該第一記憶體區域輸出的資料於該第二記憶體區域中；以及一第三處理，其用於藉由一第二管理單元儲存自該第一記憶體區域輸出的資料於該第三記憶體區域中。
简体摘要：本发明揭示一种半导体存储设备，其包括：一第一内存区域11，其系组态于一挥发性半导体内存中；第二及第三内存区域12及13，其系组态于一非挥发性半导体内存中；以及一控制器10，其运行下列处理。该控制器10运行：一第一处理，其用于借由第一单元存储复数个数据于该第一内存区域中；一第二处理，其用于借由一第一管理单元存储自该第一内存区域输出的数据于该第二内存区域中；以及一第三处理，其用于借由一第二管理单元存储自该第一内存区域输出的数据于该第三内存区域中。

3. 发明专利

TW200947213A 記憶體系統 MEMORY SYSTEM 失效
简体标题：内存系统 MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW200947213A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098105693
申请日：2009-02-23
申请人：東芝股份有限公司
发明人：矢野純二 , 松崎秀則 , 初田幸輔
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F12/0804 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F2212/1016 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205
摘要：一種控制器係執行：用於以一區段單位將複數個資料寫入第一儲存區中之第一處理；用於以一為該區段單位之兩倍或二以上之自然數倍大的第一管理單位將儲存於該第一儲存區中之該等資料清理至第一輸入緩衝器的第二處理；用於以一為該第一管理單位之兩倍或二以上之自然數倍大的第二管理單位將儲存於該第一儲存區中之該等資料清理至第二輸入緩衝器的第三處理；用於將該第一輸入緩衝器中所有頁被寫入之一邏輯區塊重新定位至該第二儲存區的第四處理；用於將該第二輸入緩衝器中所有頁被寫入之一邏輯區塊重新定位至該第三儲存區的第五處理；及用於以該第二管理單位將儲存於該第二儲存區中之複數個資料清理至該第二輸入緩衝器的第六處理。
简体摘要：一种控制器系运行：用于以一区段单位将复数个数据写入第一存储区中之第一处理；用于以一为该区段单位之两倍或二以上之自然数倍大的第一管理单位将存储于该第一存储区中之该等数据清理至第一输入缓冲器的第二处理；用于以一为该第一管理单位之两倍或二以上之自然数倍大的第二管理单位将存储于该第一存储区中之该等数据清理至第二输入缓冲器的第三处理；用于将该第一输入缓冲器中所有页被写入之一逻辑区块重新定位至该第二存储区的第四处理；用于将该第二输入缓冲器中所有页被写入之一逻辑区块重新定位至该第三存储区的第五处理；及用于以该第二管理单位将存储于该第二存储区中之复数个数据清理至该第二输入缓冲器的第六处理。

4. 发明专利

TW200941218A 記憶系統 MEMORY SYSTEM 审中-公开
简体标题：记忆系统 MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW200941218A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097149480
申请日：2008-12-18
申请人：東芝股份有限公司
发明人：矢野純二 , 松崎秀則 , 初田幸輔
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F2212/1016 , G06F2212/7203
摘要：本發明揭示一種記憶體系統，其包括：一寫入快取區(WC) 21，一主機裝置按磁區單元從WC 21讀出資料並將資料寫入至WC 21；一前級儲存區域(FS) 12，按頁單元從FS 12讀出資料並將資料寫入至FS 12；一主儲存區域(MS) 11，按磁軌單元從MS 11讀出資料並將資料寫入至MS 11；一FS輸入緩衝器(FSIB) 12a，其用作用於FS 12的一輸入緩衝器；及一MS輸入緩衝器(MSIB) 11a，其用作至MS 11的一輸入緩衝器。在FSIB 12a中提供一FSBB 12ac，其具有等於或大於WC 21之一儲存容量的一容量並儲存寫入於WC 21內的資料。管理個別儲存單元的一資料管理單元120在判斷在儲存單元中執行的一種類處理超過預定時間時，暫停經判斷為超過該預定時間的該處理並控制將寫入於WC 21內的資料保存於FS旁通緩衝器(FSBB) 12ac內。
简体摘要：本发明揭示一种内存系统，其包括：一写入缓存区(WC) 21，一主机设备按磁区单元从WC 21读出数据并将数据写入至WC 21；一前级存储区域(FS) 12，按页单元从FS 12读出数据并将数据写入至FS 12；一主存储区域(MS) 11，按磁道单元从MS 11读出数据并将数据写入至MS 11；一FS输入缓冲器(FSIB) 12a，其用作用于FS 12的一输入缓冲器；及一MS输入缓冲器(MSIB) 11a，其用作至MS 11的一输入缓冲器。在FSIB 12a中提供一FSBB 12ac，其具有等于或大于WC 21之一存储容量的一容量并存储写入于WC 21内的数据。管理个别存储单元的一数据管理单元120在判断在存储单元中运行的一种类处理超过预定时间时，暂停经判断为超过该预定时间的该处理并控制将写入于WC 21内的数据保存于FS旁通缓冲器(FSBB) 12ac内。

5. 发明专利

TWI420310B 記憶體系統失效
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI420310B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098105522
申请日：2009-02-20
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野純二 , YANO, JUNJI , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 加藤亮一 , KATO, RYOICHI
IPC分类号： G06F12/06 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7207

6. 发明专利

TWI418983B 記憶體系統及控制記憶體系統之方法失效
简体标题：内存系统及控制内存系统之方法
公开(公告)号：TWI418983B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW098105523
申请日：2009-02-20
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野純二 , YANO, JUNJI , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE , 淺野滋博 , ASANO, SHIGEHIRO , 菅野伸一 , KANNO, SHINICHI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU
IPC分类号： G06F12/16 , G11C16/02
CPC分类号： G06F11/1451 , G06F11/1471 , G06F12/0246 , G06F12/06 , G06F2212/7207 , G11C7/20 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/105

7. 发明专利

TWI388988B 記憶體系統失效
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI388988B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098105828
申请日：2009-02-24
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野純二 , YANO, JUNJI , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU
IPC分类号： G06F13/14 , G11C11/401
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211

8. 发明专利

TW200951717A 記憶體系統 MEMORY SYSTEM 失效
简体标题：内存系统 MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW200951717A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098105523
申请日：2009-02-20
申请人：東芝股份有限公司
发明人：矢野純二 , 松崎秀則 , 初田幸輔 , 淺野滋博 , 菅野伸一 , 檜田敏克
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F11/1451 , G06F11/1471 , G06F12/0246 , G06F12/06 , G06F2212/7207 , G11C7/20 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/105
摘要：一種記憶體系統包括一揮發性第一儲存單元、一非揮發性第二儲存單元及一控制器。該控制器執行資料傳送，將包括儲存於該第二儲存單元中之資料之一儲存位置的管理資訊儲存於該第一儲存單元中，且當更新該管理資訊時執行資料管理。該第二儲存單元具有一管理資訊儲存區，該管理資訊儲存區用於儲存包括一最新狀態中之管理資訊及該管理資訊之一儲存位置的管理資訊儲存資訊。該儲存位置資訊由該控制器在該記憶體系統之一起動操作期間讀取且包括一指示一最新狀態中之管理資訊在該管理資訊儲存區中之一儲存位置的第二指標及一指示該第二指標之一儲存位置的第一指標。該第一指標儲存於該第二儲存單元中之一固定區中且該第二指標儲存於該第二儲存單元中除該固定區之外之一區中。
简体摘要：一种内存系统包括一挥发性第一存储单元、一非挥发性第二存储单元及一控制器。该控制器运行数据发送，将包括存储于该第二存储单元中之数据之一存储位置的管理信息存储于该第一存储单元中，且当更新该管理信息时运行数据管理。该第二存储单元具有一管理信息存储区，该管理信息存储区用于存储包括一最新状态中之管理信息及该管理信息之一存储位置的管理信息存储信息。该存储位置信息由该控制器在该内存系统之一起动操作期间读取且包括一指示一最新状态中之管理信息在该管理信息存储区中之一存储位置的第二指针及一指示该第二指针之一存储位置的第一指针。该第一指针存储于该第二存储单元中之一固定区中且该第二指针存储于该第二存储单元中除该固定区之外之一区中。

9. 发明专利

TWI419159B 記憶體系統失效
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI419159B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW098105314
申请日：2009-02-19
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野純二 , YANO, JUNJI , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE
IPC分类号： G11C11/4096 , G06F13/20
CPC分类号： G11C16/102 , G06F11/141 , G06F11/1443 , G06F11/1471 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/105 , G11C29/00

10. 发明专利

TWI400610B 記憶體系統失效
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI400610B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW098106246
申请日：2009-02-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：矢野純二 , YANO, JUNJI , 松崎秀則 , MATSUZAKI, HIDENORI , 初田幸輔 , HATSUDA, KOSUKE , 檜田敏克 , HIDA, TOSHIKATSU
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/00 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/20 , G06F11/1441 , G11C29/702

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式