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2. 发明专利

TWI322453B 基板處理方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：基板处理方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI322453B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW095112014
申请日：2006-04-04
申请人：東芝股份有限公司
发明人：早崎圭 , 柴田剛 , 庄浩太郎 , 伊藤信一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F27B17/0025 , F27B5/04 , F27D3/0084 , H01L21/67109
摘要：本發明之一形態之基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，在被處理基板之處理及處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，向前述加熱處理裝置內供給包含前述被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體。【創作特點】本發明之一形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將包含前述第1被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，對前述加熱處理裝置內之頂板進行加熱，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶劑之露點以下。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將流量高於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將溫度低於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，使前述供氣流量及前述排氣流量中之至少一方高於前述加熱處理時之流量，將前述被處理基板保持在前述加熱處理裝置內特定時間，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，將前述氣體之溫度降低特定時間，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，一邊供給前述溶劑一邊將前述被處理基板在前述加熱處理裝置內保持特定時間，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊供給已加熱之氣體，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊加熱前述加熱處理裝置內之頂板，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶劑之露點以下，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，打開前述開閉機構，用熱容量較小之機械臂或加熱至特定溫度以上之機械臂將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將包含前述第1被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，對前述加熱處理裝置內之頂板進行加熱，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶劑之露點以下。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將流量高於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將溫度低於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
简体摘要：本发明之一形态之基板处理方法，其系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，在被处理基板之处理及处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，向前述加热处理设备内供给包含前述被处理基板之膜中所含的溶剂之气体。【创作特点】本发明之一形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将包含前述第1被处理基板之膜中所含的溶剂之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，对前述加热处理设备内之顶板进行加热，以便使前述顶板附近之温度不为前述溶剂之露点以下。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将流量高于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将温度低于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，使前述供气流量及前述排气流量中之至少一方高于前述加热处理时之流量，将前述被处理基板保持在前述加热处理设备内特定时间，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，将前述气体之温度降低特定时间，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，一边供给前述溶剂一边将前述被处理基板在前述加热处理设备内保持特定时间，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边供给已加热之气体，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边加热前述加热处理设备内之顶板，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，以便使前述顶板附近之温度不为前述溶剂之露点以下，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，打开前述开闭机构，用热容量较小之机械臂或加热至特定温度以上之机械臂将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将包含前述第1被处理基板之膜中所含的溶剂之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，对前述加热处理设备内之顶板进行加热，以便使前述顶板附近之温度不为前述溶剂之露点以下。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将流量高于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将温度低于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。

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