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1. 发明专利

TW201111920A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201111920A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099103672
申请日：2010-02-06
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一
IPC分类号： G03F , B29C , H01L
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：一種圖案形成方法，其特徵在於：令形成有凹部圖案之模板300與光硬化劑210接觸，在前述凹部圖案內填充前述光硬化劑210，於前述光硬化劑210中形成將前述光硬化劑親水化之親水化成份218，對被填充之前述光硬化劑210照射第1光116而使前述光硬化劑210硬化，在照射前述第一光116後，對前述光硬化劑210照射第二光117，而使前述模板300界面之前述光硬化劑210反應，將前述模板300與前述光硬化劑210離型而形成光硬化劑圖案212。
简体摘要：一种图案形成方法，其特征在于：令形成有凹部图案之模板300与光硬化剂210接触，在前述凹部图案内填充前述光硬化剂210，于前述光硬化剂210中形成将前述光硬化剂亲水化之亲水化成份218，对被填充之前述光硬化剂210照射第1光116而使前述光硬化剂210硬化，在照射前述第一光116后，对前述光硬化剂210照射第二光117，而使前述模板300界面之前述光硬化剂210反应，将前述模板300与前述光硬化剂210离型而形成光硬化剂图案212。

2. 发明专利

TWI332419B 基板處理裝置及基板處理方法失效
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI332419B
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW096117429
申请日：2007-05-16
申请人：東芝股份有限公司
发明人：鹽原英志 , 加藤寬和 , 三吉靖郎 , 伊藤信一
IPC分类号： B05C , G03F
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：本發明係可抑制起因於在最終過濾器二次側產生之粒子或在噴嘴前端產生之粒子等之塗佈缺陷。本發明之基板處理裝置具備：載置被處理基板10之試料台11；用於對基板10供給藥液之第1線路；用於供給藥液清洗的清洗液之第2線路；與第1線路和第2線路相連接，選擇任何一方而引導至基板側之三向閥26；設於第1線路之三向閥26之上游側，除去藥液中之異物之過濾器24；及設於三向閥26之下游側，噴出由該三向閥26所選擇之藥液或清洗液之噴嘴28；在基板10上塗佈藥液之情形，係藉由三向閥26選擇第1線路，在其以外之情形，係藉由三向閥26選擇第2線路。
简体摘要：本发明系可抑制起因于在最终过滤器二次侧产生之粒子或在喷嘴前端产生之粒子等之涂布缺陷。本发明之基板处理设备具备：载置被处理基板10之试料台11；用于对基板10供给药液之第1线路；用于供给药液清洗的清洗液之第2线路；与第1线路和第2线路相连接，选择任何一方而引导至基板侧之三向阀26；设于第1线路之三向阀26之上游侧，除去药液中之异物之过滤器24；及设于三向阀26之下游侧，喷出由该三向阀26所选择之药液或清洗液之喷嘴28；在基板10上涂布药液之情形，系借由三向阀26选择第1线路，在其以外之情形，系借由三向阀26选择第2线路。

3. 发明专利

TWI227514B 半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备之制造设备
公开(公告)号：TWI227514B
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW092104532
申请日：2003-03-04
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 , 東木達彥 HIGASHIKI, TATSUHIKO , 奧村勝彌 , 川野健二 KAWANO, KENJI , 井上壯一 INOUE, SOICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
摘要：本發明提供一種曝光方法，即使不因平板印刷時位置偏差等之檢查結果而進行重新工作，仍可抑制良率降低。本發明係於半導體基板之主面上形成感光性膜(S101)，搬運半導體基板至曝光裝置上(S102)，於前述感光性膜上選擇曝光光罩上檢查符號，於該感光性膜上形成檢查符號之潛像(S105)，至少將形成有檢查符號之潛像區域之前述感光性膜予以加熱，使第二檢查符號圖像浮現(S106)，計測浮現之檢查符號圖像(S107)，因應計測結果，以曝光條件作為設計值之方式，變更選擇曝光時之前述曝光裝置的設定值(S109)，依據所變更之設定位，將光罩上裝置圖案曝光於前述感光性膜上，於該感光性膜上形成裝置圖案之潛像(S110)，將整個前述感光性膜予以加熱(S111)，使前述感光性膜顯像(S112)。
简体摘要：本发明提供一种曝光方法，即使不因平板印刷时位置偏差等之检查结果而进行重新工作，仍可抑制良率降低。本发明系于半导体基板之主面上形成感光性膜(S101)，搬运半导体基板至曝光设备上(S102)，于前述感光性膜上选择曝光光罩上检查符号，于该感光性膜上形成检查符号之潜像(S105)，至少将形成有检查符号之潜像区域之前述感光性膜予以加热，使第二检查符号图像浮现(S106)，计测浮现之检查符号图像(S107)，因应计测结果，以曝光条件作为设计值之方式，变更选择曝光时之前述曝光设备的设置值(S109)，依据所变更之设置位，将光罩上设备图案曝光于前述感光性膜上，于该感光性膜上形成设备图案之潜像(S110)，将整个前述感光性膜予以加热(S111)，使前述感光性膜显像(S112)。

4. 发明专利

TW200307981A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备之制造设备
公开(公告)号：TW200307981A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092104532
申请日：2003-03-04
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 , 東木達彥 , 奧村勝彌 , 川野健二 , 井上壯一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
摘要：本發明提供一種曝光方法，即使不因平板印刷時位置偏差等之檢查結果而進行重新工作，仍可抑制良率降低。本發明係於半導體基板之主面上形成感光性膜（S101），搬運半導體基板至曝光裝置上（S102），於前述感光性膜上選擇曝光掩模上檢查符號，於該感光性膜上形成檢查符號之潛像（S105），至少將形成有檢查符號之潛像區域之前述感光性膜予以加熱，使第二檢查符號圖像浮現（S106），計測浮現之檢查符號圖像（S107），因應計測結果，以曝光條件作為設計值之方式，變更選擇曝光時之前述曝光裝置的設定值（S109），依據所變更之設定值，將掩模上裝置圖案曝光於前述感光性膜上，於該感光性膜上形成裝置圖案之潛像（S110），將整個前述感光性膜予以加熱（S111），使前述感光性膜顯像（S112）。
简体摘要：本发明提供一种曝光方法，即使不因平板印刷时位置偏差等之检查结果而进行重新工作，仍可抑制良率降低。本发明系于半导体基板之主面上形成感光性膜（S101），搬运半导体基板至曝光设备上（S102），于前述感光性膜上选择曝光掩模上检查符号，于该感光性膜上形成检查符号之潜像（S105），至少将形成有检查符号之潜像区域之前述感光性膜予以加热，使第二检查符号图像浮现（S106），计测浮现之检查符号图像（S107），因应计测结果，以曝光条件作为设计值之方式，变更选择曝光时之前述曝光设备的设置值（S109），依据所变更之设置值，将掩模上设备图案曝光于前述感光性膜上，于该感光性膜上形成设备图案之潜像（S110），将整个前述感光性膜予以加热（S111），使前述感光性膜显像（S112）。

5. 发明专利

TWI317968B 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI317968B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW095114890
申请日：2006-04-26
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一 , 松永健太郎 , 河村大輔 , 大西廉伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/162
摘要：本發明係關於一種圖案形成方法，其係包含：於被加工膜上形成感光性樹脂膜；在上述感光性樹脂膜上以塗佈法形成保護上述感光性樹脂膜用的保護膜；介由浸潤液選擇性地對上述感光性樹脂膜之一部分區域浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；在形成上述保護膜後、且於含上述感光性樹脂膜的一部分區域選擇性地浸潤式曝光前，自上述保護膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留物質；去除上述保護膜；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜的曝光區域或非曝光區域，藉此形成含上述感光性樹脂膜之圖案。【創作特點】本發明之一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：在被加工膜上形成感光性樹脂膜；以塗佈法於上述感光性樹脂膜上形成保護上述感光性樹脂膜之用的保護膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；形成上述保護膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，自上述保護膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留物質；去除上述保護膜；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：以塗佈法於被加工膜上形成感光性樹脂膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；形成上述感光性樹脂膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，自上述感光性樹脂膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留溶劑；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：於被加工膜上形成感光性樹脂膜；以塗佈法於上述感光性樹脂膜上形成保護上述感光性樹脂膜之用的保護膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；在形成上述保護膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，令上述保護膜表面平滑化；去除上述保護膜；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：以塗佈法於被加工膜上形成感光性樹脂膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；形成上述感光性樹脂膜後，且令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光前，令上述感光性樹脂膜表面平滑化；以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜之曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種圖案形成方法，其係包含：以塗佈法於上述感光性樹脂膜上形成保護上述感光性樹脂膜之用的保護膜；介由浸潤液令上述感光性樹脂膜之部分區域選擇性地浸潤式曝光，上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上；使用第1顯影液去除上述保護膜，上述第1顯影液係具有上述保護膜之溶解速度變得較上述感光性樹脂膜之溶解速度快的濃度者；以及使用較上述第1顯影液濃度高的第2顯影液，選擇性地去除上述感光性樹脂膜的曝光區域或非曝光區域，藉此形成由上述感光性樹脂膜所形成之圖案。
本發明之另一樣態係提供一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於包含半導體基板之基板上形成光阻圖案，上述光阻圖案係以本發明的樣態之一的圖案形成方法所形成；以及以上述光阻圖案為遮罩蝕刻上述基板，藉此形成圖案。
简体摘要：本发明系关于一种图案形成方法，其系包含：于被加工膜上形成感光性树脂膜；在上述感光性树脂膜上以涂布法形成保护上述感光性树脂膜用的保护膜；介由浸润液选择性地对上述感光性树脂膜之一部分区域浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后、且于含上述感光性树脂膜的一部分区域选择性地浸润式曝光前，自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质；去除上述保护膜；以及选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域，借此形成含上述感光性树脂膜之图案。【创作特点】本发明之一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：在被加工膜上形成感光性树脂膜；以涂布法于上述感光性树脂膜上形成保护上述感光性树脂膜之用的保护膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；形成上述保护膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质；去除上述保护膜；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：以涂布法于被加工膜上形成感光性树脂膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；形成上述感光性树脂膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，自上述感光性树脂膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留溶剂；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：于被加工膜上形成感光性树脂膜；以涂布法于上述感光性树脂膜上形成保护上述感光性树脂膜之用的保护膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，令上述保护膜表面平滑化；去除上述保护膜；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：以涂布法于被加工膜上形成感光性树脂膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；形成上述感光性树脂膜后，且令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光前，令上述感光性树脂膜表面平滑化；以及选择性地去除上述感光性树脂膜之曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种图案形成方法，其系包含：以涂布法于上述感光性树脂膜上形成保护上述感光性树脂膜之用的保护膜；介由浸润液令上述感光性树脂膜之部分区域选择性地浸润式曝光，上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上；使用第1显影液去除上述保护膜，上述第1显影液系具有上述保护膜之溶解速度变得较上述感光性树脂膜之溶解速度快的浓度者；以及使用较上述第1显影液浓度高的第2显影液，选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域，借此形成由上述感光性树脂膜所形成之图案。本发明之另一样态系提供一种半导体设备之制造方法，其系包含：于包含半导体基板之基板上形成光阻图案，上述光阻图案系以本发明的样态之一的图案形成方法所形成；以及以上述光阻图案为遮罩蚀刻上述基板，借此形成图案。

6. 发明专利

TWI238455B 成膜方法,半導體元件,半導體元件之製造方法,圈狀記憶媒體之製造方法失效
简体标题：成膜方法,半导体组件,半导体组件之制造方法,圈状记忆媒体之制造方法
公开(公告)号：TWI238455B
公开(公告)日：2005-08-21
申请号：TW090109049
申请日：2001-04-16
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 , 奧村勝彌
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B05D1/005 , G03F7/16 , G03F7/162 , G11B7/26
摘要：本發明在被處理基板上供應藥液成螺旋形而進行成膜的技術中，可抑制排放藥液到被處理基板外，同時均勻形成膜。前述被處理基板和前述滴下部的相對移動係一面使該基板旋轉，一面使前述滴下部從該基板之大致中心處向該基板外周相對移動，隨著從前述被處理基板之大致中心處向外周的前述滴下部的相對移動，為了不因施加於所滴下的液膜的離心力而該液膜移動，而使該基板轉數w降低，同時使來自該滴下部的前述液體供應速度v增加，而在前述被處理基板上形成液膜。
简体摘要：本发明在被处理基板上供应药液成螺旋形而进行成膜的技术中，可抑制排放药液到被处理基板外，同时均匀形成膜。前述被处理基板和前述滴下部的相对移动系一面使该基板旋转，一面使前述滴下部从该基板之大致中心处向该基板外周相对移动，随着从前述被处理基板之大致中心处向外周的前述滴下部的相对移动，为了不因施加于所滴下的液膜的离心力而该液膜移动，而使该基板转数w降低，同时使来自该滴下部的前述液体供应速度v增加，而在前述被处理基板上形成液膜。

7. 发明专利

TWI223317B 成膜裝置失效
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI223317B
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW090106499
申请日：2001-03-20
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：池上浩 IKEGAMI, HIROSHI , 早 伸夫 , 伊藤信一 , 奧村勝彌
IPC分类号： G03F , B01J , B05C , B05D , H01L
CPC分类号： B05C5/005
摘要：本發明係關於一種成膜裝置，其係具備：藥液排放噴嘴，其係對被處理基板連續地排放藥液；氣體噴出部件，其係配置於此藥液排放噴嘴下方，而對該噴嘴所排放之藥液噴出氣體，藉由該氣體之壓力以改變藥液之軌道；藥液回收部件，其配置方式為與前述氣體噴出部件包夾經排放之藥液，以回收經該氣體噴出部件改變軌道之藥液；以及移動裝置，其係使前述藥液排放噴嘴與前述被處理基板相對地移動；而前述氣體噴出部件係具備：振盪雷射光之雷射振盪器、及氣體產生膜，其係藉由前述雷射振盪器所輻射之雷射光以行加熱、氣化，由是產生前述氣體。
简体摘要：本发明系关于一种成膜设备，其系具备：药液排放喷嘴，其系对被处理基板连续地排放药液；气体喷出部件，其系配置于此药液排放喷嘴下方，而对该喷嘴所排放之药液喷出气体，借由该气体之压力以改变药液之轨道；药液回收部件，其配置方式为与前述气体喷出部件包夹经排放之药液，以回收经该气体喷出部件改变轨道之药液；以及移动设备，其系使前述药液排放喷嘴与前述被处理基板相对地移动；而前述气体喷出部件系具备：振荡激光光之激光振荡器、及气体产生膜，其系借由前述激光振荡器所辐射之激光光以行加热、气化，由是产生前述气体。

8. 发明专利

TW200415672A 加工方法、半導體裝置之製造方法及加工裝置失效
简体标题：加工方法、半导体设备之制造方法及加工设备
公开(公告)号：TW200415672A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092113077
申请日：2003-05-14
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：竹石知之 , 川野健二 , 池上浩 , 伊藤信一 , 高橋理一郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
摘要：一種加工方法，其特徵在於：係進行使形成於基板上的加工膜的加工區域選擇除去或膜厚減少的加工，包含：使在前述基板上的照射形狀比前述加工區域小的第一加工光對於前述基板相對掃描而選擇進行前述加工區域的加工膜加工，對比前述加工區域內側的區域照射第二加工光，選擇進行比前述加工區域內側的區域的前述加工膜加工者。
简体摘要：一种加工方法，其特征在于：系进行使形成于基板上的加工膜的加工区域选择除去或膜厚减少的加工，包含：使在前述基板上的照射形状比前述加工区域小的第一加工光对于前述基板相对扫描而选择进行前述加工区域的加工膜加工，对比前述加工区域内侧的区域照射第二加工光，选择进行比前述加工区域内侧的区域的前述加工膜加工者。

9. 发明专利

TW550635B 電子裝置之製造系統失效
简体标题：电子设备之制造系统
公开(公告)号：TW550635B
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091104278
申请日：2002-03-07
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一 , 東木達彥 , 池上浩 , 早伸夫
IPC分类号： B23K , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70633 , B23K26/04 , B23K26/042 , B23K2201/40 , G03F9/7076 , Y10S430/146 , Y10T29/413
摘要：本發明之電子裝置之製造系統所使用之雷射加工裝置包含：雷射振盪器，其係振盪產生可選擇地除去被加工基板之一部份之雷射光者；掃描系統，其係可使雷射振盪器所振盪產生之雷射光，照射於前述被加工基板之任意位置者；及入射手段，其係可使前述雷射振盪器所振盪產生之雷射光大致垂直地入射於前述被加工基板者。
简体摘要：本发明之电子设备之制造系统所使用之激光加工设备包含：激光振荡器，其系振荡产生可选择地除去被加工基板之一部份之激光光者；扫描系统，其系可使激光振荡器所振荡产生之激光光，照射于前述被加工基板之任意位置者；及入射手段，其系可使前述激光振荡器所振荡产生之激光光大致垂直地入射于前述被加工基板者。

10. 发明专利

TW546679B 加熱方法失效
简体标题：加热方法
公开(公告)号：TW546679B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW089109685
申请日：2000-05-19
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一 , 奧村勝彌
IPC分类号： F26B , H01L
CPC分类号： F26B3/28
摘要：一種加熱方法，係使用加熱裝置，該加熱裝置具備多數燈泡；及，多數石英柱：配置於此燈泡的光放射方向前方，具有在一方端部取入來自該燈泡的放射光的光入射面和在他方端部放射光的光放射面，藉由在配置成與前述石英柱的光放射面相對的被處理體從燈泡通過石英柱照射光，加熱被處理體。以石英柱的光放射面寬度為L時，將石英柱的光放射面和被處理體的距離設定於0.3L附近或0.8 L以上，較佳係1L以上。
简体摘要：一种加热方法，系使用加热设备，该加热设备具备多数灯泡；及，多数石英柱：配置于此灯泡的光放射方向前方，具有在一方端部取入来自该灯泡的放射光的光入射面和在他方端部放射光的光放射面，借由在配置成与前述石英柱的光放射面相对的被处理体从灯泡通过石英柱照射光，加热被处理体。以石英柱的光放射面宽度为L时，将石英柱的光放射面和被处理体的距离设置于0.3L附近或0.8 L以上，较佳系1L以上。

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