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1. 发明专利

TWI522495B 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(4) 有权
简体标题：含铜及钛之金属层用蚀刻液组成物(4)
公开(公告)号：TWI522495B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100115188
申请日：2011-04-29
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：林玟基 , LIM, MIN-KI , 權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 李喻珍 , LEE, YU-JIN , 劉仁浩 , YU, IN-HO
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26

2. 发明专利

TWI673344B 氧化銦層蝕刻液組合物和利用其製造液晶顯示裝置的陣列基板的方法有权
简体标题：氧化铟层蚀刻液组合物和利用其制造液晶显示设备的数组基板的方法
公开(公告)号：TWI673344B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104141109
申请日：2015-12-08
申请人：南韓商東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 鄭敬燮 , JUNG, KYUNG-SUB , 金相泰 , KIM, SANG-TAE , 朴鏞雲 , PARK, YONG-WOON , 李恩遠 , LEE, EUN-WON , 李智娟 , LEE, JI-YEON , 崔容碩 , CHOI, YONG-SUK
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/465 , H01L21/44 , G02F1/1333 , G02F1/1343

3. 发明专利

TWI510675B 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2) 有权
简体标题：含铜及钛之金属层用蚀刻液组成物(2)
公开(公告)号：TWI510675B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100115194
申请日：2011-04-29
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：林玟基 , LIM, MIN-KI , 權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 李喻珍 , LEE, YU-JIN , 劉仁浩 , YU, IN-HO
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , C09K13/08 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26

4. 发明专利

TW201410917A 蝕刻劑以及使用該蝕刻劑於製造顯示裝置之方法审中-公开
简体标题：蚀刻剂以及使用该蚀刻剂于制造显示设备之方法
公开(公告)号：TW201410917A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW101131993
申请日：2012-09-03
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：李昔準 , LEE, SUCK-JUN , 權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 劉仁浩 , YU, IN-HO , 張勳 , JANG, SANG-HOON , 朴英哲 , PARK, YOUNG-CHUL , 李喻珍 , LEE, YU-JIN , 李俊雨 , LEE, JOON-WOO , 金相泰 , KIM, SANG-TAE , 秦榮晙 , JIN, YOUNG-JUN
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , G02F1/133
摘要：根據本發明例示性具體實例之蝕刻劑包括約0.5 wt%至約20 wt%過硫酸鹽、約0.01 wt%至約2 wt%氟化合物、約1 wt%至約10 wt%無機酸、約0.5 wt%至約5 wt%環胺化合物、約0.1 wt%至約5 wt%氯化合物、約0.05 wt%至約3 wt%銅鹽、約0.1 wt%至約10 wt%有機酸或有機酸鹽及水。
简体摘要：根据本发明例示性具体实例之蚀刻剂包括约0.5 wt%至约20 wt%过硫酸盐、约0.01 wt%至约2 wt%氟化合物、约1 wt%至约10 wt%无机酸、约0.5 wt%至约5 wt%环胺化合物、约0.1 wt%至约5 wt%氯化合物、约0.05 wt%至约3 wt%铜盐、约0.1 wt%至约10 wt%有机酸或有机酸盐及水。

5. 发明专利

TWI615508B 用於銅基金屬膜的蝕刻劑組合物、液晶顯示器用陣列基板的製造方法及液晶顯示器用陣列基板有权
简体标题：用于铜基金属膜的蚀刻剂组合物、液晶显示器用数组基板的制造方法及液晶显示器用数组基板
公开(公告)号：TWI615508B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103135696
申请日：2014-10-15
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 李恩遠 , LEE, EUN-WON , 李智娟 , LEE, JI-YEON , 曺京花 , CHO, KYUNG-HWA
IPC分类号： C23F1/14 , C09K13/00 , H01L21/302 , H01L29/786

6. 发明专利

TWI608126B 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物 (1) 有权
简体标题：含铜及钛之金属层用蚀刻液组成物 (1)
公开(公告)号：TWI608126B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW100115193
申请日：2011-04-29
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：林玟基 , LIM, MIN-KI , 權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 李喻珍 , LEE, YU-JIN , 劉仁浩 , YU, IN-HO , 李俊雨 , LEE, JOON-WOO , 朴英哲 , PARK, YOUNG-CHUL , 張尚勛 , JANG, SANG-HOON
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26
CPC分类号： C23F1/16 , H01L21/32134

7. 发明专利

TW201627473A 氧化銦層蝕刻液組合物和利用其製造液晶顯示裝置的陣列基板的方法审中-公开
简体标题：氧化铟层蚀刻液组合物和利用其制造液晶显示设备的数组基板的方法
公开(公告)号：TW201627473A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104141109
申请日：2015-12-08
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 鄭敬燮 , JUNG, KYUNG-SUB , 金相泰 , KIM, SANG-TAE , 朴鏞雲 , PARK, YONG-WOON , 李恩遠 , LEE, EUN-WON , 李智娟 , LEE, JI-YEON , 崔容碩 , CHOI, YONG-SUK
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/465 , H01L21/44 , G02F1/1333 , G02F1/1343
摘要：本發明涉及氧化銦層蝕刻液組合物和利用其製造液晶顯示裝置的陣列基板的方法，更具體地說，涉及不包括硫酸鹽或乙酸鹽、而是包括硝酸、唑類化合物、含氟化合物和水的氧化銦層蝕刻液組合物，以及利用其製造液晶顯示裝置的陣列基板的方法。
简体摘要：本发明涉及氧化铟层蚀刻液组合物和利用其制造液晶显示设备的数组基板的方法，更具体地说，涉及不包括硫酸盐或乙酸盐、而是包括硝酸、唑类化合物、含氟化合物和水的氧化铟层蚀刻液组合物，以及利用其制造液晶显示设备的数组基板的方法。

8. 发明专利

TW201518545A 液晶顯示器用陣列基板的製造方法审中-公开
简体标题：液晶显示器用数组基板的制造方法
公开(公告)号：TW201518545A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103135696
申请日：2014-10-15
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 李恩遠 , LEE, EUN-WON , 李智娟 , LEE, JI-YEON , 曺京花 , CHO, KYUNG-HWA
IPC分类号： C23F1/14 , C09K13/00 , H01L21/302 , H01L29/786
摘要：一種製造液晶顯示器用陣列基板的方法，該方法包括：a)在基板上形成柵線；b)在具有柵線的基板上形成柵絕緣層；c)在柵絕緣層上形成半導體層；d)在半導體層上形成源極和漏極；以及e)形成與漏極連接的像素電極，其中，a)或d)步驟包括：在基板或半導體層上形成Cu基金屬膜，和藉由使用蝕刻劑組合物蝕刻Cu基金屬膜來形成柵線或源極和漏極，並且蝕刻劑組合物是用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於組合物的總重量，包括：5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1.0重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得組合物的總重量為100重量%。
简体摘要：一种制造液晶显示器用数组基板的方法，该方法包括：a)在基板上形成栅线；b)在具有栅线的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层；d)在半导体层上形成源极和漏极；以及e)形成与漏极连接的像素电极，其中，a)或d)步骤包括：在基板或半导体层上形成Cu基金属膜，和借由使用蚀刻剂组合物蚀刻Cu基金属膜来形成栅线或源极和漏极，并且蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，基于组合物的总重量，包括：5~25重量%的过氧化氢(H2O2)；0.1~5重量%的亚磷酸；0.01~1.0重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸盐化合物；以及余量的水，以使得组合物的总重量为100重量%。

9. 发明专利

TWI593779B 非鹵化蝕刻劑及使用非鹵化蝕刻劑製造一顯示基板之方法有权
简体标题：非卤化蚀刻剂及使用非卤化蚀刻剂制造一显示基板之方法
公开(公告)号：TWI593779B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW101104590
申请日：2012-02-13
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. , 東友化學有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：金善一 , KIM, SEON-IL , 崔新逸 , CHOI, SHIN-IL , 朴智榮 , PARK, JI-YOUNG , 金湘甲 , KIM, SANG-GAB , 權五柄 , KWON, O-BYOUNG , 金童基 , KIM, DONG-KI , 金相泰 , KIM, SANG-TAE , 朴英哲 , PARK, YOUNG-CHUL , 劉仁浩 , YU, IN-HO , 尹英晉 , YOON, YOUNG-JIN , 李昔準 , LEE, SUCK-JUN , 李俊雨 , LEE, JOON-WOO , 林玟基 , LIM, MIN-KI , 張尚勳 , JANG, SANG-HOON , 秦榮晙 , JIN, YOUNG-JUN
IPC分类号： C09K11/06 , H01L21/306 , H01L21/84 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0023 , H01L2251/308

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