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1. 发明专利

TW287294B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW287294B
公开(公告)日：1996-10-01
申请号：TW084100158
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 狩野正樹 , 荒見淳一 , 新井延男 , 萩原浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/345 , H01L21/6833 , H01L2924/0002 , H05B3/143 , H01L2924/00
摘要：本發明係有關冷靜電吸盤之陶瓷加熱器，特別關於使用右半導體程序的升降溫工程之附靜電吸盤之陶瓷加熱器者。
其目的，係在提供使用在半導體程序時，也不會在接合部引起剝離的附靜電吸盤整陶瓷加熱器者。
主要係，在電絕緣性陶瓷所成的支持基材表面接合導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，同時在背面接合導電性陶瓷所成的發熱層，在此等之上設置電絕緣性陶瓷所成的被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為，使該支持基材，該靜電吸盤用極及該發熱層的表面粗糙度 Rmax皆成為５μｍ以上者。
简体摘要：本发明系有关冷静电吸盘之陶瓷加热器，特别关于使用右半导体进程的升降温工程之附静电吸盘之陶瓷加热器者。其目的，系在提供使用在半导体进程时，也不会在接合部引起剥离的附静电吸盘整陶瓷加热器者。主要系，在电绝缘性陶瓷所成的支持基材表面接合导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，同时在背面接合导电性陶瓷所成的发热层，在此等之上设置电绝缘性陶瓷所成的被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为，使该支持基材，该静电吸盘用极及该发热层的表面粗糙度 Rmax皆成为５μｍ以上者。

2. 发明专利

TW289129B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289129B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100159
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 荒見淳一 , 掛川健 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
摘要：一種附靜電吸盤之陶瓷加熱器，係將導電性陶瓷而成之靜電吸盤用電極接合於電氣絕緣性陶瓷而成之支持基材表面，並將導電性陶瓷而成之發熱層接合於背面，在此等上設電氣絕緣性陶瓷而成之被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為：將該支持基材與該靜電吸盤用電極之線膨脹係數差，該支持基材與該發熱層之線膨脹係數差，該靜電吸盤用電極與該被覆層之線膨脹係數差及該發熱層與該被覆層之線膨脹係數差均為１×１０－６／℃以下。
简体摘要：一种附静电吸盘之陶瓷加热器，系将导电性陶瓷而成之静电吸盘用电极接合于电气绝缘性陶瓷而成之支持基材表面，并将导电性陶瓷而成之发热层接合于背面，在此等上设电气绝缘性陶瓷而成之被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为：将该支持基材与该静电吸盘用电极之线膨胀系数差，该支持基材与该发热层之线膨胀系数差，该静电吸盘用电极与该被覆层之线膨胀系数差及该发热层与该被覆层之线膨胀系数差均为１×１０－６／℃以下。

3. 发明专利

TW310445B 真空處理裝置失效
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW310445B
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：TW083105982
申请日：1994-06-30
申请人：東京電子東北股份有限公司 , 東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：八木宏憲 , 川田敦雄 , 出口洋一 , 石川賢治 , 柳槷勳 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
摘要：本發明，係有關在真空下為對被處理體進行成膜及蝕刻等處理用的真空處理裝置。
真空處理裝置，具有在真空下進行半導體晶片的成膜處理用之處理室；和設在處理室內，有載置被處理體用的載置面之載置台；和設在載置台的載置面，而使半導體晶片吸著用之靜電夾；和把半導體晶片加熱用的加熱機構；和為了在處理室供給對半導體晶片實施成膜處理用之處理氣體的處理氣體供給機構。載置台，係具有基材，和形成在該基材表面之第１絕緣層，和設在第１絕緣層上的第２絕緣層，在載置台之載置面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間有導電層，根據第１絕緣層，和第２絕緣層與導電層構成上述的靜電吸著裝置，加熱機構，具有在載置台下面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間所設的加熱體。
简体摘要：本发明，系有关在真空下为对被处理体进行成膜及蚀刻等处理用的真空处理设备。真空处理设备，具有在真空下进行半导体芯片的成膜处理用之处理室；和设在处理室内，有载置被处理体用的载置面之载置台；和设在载置台的载置面，而使半导体芯片吸着用之静电夹；和把半导体芯片加热用的加热机构；和为了在处理室供给对半导体芯片实施成膜处理用之处理气体的处理气体供给机构。载置台，系具有基材，和形成在该基材表面之第１绝缘层，和设在第１绝缘层上的第２绝缘层，在载置台之载置面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间有导电层，根据第１绝缘层，和第２绝缘层与导电层构成上述的静电吸着设备，加热机构，具有在载置台下面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间所设的加热体。

4. 发明专利

TW289147B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289147B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100388
申请日：1995-01-17
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 浦野和彥 , 荒見淳一 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L2924/0002 , H02N13/00 , H01L2924/00
摘要：本發明之附靜電吸盤之陶瓷加熱器其目的係提供一種使用於半導體製程中的昇降溫過程之具有良好之溫度分布均一性之付靜電吸盤之陶瓷加熱器，其構成係：於由電氣絕緣性陶瓷所成之支持基材之表面接合由導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，並於側面及背面接合由導電性陶瓷所成之發熱層，於這些上面設置由電氣絕緣性陶瓷所合成之覆蓋層者為其特徵。
简体摘要：本发明之附静电吸盘之陶瓷加热器其目的系提供一种使用于半导体制程中的升降温过程之具有良好之温度分布均一性之付静电吸盘之陶瓷加热器，其构成系：于由电气绝缘性陶瓷所成之支持基材之表面接合由导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，并于侧面及背面接合由导电性陶瓷所成之发热层，于这些上面设置由电气绝缘性陶瓷所合成之覆盖层者为其特征。

5. 实用新型

TW444922U 加熱裝置及使用其之處理裝置失效
简体标题：加热设备及使用其之处理设备
公开(公告)号：TW444922U
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW088202893
申请日：1995-09-26
申请人：東京威力科創有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：荒見淳一 , 石川賢治 , 牛川治憲 , 柳澤勳 , 川田敦雄 , 茂木弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H05B3/265 , H05B3/283 , Y10T29/49083
摘要：本創作之加熱裝置具有:具備用以對被加熱體加熱之加熱面且由二氧化矽形成的加熱板;及具有特定圖型且被固定於加熱板之加熱面之相反側之面的發熱體;及密接於加熱板之發熱體所形成之面上且由二氧化矽形成之反射板。將該加熱裝置設於CVD裝置內之處理容器內,將半導體晶圓載置於其上並加熱，將處理氣體導入處理容器內，藉此在半導體晶圓上形成特定之膜。
简体摘要：本创作之加热设备具有:具备用以对被加热体加热之加热面且由二氧化硅形成的加热板;及具有特定图型且被固定于加热板之加热面之相反侧之面的发热体;及密接于加热板之发热体所形成之面上且由二氧化硅形成之反射板。将该加热设备设于CVD设备内之处理容器内,将半导体晶圆载置于其上并加热，将处理气体导入处理容器内，借此在半导体晶圆上形成特定之膜。

6. 发明专利

TW300319B 單片式處理裝置失效
简体标题：单片式处理设备
公开(公告)号：TW300319B
公开(公告)日：1997-03-11
申请号：TW085109097
申请日：1996-07-25
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：北村昌幸 , 石川賢治 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45502 , C23C16/45561 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B25/14 , H01L21/67017 , H01L21/67098
摘要：本發明係關於一種單片式處理裝置。
該單片式處理裝置係具備有進行半導體晶元的處理之處理容器。並且，在處理容器內設置具有載置半導體晶元的載置面之支持構件。又，以一定的間隔面對於上述載置設置有噴灑頭部。此外，在噴灑頭部分別連接有供應處理氣體的處理氣體供給管。另外，在噴灑頭部設置有多數個氣體噴出孔。又，在支持構件安裝有對於此支持構件進行加熱之第１～第３加熱手段。其中第１加熱手段係設置於支持構件的背面之幾乎中央處。第２加熱手段係以圍繞第１加熱手段的方式設置成同心圓狀。第３加熱手段係設置於支持構件的周緣部。再者，面向於噴灑頭部的支持構件之多數個噴出孔的氣體噴出領域的直徑，係與第３加熱手段的直徑實質上相同。並且，設置有可分別獨立控制第１～第３加熱手段之中央控制部。
简体摘要：本发明系关于一种单片式处理设备。该单片式处理设备系具备有进行半导体芯片的处理之处理容器。并且，在处理容器内设置具有载置半导体芯片的载置面之支持构件。又，以一定的间隔面对于上述载置设置有喷洒头部。此外，在喷洒头部分别连接有供应处理气体的处理气体供给管。另外，在喷洒头部设置有多数个气体喷出孔。又，在支持构件安装有对于此支持构件进行加热之第１～第３加热手段。其中第１加热手段系设置于支持构件的背面之几乎中央处。第２加热手段系以围绕第１加热手段的方式设置成同心圆状。第３加热手段系设置于支持构件的周缘部。再者，面向于喷洒头部的支持构件之多数个喷出孔的气体喷出领域的直径，系与第３加热手段的直径实质上相同。并且，设置有可分别独立控制第１～第３加热手段之中央控制部。

7. 实用新型

TW290217U 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW290217U
公开(公告)日：1996-11-01
申请号：TW084201388
申请日：1994-03-01
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：小山士郎 , 川上聰 , 出口洋一 , 石川賢治
IPC分类号： H05H
摘要：本創作係在電漿形成用之相對向電極之一方配設有靜電吸盤及被處理體推上用之銷。推上用銷和感應器成電性的連接。與給予感應器之ＲＦ（射頻）電力的供給電路成並聯而配設之用以放電可能有帶電於感應器之電荷。因此，能放電殘留於供電力給予感應器上之電荷之同時，並能防止堆上用銷和感應器間之異常放電。
简体摘要：本创作系在等离子形成用之相对向电极之一方配设有静电吸盘及被处理体推上用之销。推上用销和感应器成电性的连接。与给予感应器之ＲＦ（射频）电力的供给电路成并联而配设之用以放电可能有带电于感应器之电荷。因此，能放电残留于供电力给予感应器上之电荷之同时，并能防止堆上用销和感应器间之异常放电。

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