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1. 发明专利

TW287294B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW287294B
公开(公告)日：1996-10-01
申请号：TW084100158
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 狩野正樹 , 荒見淳一 , 新井延男 , 萩原浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/345 , H01L21/6833 , H01L2924/0002 , H05B3/143 , H01L2924/00
摘要：本發明係有關冷靜電吸盤之陶瓷加熱器，特別關於使用右半導體程序的升降溫工程之附靜電吸盤之陶瓷加熱器者。
其目的，係在提供使用在半導體程序時，也不會在接合部引起剝離的附靜電吸盤整陶瓷加熱器者。
主要係，在電絕緣性陶瓷所成的支持基材表面接合導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，同時在背面接合導電性陶瓷所成的發熱層，在此等之上設置電絕緣性陶瓷所成的被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為，使該支持基材，該靜電吸盤用極及該發熱層的表面粗糙度 Rmax皆成為５μｍ以上者。
简体摘要：本发明系有关冷静电吸盘之陶瓷加热器，特别关于使用右半导体进程的升降温工程之附静电吸盘之陶瓷加热器者。其目的，系在提供使用在半导体进程时，也不会在接合部引起剥离的附静电吸盘整陶瓷加热器者。主要系，在电绝缘性陶瓷所成的支持基材表面接合导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，同时在背面接合导电性陶瓷所成的发热层，在此等之上设置电绝缘性陶瓷所成的被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为，使该支持基材，该静电吸盘用极及该发热层的表面粗糙度 Rmax皆成为５μｍ以上者。

2. 发明专利

TW289129B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289129B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100159
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 荒見淳一 , 掛川健 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
摘要：一種附靜電吸盤之陶瓷加熱器，係將導電性陶瓷而成之靜電吸盤用電極接合於電氣絕緣性陶瓷而成之支持基材表面，並將導電性陶瓷而成之發熱層接合於背面，在此等上設電氣絕緣性陶瓷而成之被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為：將該支持基材與該靜電吸盤用電極之線膨脹係數差，該支持基材與該發熱層之線膨脹係數差，該靜電吸盤用電極與該被覆層之線膨脹係數差及該發熱層與該被覆層之線膨脹係數差均為１×１０－６／℃以下。
简体摘要：一种附静电吸盘之陶瓷加热器，系将导电性陶瓷而成之静电吸盘用电极接合于电气绝缘性陶瓷而成之支持基材表面，并将导电性陶瓷而成之发热层接合于背面，在此等上设电气绝缘性陶瓷而成之被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为：将该支持基材与该静电吸盘用电极之线膨胀系数差，该支持基材与该发热层之线膨胀系数差，该静电吸盘用电极与该被覆层之线膨胀系数差及该发热层与该被覆层之线膨胀系数差均为１×１０－６／℃以下。

3. 发明专利

TW310445B 真空處理裝置失效
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW310445B
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：TW083105982
申请日：1994-06-30
申请人：東京電子東北股份有限公司 , 東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：八木宏憲 , 川田敦雄 , 出口洋一 , 石川賢治 , 柳槷勳 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
摘要：本發明，係有關在真空下為對被處理體進行成膜及蝕刻等處理用的真空處理裝置。
真空處理裝置，具有在真空下進行半導體晶片的成膜處理用之處理室；和設在處理室內，有載置被處理體用的載置面之載置台；和設在載置台的載置面，而使半導體晶片吸著用之靜電夾；和把半導體晶片加熱用的加熱機構；和為了在處理室供給對半導體晶片實施成膜處理用之處理氣體的處理氣體供給機構。載置台，係具有基材，和形成在該基材表面之第１絕緣層，和設在第１絕緣層上的第２絕緣層，在載置台之載置面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間有導電層，根據第１絕緣層，和第２絕緣層與導電層構成上述的靜電吸著裝置，加熱機構，具有在載置台下面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間所設的加熱體。
简体摘要：本发明，系有关在真空下为对被处理体进行成膜及蚀刻等处理用的真空处理设备。真空处理设备，具有在真空下进行半导体芯片的成膜处理用之处理室；和设在处理室内，有载置被处理体用的载置面之载置台；和设在载置台的载置面，而使半导体芯片吸着用之静电夹；和把半导体芯片加热用的加热机构；和为了在处理室供给对半导体芯片实施成膜处理用之处理气体的处理气体供给机构。载置台，系具有基材，和形成在该基材表面之第１绝缘层，和设在第１绝缘层上的第２绝缘层，在载置台之载置面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间有导电层，根据第１绝缘层，和第２绝缘层与导电层构成上述的静电吸着设备，加热机构，具有在载置台下面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间所设的加热体。

4. 发明专利

TW289147B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289147B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100388
申请日：1995-01-17
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 浦野和彥 , 荒見淳一 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L2924/0002 , H02N13/00 , H01L2924/00
摘要：本發明之附靜電吸盤之陶瓷加熱器其目的係提供一種使用於半導體製程中的昇降溫過程之具有良好之溫度分布均一性之付靜電吸盤之陶瓷加熱器，其構成係：於由電氣絕緣性陶瓷所成之支持基材之表面接合由導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，並於側面及背面接合由導電性陶瓷所成之發熱層，於這些上面設置由電氣絕緣性陶瓷所合成之覆蓋層者為其特徵。
简体摘要：本发明之附静电吸盘之陶瓷加热器其目的系提供一种使用于半导体制程中的升降温过程之具有良好之温度分布均一性之付静电吸盘之陶瓷加热器，其构成系：于由电气绝缘性陶瓷所成之支持基材之表面接合由导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，并于侧面及背面接合由导电性陶瓷所成之发热层，于这些上面设置由电气绝缘性陶瓷所合成之覆盖层者为其特征。

5. 发明专利

TWI508355B 非水電解質蓄電池用負極材料及非水電解質蓄電池用負極材料之製造方法，以及鋰離子蓄電池有权
简体标题：非水电解质蓄电池用负极材料及非水电解质蓄电池用负极材料之制造方法，以及锂离子蓄电池
公开(公告)号：TWI508355B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100111286
申请日：2011-03-31
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：川田敦雄 , KAWADA, NOBUO
IPC分类号： H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M4/625 , H01M10/052

6. 发明专利

TW201510249A 氧化矽的製造裝置及製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅的制造设备及制造方法
公开(公告)号：TW201510249A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103111467
申请日：2014-03-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：川田敦雄 , KAWADA, NOBUO
IPC分类号： C23C14/08
CPC分类号： C01B33/113
摘要：本發明，是有關於一種氧化矽的製造裝置，具備：將包含二氧化矽粉末的混合原料粉末反應使生成氧化矽氣體的反應室、及在此反應室內供給上述混合原料粉末的原料供給機構、及從上述氧化矽氣體析出氧化矽固體的皮帶狀基體、及朝上述基體析出氧化矽固體的析出室、及將上述氧化矽氣體從上述反應室朝上述析出室搬運的搬運管、及與析出室連結的回收室、及上述皮帶狀基體是可旋轉地被配置於析出室及回收室間且在析出室及回收室間使上述皮帶狀基體旋轉的旋轉機構、及透過閘門閥與回收室連結的裝載鎖定室。依據本發明，可以效率且長時間穩定地將高純度的氧化矽連續地製造。
简体摘要：本发明，是有关于一种氧化硅的制造设备，具备：将包含二氧化硅粉末的混合原料粉末反应使生成氧化硅气体的反应室、及在此反应室内供给上述混合原料粉末的原料供给机构、及从上述氧化硅气体析出氧化硅固体的皮带状基体、及朝上述基体析出氧化硅固体的析出室、及将上述氧化硅气体从上述反应室朝上述析出室搬运的搬运管、及与析出室链接的回收室、及上述皮带状基体是可旋转地被配置于析出室及回收室间且在析出室及回收室间使上述皮带状基体旋转的旋转机构、及透过闸门阀与回收室链接的装载锁定室。依据本发明，可以效率且长时间稳定地将高纯度的氧化硅连续地制造。

7. 发明专利

TW201212352A 非水電解質蓄電池用負極材料及非水電解質蓄電池用負極材料之製造方法，以及鋰離子蓄電池审中-公开
简体标题：非水电解质蓄电池用负极材料及非水电解质蓄电池用负极材料之制造方法，以及锂离子蓄电池
公开(公告)号：TW201212352A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100111286
申请日：2011-03-31
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M4/625 , H01M10/052
摘要：本發明之課題係以提供一種非水電解質蓄電池用負極材料之製造方法,其係使初始效率及循環耐久性為較以往更為優異之矽氧化物系負極材料,即使是以工業性規模亦能安全且容易地量產(製造)。解決課題之技術手段為在由一般式SiOx(x=0.5-1.6)所示之氧化矽與矽一矽氧化物系複合體之至少一方所構成粉末之表面,在有機物氣體及/或蒸氣之氣氛下,藉由溫度800℃以上1300℃以下之熱CVD處理,使被覆量相對於粉末以成為1-40質量%般地進行碳被覆,並將碳被覆後之粉末與氫化鋰及/或氫化鋰鋁混合後,以溫度200℃以上800℃以下進行加熱,相對於粉末使摻雜量以成為0.1-20質量%般地將鋰摻雜於碳被覆後之粉末中;該矽-矽氧化物系複合體為具有粒子徑為50nm以下之矽以原子等級及/或微結晶狀態分散於矽氧化物中之構造,且Si/O之莫耳比為1/0.5-1.6。
简体摘要：本发明之课题系以提供一种非水电解质蓄电池用负极材料之制造方法,其系使初始效率及循环耐久性为较以往更为优异之硅氧化物系负极材料,即使是以工业性规模亦能安全且容易地量产(制造)。解决课题之技术手段为在由一般式SiOx(x=0.5-1.6)所示之氧化硅与硅一硅氧化物系复合体之至少一方所构成粉末之表面,在有机物气体及/或蒸气之气氛下,借由温度800℃以上1300℃以下之热CVD处理,使被覆量相对于粉末以成为1-40质量%般地进行碳被覆,并将碳被覆后之粉末与氢化锂及/或氢化锂铝混合后,以温度200℃以上800℃以下进行加热,相对于粉末使掺杂量以成为0.1-20质量%般地将锂掺杂于碳被覆后之粉末中;该硅-硅氧化物系复合体为具有粒子径为50nm以下之硅以原子等级及/或微结晶状态分散于硅氧化物中之构造,且Si/O之莫耳比为1/0.5-1.6。

8. 发明专利

TW201504144A 氧化矽的製造裝置及製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅的制造设备及制造方法
公开(公告)号：TW201504144A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103111460
申请日：2014-03-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：川田敦雄 , KAWADA, NOBUO , 大橋健 , OHASHI, KEN
IPC分类号： C01B33/113 , H01M4/48
CPC分类号： H01M4/485 , C01B33/113 , H01M10/052
摘要：本發明是有關於一種氧化矽的製造裝置，具備：將包含二氧化矽粉末的混合原料粉末反應使生成氧化矽氣體的反應室、及在此反應室內供給上述混合原料粉末的原料供給機構、及將上述氧化矽氣體作為氧化矽固體朝其表面析出的2個以上的基體、及朝上述基體析出氧化矽固體的析出室、及將上述氧化矽氣體從上述反應室朝上述析出室搬運的搬運管、及回收室、及將氧化矽固體被析出的基體配置的準備室，上述析出室及回收室是透過回收室側閘門閥被連結，上述析出室及準備室是透過準備室側閘門閥被連結。依據本發明，可以效率且長時間穩定地將高純度的氧化矽連續地製造。
简体摘要：本发明是有关于一种氧化硅的制造设备，具备：将包含二氧化硅粉末的混合原料粉末反应使生成氧化硅气体的反应室、及在此反应室内供给上述混合原料粉末的原料供给机构、及将上述氧化硅气体作为氧化硅固体朝其表面析出的2个以上的基体、及朝上述基体析出氧化硅固体的析出室、及将上述氧化硅气体从上述反应室朝上述析出室搬运的搬运管、及回收室、及将氧化硅固体被析出的基体配置的准备室，上述析出室及回收室是透过回收室侧闸门阀被链接，上述析出室及准备室是透过准备室侧闸门阀被链接。依据本发明，可以效率且长时间稳定地将高纯度的氧化硅连续地制造。

9. 发明专利

TW539655B 光纖的製造方法失效
简体标题：光纤的制造方法
公开(公告)号：TW539655B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090132730
申请日：2001-12-28
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大庭敏夫 , 川田敦雄 , 上野方也
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C25/12 , B29C35/10 , B29C2035/0877 , B29L2011/0075
摘要：本發明的解決手段為提供一種光纖的製造方法，其特徵在於，將光纖裸線塗布電子線硬化性樹脂的液狀組成物，大概在大氣壓下，以電子線照射硬化時，在光纖通過部設磁場以提昇照射效率者。依照本發明，將光纖裸線塗布電子線硬化性樹脂的液狀組成物，在以電子線硬化時，可提昇電子線的照射效率之效果。
简体摘要：本发明的解决手段为提供一种光纤的制造方法，其特征在于，将光纤裸线涂布电子线硬化性树脂的液状组成物，大概在大气压下，以电子线照射硬化时，在光纤通过部设磁场以提升照射效率者。依照本发明，将光纤裸线涂布电子线硬化性树脂的液状组成物，在以电子线硬化时，可提升电子线的照射效率之效果。

10. 发明专利

TWI501456B 非水電解質蓄電池用負極材料及非水電解質蓄電池用負極材料之製造方法及鋰離子蓄電池有权
简体标题：非水电解质蓄电池用负极材料及非水电解质蓄电池用负极材料之制造方法及锂离子蓄电池
公开(公告)号：TWI501456B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100111289
申请日：2011-03-31
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：川田敦雄 , KAWADA, NOBUO
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/366 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/4417 , C23C16/56 , H01M4/0428 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/386 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011

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