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    • 9. 发明专利
    • 厚膜光阻圖型之製造方法
    • 厚膜光阻图型之制造方法
    • TW201329638A
    • 2013-07-16
    • TW101143458
    • 2012-11-21
    • 東京應化工業股份有限公司TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
    • 鷲尾泰史WASHIO, YASUSHI安藤友之ANDO, TOMOYUKI志村英一SHIMURA, EIICHI舘俊聡TACHI, TOSHIAKI
    • G03F7/039
    • G03F7/20G03F7/0045G03F7/0048
    • 本發明提供一種抑制起泡之厚膜光阻圖型之製造方法。該製造方法包含於支撐體上層合由厚膜用化學增幅型正型光阻組成物所成之厚膜光阻層之層合步驟,與對前述厚膜光阻層照射活性光線或輻射線之曝光步驟,與使曝光後之前述厚膜光阻層顯像獲得厚膜光阻圖型之顯像步驟,前述厚膜用化學增幅型正型光阻組成物含有藉活性光線或輻射線之照射而產生酸之酸產生劑(A),與藉酸之作用增加對鹼之溶解性之樹脂(B),及有機溶劑(S),前述有機溶劑(S)含有佔全部有機溶劑中40質量%以上之在大氣壓下之沸點為150℃以上、且對矽基板之接觸角為18度以下之有機溶劑。
    • 本发明提供一种抑制起泡之厚膜光阻图型之制造方法。该制造方法包含于支撑体上层合由厚膜用化学增幅型正型光阻组成物所成之厚膜光阻层之层合步骤,与对前述厚膜光阻层照射活性光线或辐射线之曝光步骤,与使曝光后之前述厚膜光阻层显像获得厚膜光阻图型之显像步骤,前述厚膜用化学增幅型正型光阻组成物含有藉活性光线或辐射线之照射而产生酸之酸产生剂(A),与藉酸之作用增加对碱之溶解性之树脂(B),及有机溶剂(S),前述有机溶剂(S)含有占全部有机溶剂中40质量%以上之在大气压下之沸点为150℃以上、且对硅基板之接触角为18度以下之有机溶剂。