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1. 发明专利

TW200410048A 用於負型作用光阻組成物之樹脂化合物 RESINOUS COMPOUND FOR NEGATIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION 失效
简体标题：用于负型作用光阻组成物之树脂化合物 RESINOUS COMPOUND FOR NEGATIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200410048A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW093100146
申请日：1999-11-08
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：羽田英夫 , 岩井武夫 , 藤村悟史
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：揭示一種化學放大負型作用光阻組成物，於製造半導體裝置時使用於微影圖型化，適於在ArF激光雷射光束下進行圖型化曝光，可藉鹼顯影而產生不膨脹且具有正直角剖面輪廓之經高解析圖型化之光阻層。該組成物之特色成分係為該樹脂狀化合物，具有兩種官能基例如羥烷基及羧基或羧酸酯基，可於自光敏性酸產生劑釋出之酸存在下彼此反應以形成分子內及／或分子間酯鍵，而使該樹脂狀成分不可溶於鹼顯影劑溶液中。
简体摘要：揭示一种化学放大负型作用光阻组成物，于制造半导体设备时使用于微影图型化，适于在ArF激光激光光束下进行图型化曝光，可藉碱显影而产生不膨胀且具有正直角剖面轮廓之经高解析图型化之光阻层。该组成物之特色成分系为该树脂状化合物，具有两种官能基例如羟烷基及羧基或羧酸酯基，可于自光敏性酸产生剂发佈之酸存在下彼此反应以形成分子内及／或分子间酯键，而使该树脂状成分不可溶于碱显影剂溶液中。

2. 发明专利

TWI637985B 複合層材料、膜製造方法、及層合體製造方法有权
简体标题：复合层材料、膜制造方法、及层合体制造方法
公开(公告)号：TWI637985B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW103123634
申请日：2014-07-09
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：緒方寿幸 , OGATA, TOSHIYUKI , 野口拓也 , NOGUCHI, TAKUYA , 藤村悟史 , FUJIMURA, SATOSHI , 藤川茂紀 , FUJIKAWA, SHIGENORI
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/06 , B32B27/18 , B32B38/10 , B32B37/00

3. 发明专利

TW201512256A 複合層材料、膜製造方法、及層合體製造方法审中-公开
简体标题：复合层材料、膜制造方法、及层合体制造方法
公开(公告)号：TW201512256A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103123634
申请日：2014-07-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：緒方寿幸 , OGATA, TOSHIYUKI , 野口拓也 , NOGUCHI, TAKUYA , 藤村悟史 , FUJIMURA, SATOSHI , 藤川茂紀 , FUJIKAWA, SHIGENORI
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/06 , B32B27/18 , B32B38/10 , B32B37/00
CPC分类号： B32B27/06 , B01D67/0002 , B01D69/06 , B01D69/10 , B01D71/46 , B01D71/60 , B29C39/14 , B29D99/005 , B29K2079/085 , B29L2031/755 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/38 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2307/7166 , C08J5/18
摘要：本發明提供一種複合層材料(10)，其係層合至少兩層而成，且其一最外側之層可自其以外之層去除，且係具有自立性之支撐薄膜(2)。
简体摘要：本发明提供一种复合层材料(10)，其系层合至少两层而成，且其一最外侧之层可自其以外之层去除，且系具有自立性之支撑薄膜(2)。

4. 发明专利

TW200300872A 正型光阻組成物及使用其之光阻形成方法有权
简体标题：正型光阻组成物及使用其之光阻形成方法
公开(公告)号：TW200300872A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091134954
申请日：2002-12-02
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：岩井武 , 久保田尚孝 , 藤村悟史 , 宮入美和 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明提供一種正型光阻組成物，係含有：在酯側鏈部具有含多環基的酸解離性溶解抑制基，且在主鏈上具有可從(甲基)丙烯酸酯衍生的構成單元並因酸之作用而鹼可溶性會增大的樹脂成份(A)；及因曝光而會產生酸的酸產生劑成份(B)；以及有機溶劑的正型光阻組成物，而其特徵為：前述(A)成份同時具有可從甲基丙烯酸酯衍生的構成單元，及可從丙烯酸酯衍生的構成單元之化學增幅型正型光阻組成物。如使用本光阻組成物，則可形成蝕刻時之表面組糙度及線端粗糙度較低、解像性優異、焦點深度寬幅較廣潤的光阻圖型。
简体摘要：本发明提供一种正型光阻组成物，系含有：在酯侧链部具有含多环基的酸解离性溶解抑制基，且在主链上具有可从(甲基)丙烯酸酯衍生的构成单元并因酸之作用而碱可溶性会增大的树脂成份(A)；及因曝光而会产生酸的酸产生剂成份(B)；以及有机溶剂的正型光阻组成物，而其特征为：前述(A)成份同时具有可从甲基丙烯酸酯衍生的构成单元，及可从丙烯酸酯衍生的构成单元之化学增幅型正型光阻组成物。如使用本光阻组成物，则可形成蚀刻时之表面组糙度及线端粗糙度较低、解像性优异、焦点深度宽幅较广润的光阻图型。

5. 发明专利

TW554256B 正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法失效
简体标题：正型光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW554256B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW091134845
申请日：2002-11-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：岩井武 , 久保田尚孝 , 藤村悟史 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397
摘要：本發明係有關一種含有僅由丙烯酸酯所衍生之單位為主鏈，且受酸之作用可增大對鹼溶解性之樹脂成分(A)與，酸產生劑成分(B)與，有機溶劑成分(C)之正型光阻組成物，其中樹脂成分(A)係為含有：於支鏈上含有較2-甲基-2-金剛烷基更容易解離之多環式酸解離性溶解抑制基之構成單位(a1)、於支鏈上含有內酯之多環式基之構成單位(a2)及於支鏈上含有羥基之多環式基之構成單位之共聚合物，其使用其之光阻圖型之形成方法。本發明之組成物，係為一種於使用200nm以下波長為光源時，可顯示出優良之感度及解像度，且蝕刻時僅產生少許表面粗糙、電路邊緣不均之情形，與使用掃描型電子顯微鏡觀察時，可得到僅具有極少電路狹窄情形之微細光阻圖型的增強化學性正型光阻組成物。
简体摘要：本发明系有关一种含有仅由丙烯酸酯所衍生之单位为主链，且受酸之作用可增大对碱溶解性之树脂成分(A)与，酸产生剂成分(B)与，有机溶剂成分(C)之正型光阻组成物，其中树脂成分(A)系为含有：于支链上含有较2-甲基-2-金刚烷基更容易解离之多环式酸解离性溶解抑制基之构成单位(a1)、于支链上含有内酯之多环式基之构成单位(a2)及于支链上含有羟基之多环式基之构成单位之共聚合物，其使用其之光阻图型之形成方法。本发明之组成物，系为一种于使用200nm以下波长为光源时，可显示出优良之感度及解像度，且蚀刻时仅产生少许表面粗糙、电路边缘不均之情形，与使用扫描型电子显微镜观察时，可得到仅具有极少电路狭窄情形之微细光阻图型的增强化学性正型光阻组成物。

6. 发明专利

TW200300871A 正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法失效
简体标题：正型光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW200300871A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091134845
申请日：2002-11-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：岩井武 , 久保田尚孝 , 藤村悟史 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397
摘要：本發明係有關一種含有僅由丙烯酸酯所衍生之單位為主鏈，且受酸之作用可增大對鹼溶解性之樹脂成分(A)與，酸產生劑成分(B)與，有機溶劑成分(C)之正型光阻組成物，其中樹脂成分(A)係為含有：於支鏈上含有較2-甲基-2-金剛烷基更容易解離之多環式酸解離性溶解抑制基之構成單位(a1)、於支鏈上含有內酯之多環式基之構成單位(a2)及於支鏈上含有羥基之多環式基之構成單位之共聚含物，其使用其之光阻圖型之形成方法。本發明之組成物，係為一種於使用200nm以下波長為光源時，可顯示出優良之感度及解像度，且蝕刻時僅產生少許表面粗糙、電路邊緣不均之情形，與使用掃描型電子顯微鏡觀察時，可得到僅具有極少電路狹窄情形之微細光阻圖型的增強化學性正型光阻組成物。
简体摘要：本发明系有关一种含有仅由丙烯酸酯所衍生之单位为主链，且受酸之作用可增大对碱溶解性之树脂成分(A)与，酸产生剂成分(B)与，有机溶剂成分(C)之正型光阻组成物，其中树脂成分(A)系为含有：于支链上含有较2-甲基-2-金刚烷基更容易解离之多环式酸解离性溶解抑制基之构成单位(a1)、于支链上含有内酯之多环式基之构成单位(a2)及于支链上含有羟基之多环式基之构成单位之共聚含物，其使用其之光阻图型之形成方法。本发明之组成物，系为一种于使用200nm以下波长为光源时，可显示出优良之感度及解像度，且蚀刻时仅产生少许表面粗糙、电路边缘不均之情形，与使用扫描型电子显微镜观察时，可得到仅具有极少电路狭窄情形之微细光阻图型的增强化学性正型光阻组成物。

7. 发明专利

TWI338192B 光阻組成物之評估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：光阻组成物之评估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI338192B
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW094123917
申请日：2004-01-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：平山拓 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩井武 , 佐藤充 , 高須亮一 , 立川俊和 , 岩下淳 , 石塚啓太 , 山田知孝 , 高山壽一 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明為提供一種於浸漬微影蝕刻(immersion lithography)處理步驟中所使用之溶媒具有安定性，且具有優良感度、優良光阻圖案外觀形狀之光阻組成物，及使用該光阻組成物之光阻圖案之形成方法。其為包含屬於某一參數範圍之光阻組成物，或含有酸解離性溶解抑制基，可因酸作用而增大鹼可溶性之樹脂成份(A)，與酸產生劑成分(B)，與有機溶劑，且前述(A)成分為含有(a1)由具有酸解離性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之結構單位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之無水物結構單位及(a0－2)含酚性羥基之結構單位的正型光阻組成物。
简体摘要：本发明为提供一种于浸渍微影蚀刻(immersion lithography)处理步骤中所使用之溶媒具有安定性，且具有优良感度、优良光阻图案外观形状之光阻组成物，及使用该光阻组成物之光阻图案之形成方法。其为包含属于某一参数范围之光阻组成物，或含有酸解离性溶解抑制基，可因酸作用而增大碱可溶性之树脂成份(A)，与酸产生剂成分(B)，与有机溶剂，且前述(A)成分为含有(a1)由具有酸解离性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之结构单位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之无水物结构单位及(a0－2)含酚性羟基之结构单位的正型光阻组成物。

8. 发明专利

TWI317461B 光阻組成物之評估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：光阻组成物之评估方法 EVALUATION METHOD OF RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI317461B
公开(公告)日：2009-11-21
申请号：TW094123914
申请日：2004-01-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：平山拓 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩井武 , 佐藤充 , 高須亮一 , 立川俊和 , 岩下淳 , 石塚啟太 , 山田知孝 , 高山壽一 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明為提供一種於浸漬微影蝕刻(immersion lithography)處理步驟中所使用之溶媒具有安定性，且具有優良感度、優良光阻圖案外觀形狀之光阻組成物，及使用該光阻組成物之光阻圖案之形成方法。其為包含屬於某一參數範圍之光阻組成物，或含有酸解離性溶解抑制基，可因酸作用而增大鹼可溶性之樹脂成份(A)，與酸產生劑成分(B)，與有機溶劑，且前述(A)成分為含有(a1)由具有酸解離性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之結構單位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之無水物結構單位及(a0－2)含酚性羥基之結構單位的正型光阻組成物。
简体摘要：本发明为提供一种于浸渍微影蚀刻(immersion lithography)处理步骤中所使用之溶媒具有安定性，且具有优良感度、优良光阻图案外观形状之光阻组成物，及使用该光阻组成物之光阻图案之形成方法。其为包含属于某一参数范围之光阻组成物，或含有酸解离性溶解抑制基，可因酸作用而增大碱可溶性之树脂成份(A)，与酸产生剂成分(B)，与有机溶剂，且前述(A)成分为含有(a1)由具有酸解离性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之结构单位，且不含有(a0)(a0－1)含二羧酸之无水物结构单位及(a0－2)含酚性羟基之结构单位的正型光阻组成物。

9. 发明专利

TW200300869A 正型光阻組成物與光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：正型光阻组成物与光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW200300869A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091134842
申请日：2002-11-29
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩下淳
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係有關一種將具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之單位為主鏈，且受酸之作用可增大對鹼溶解性之樹脂成分(A)與，經由曝光可產生酸之酸產生劑成分(B)，溶解於有機溶劑(C)所得之正型光阻組成物，其特徵為，上記樹脂成分(A)，係為含有：含多環式基之酸解離性溶解抑制基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之單位(a1)、含內酯之單環式基或多環式基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之單位(a2)、含羥基之多環式基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之單位(a3)，與前述單位(a1)、(a2)與單位(a3)以外之含多環式基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之單位(a4)之共聚合物。本發明之組成物，可提供一種具有優良之解像性，且可擴大獨立光阻圖型之焦點深度寬，與抑制鄰接效果之增強化學性正型光阻組成物。
简体摘要：本发明系有关一种将具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之单位为主链，且受酸之作用可增大对碱溶解性之树脂成分(A)与，经由曝光可产生酸之酸产生剂成分(B)，溶解于有机溶剂(C)所得之正型光阻组成物，其特征为，上记树脂成分(A)，系为含有：含多环式基之酸解离性溶解抑制基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之单位(a1)、含内酯之单环式基或多环式基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之单位(a2)、含羟基之多环式基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之单位(a3)，与前述单位(a1)、(a2)与单位(a3)以外之含多环式基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之单位(a4)之共聚合物。本发明之组成物，可提供一种具有优良之解像性，且可扩大独立光阻图型之焦点深度宽，与抑制邻接效果之增强化学性正型光阻组成物。

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