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1. 发明专利

TW200416876A 電漿處理單元及高頻電力供應單元 PLASMA PROCESSING UNIT AND HIGH-FREQUENCY ELECTRIC POWER SUPPLYING UNIT 审中-公开
简体标题：等离子处理单元及高频电力供应单元 PLASMA PROCESSING UNIT AND HIGH-FREQUENCY ELECTRIC POWER SUPPLYING UNIT
公开(公告)号：TW200416876A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093103202
申请日：2004-02-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 新電元工業股份有限公司 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：速水利泰 HAYAMI, TOSHIHIRO , 岩崎征英 IWASAKI, MASAHIDE , 高平淳一 TAKAHIRA, JUNICHI , 渡部一良 WATANABE, KAZUYOSHI , 小松真一 KOMATSU, SHINICHI , 佐佐木雄一 SASAKI, YUICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082
摘要：本發明之電漿處理單元包括：一處理容器，其內壓可減少；一第一電極，係配置在該處理容器中；一處理氣體供應單元，用以將一處理氣體供應至該處理容器中；一高頻電源，可輸出一具有一在VHF頻帶中之頻率之高頻電力；一匹配單元，係電氣連接該高頻電源與該第一電極以進行阻抗匹配；及一傳輸線，係將該高頻電力由該高頻電源傳送至該匹配單元。一欲處理之基板可配置在該處理容器中，傳送至該第一電極之高頻電力可產生電漿，使得該欲處理之基板可以利用該電漿進行一電漿處理。該傳輸線之長度小於一其中可產生該高頻電力之第三諧波之共振狀態的長度。
简体摘要：本发明之等离子处理单元包括：一处理容器，其内压可减少；一第一电极，系配置在该处理容器中；一处理气体供应单元，用以将一处理气体供应至该处理容器中；一高频电源，可输出一具有一在VHF频带中之频率之高频电力；一匹配单元，系电气连接该高频电源与该第一电极以进行阻抗匹配；及一传输线，系将该高频电力由该高频电源发送至该匹配单元。一欲处理之基板可配置在该处理容器中，发送至该第一电极之高频电力可产生等离子，使得该欲处理之基板可以利用该等离子进行一等离子处理。该传输线之长度小于一其中可产生该高频电力之第三谐波之共振状态的长度。

2. 发明专利

TW200601905A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200601905A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094111225
申请日：2005-04-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岩崎征英 IWASAKI, MASAHIDE , 請井智聰 UKEI, TOMOAKI
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/3266
摘要：〔課題〕在電漿製程中，可以容易地以簡易且低成本來開始高頻放電，且能穩定地維持放電。〔解決手段〕由片段磁鐵M0之下面(N極)所出來之磁力線的一部份BM，於下降至正下方的周邊電漿區域PSB後，朝上方進行U反轉而到達圓周方向相鄰之片段磁鐵ME的下面(S極)。另外，由片段磁鐵mE之下面(N極)出來之磁力線的一部份Bm，於下降至正下方的周邊電漿區域PSB後，朝上方進行U反轉而到達圓周方向相鄰之片段磁鐵mO的下面(S極)。進而，由外側片段磁鐵M0之下面(N極)出來之磁力線的一部份Bc，於下降至正下方的周邊電漿區域PSB後，朝上方進行U反轉而到達半徑方向相鄰之內側的片段磁鐵m0的下面(S極)。
简体摘要：〔课题〕在等离子制程中，可以容易地以简易且低成本来开始高频放电，且能稳定地维持放电。〔解决手段〕由片段磁铁M0之下面(N极)所出来之磁力线的一部份BM，于下降至正下方的周边等离子区域PSB后，朝上方进行U反转而到达圆周方向相邻之片段磁铁ME的下面(S极)。另外，由片段磁铁mE之下面(N极)出来之磁力线的一部份Bm，于下降至正下方的周边等离子区域PSB后，朝上方进行U反转而到达圆周方向相邻之片段磁铁mO的下面(S极)。进而，由外侧片段磁铁M0之下面(N极)出来之磁力线的一部份Bc，于下降至正下方的周边等离子区域PSB后，朝上方进行U反转而到达半径方向相邻之内侧的片段磁铁m0的下面(S极)。

3. 发明专利

TW200845199A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESS APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESS APPARATUS
公开(公告)号：TW200845199A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097111557
申请日：2008-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岩崎征英 IWASAKI, MASAHIDE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：本發明揭示一種電漿處理裝置,其包括:一處理腔室,其容納一經受一預定電漿處理之基板且可經抽空至一減壓;一微波產生器,其產生微波以用於產生電漿;一波導管,其將該等微波自該微波產生器傳輸至該處理腔室;一波導管/同軸管轉換器,其連接至該波導管之一個末端;及一同軸管,其形成該等微波自該波導管-同軸管轉換器傳輸至該處理腔室所通過之一線路。該同軸管之一內部導電本體具有:一中空部分;及一第一處理氣體供應部分,其將一處理氣體通過該同軸管之該內部導電本體的該中空部分而供應至該處理腔室中。
简体摘要：本发明揭示一种等离子处理设备,其包括:一处理腔室,其容纳一经受一预定等离子处理之基板且可经抽空至一减压;一微波产生器,其产生微波以用于产生等离子;一波导管,其将该等微波自该微波产生器传输至该处理腔室;一波导管/同轴管转换器,其连接至该波导管之一个末端;及一同轴管,其形成该等微波自该波导管-同轴管转换器传输至该处理腔室所通过之一线路。该同轴管之一内部导电本体具有:一中空部分;及一第一处理气体供应部分,其将一处理气体通过该同轴管之该内部导电本体的该中空部分而供应至该处理腔室中。

4. 发明专利

TW200703489A 載置台的溫度控制裝置及載置台的溫度控制方法及處理裝置及載置台溫度控制程式审中-公开
简体标题：载置台的温度控制设备及载置台的温度控制方法及处理设备及载置台温度控制进程
公开(公告)号：TW200703489A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095111616
申请日：2006-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岩崎征英 IWASAKI, MASAHIDE
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是以較小規模且簡單構成將載置台的溫度或溫度分布作成多種多樣或高精度地控制,又可作成載置台的高速昇降溫度。其解決手段為,該載置台溫度控制裝置是具有:載置台12內部的冷媒通路、冷卻單元14、加熱單元16、流路轉換單元18、配管類(26、28、30、32、58、60等)及控制器20,藉由控制器20的控制來組合加熱單元16的加熱動作的導通.斷開狀態與流路切換單元18的開閉閥62、64、66、68的導通.斷開狀態針對於載置台12的溫度控制得到多種類的模式。
简体摘要：本发明是以较小规模且简单构成将载置台的温度或温度分布作成多种多样或高精度地控制,又可作成载置台的高速升降温度。其解决手段为,该载置台温度控制设备是具有:载置台12内部的冷媒通路、冷却单元14、加热单元16、流路转换单元18、配管类(26、28、30、32、58、60等)及控制器20,借由控制器20的控制来组合加热单元16的加热动作的导通.断开状态与流路切换单元18的开闭阀62、64、66、68的导通.断开状态针对于载置台12的温度控制得到多种类的模式。

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