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2. 发明专利

TW201342474A 電容器的製造方法、電容器及用於該電容器之介電膜的形成方法审中-公开
简体标题：电容器的制造方法、电容器及用于该电容器之介电膜的形成方法
公开(公告)号：TW201342474A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102104024
申请日：2013-02-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：和村有 , WAMURA, YU , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 菱屋晋吾 , HISHIYA, SHINGO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/92
CPC分类号： H01L28/60 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02356 , H01L28/75 , H01L28/92
摘要：於此提供一種能夠達成高介電值特性及低漏電流之電容器之製造方法，一電容器，及一使用於電容器之介電膜的形成方法。此電容器藉由於基板上形成下部電極層、於下部電極層形成具有介面控制功能之第一TiO2膜、於第一TiO2膜上形成之以ZrO2為基礎之膜、於以ZrO2為基礎之膜中執行退火處理以結晶化ZrO2、於形成以ZrO2為基礎之膜後，於以ZrO2為基礎之膜上形成作為電容膜之第二TiO2膜、以及於第二TiO2膜上形成上部電極層。
简体摘要：于此提供一种能够达成高介电值特性及低漏电流之电容器之制造方法，一电容器，及一使用于电容器之介电膜的形成方法。此电容器借由于基板上形成下部电极层、于下部电极层形成具有界面控制功能之第一TiO2膜、于第一TiO2膜上形成之以ZrO2为基础之膜、于以ZrO2为基础之膜中运行退火处理以结晶化ZrO2、于形成以ZrO2为基础之膜后，于以ZrO2为基础之膜上形成作为电容膜之第二TiO2膜、以及于第二TiO2膜上形成上部电极层。

3. 发明专利

TW201322337A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201322337A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101136489
申请日：2012-10-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：赤坂泰志 , AKASAKA, YASUSHI , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/28229 , H01L21/02318 , H01L21/26566 , H01L21/266 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/31111 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L29/517
摘要：本發明是在於提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：在半導體基板上形成介電質膜之工程；熱處理前述介電質膜之工程；在前述介電質膜上的一部分形成電極之工程；對未被形成前述電極的前述介電質膜照射離子化後的氣體團簇之工程；及前述照射工程之後，藉由濕蝕刻來除去被照射前述離子化後的氣體團簇的區域的前述介電質膜之工程。
简体摘要：本发明是在于提供一种半导体设备的制造方法，其系具有：在半导体基板上形成介电质膜之工程；热处理前述介电质膜之工程；在前述介电质膜上的一部分形成电极之工程；对未被形成前述电极的前述介电质膜照射离子化后的气体团簇之工程；及前述照射工程之后，借由湿蚀刻来除去被照射前述离子化后的气体团簇的区域的前述介电质膜之工程。

4. 发明专利

TWI576916B 半導體元件之製造方法及基板處理系統有权
简体标题：半导体组件之制造方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI576916B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102112010
申请日：2013-04-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU , 田村知大 , TAMURA, TIHIRO , 青山真太郎 , AOYAMA, SHINTARO , 和村有 , WAMURA, YU
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105 , C23C14/08
CPC分类号： H01L21/02356 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28158 , H01L21/28185 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L28/40 , H01L29/401 , H01L29/517

5. 发明专利

TWI528455B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI528455B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101136489
申请日：2012-10-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：赤坂泰志 , AKASAKA, YASUSHI , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/28229 , H01L21/02318 , H01L21/26566 , H01L21/266 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/31111 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L29/517

6. 发明专利

TWI462176B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI462176B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW101119043
申请日：2012-05-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU , 田中義嗣 , TANAKA, YOSHITSUGU , 赤坂泰志 , AKASAKA, YASUSHI , 山下幸司 , YAMASHITA, KOJI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/26566 , H01L21/28185 , H01L29/517

7. 发明专利

TW201327680A 半導體裝置之製造方法及基板處理系統审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及基板处理系统
公开(公告)号：TW201327680A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101132433
申请日：2012-09-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU , 田村知大 , TAMURA, CHIHIRO , 青山真太郎 , AOYAMA, SHINTARO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02318 , C23C14/083 , C23C14/5806 , C23C16/405 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02175 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/02356 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/67115 , H01L21/823462 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其包含以下工序：第1成膜工序，係於被處理體上成膜第1高介電率絕緣膜；結晶化熱處理工序，係在650℃以上且未達60秒之間熱處理該第1高介電率絕緣膜；以及第2成膜工序，係於該第1高介電率絕緣膜上成膜第2高介電率絕緣膜，該第2高介電率絕緣膜係具有離子半徑小於該第1高介電率絕緣膜之金屬元素的離子半徑之金屬元素，且比介電率係大於該第1高介電率絕緣膜。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备之制造方法，其包含以下工序：第1成膜工序，系于被处理体上成膜第1高介电率绝缘膜；结晶化热处理工序，系在650℃以上且未达60秒之间热处理该第1高介电率绝缘膜；以及第2成膜工序，系于该第1高介电率绝缘膜上成膜第2高介电率绝缘膜，该第2高介电率绝缘膜系具有离子半径小于该第1高介电率绝缘膜之金属元素的离子半径之金属元素，且比介电率系大于该第1高介电率绝缘膜。

8. 发明专利

TW201310532A 閘極絕緣膜之形成方法及閘極絕緣膜之形成裝置审中-公开
简体标题：闸极绝缘膜之形成方法及闸极绝缘膜之形成设备
公开(公告)号：TW201310532A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101119001
申请日：2012-05-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：青山真太郎 , AOYAMA, SHINTARO , 井下田真信 , IGETA, MASANOBU , 袴田隆宏 , HAKAMATA, TAKAHIRO , 藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 羅伯特克拉克 , ROBERT, CLARK , 竹山環 , TAKEYAMA, TAMAKI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02181 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01L21/02148 , H01L21/02321 , H01L21/02356 , H01L21/28211 , H01L29/517
摘要：在半導體基板上形成閘極絕緣膜之閘極絕緣膜之形成方法係具有：成膜工程，其係藉由CVD或ALD，在半導體基板上成膜高介電係數膜；第1改質工程，其係以低於成膜溫度的溫度，對前述所成膜的高介電係數膜施行自由基處理來進行改質；及第2改質工程，其係對在第1改質工程中所成膜的高介電係數膜施行熱處理而結晶化。
简体摘要：在半导体基板上形成闸极绝缘膜之闸极绝缘膜之形成方法系具有：成膜工程，其系借由CVD或ALD，在半导体基板上成膜高介电系数膜；第1改质工程，其系以低于成膜温度的温度，对前述所成膜的高介电系数膜施行自由基处理来进行改质；及第2改质工程，其系对在第1改质工程中所成膜的高介电系数膜施行热处理而结晶化。

9. 发明专利

TW201921691A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201921691A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130939
申请日：2018-09-04
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中林肇 , NAKABAYASHI, HAJIME , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/30
摘要：本發明係一種半導體裝置，其課題為提供減少傳播在半導體裝置之配線的信號之延遲的技術。解決手段為有關一實施形態的半導體裝置係具備：第一配線，和第二配線，和設置於第一配線與第二配線之間，絕緣第一配線與第二配線的絕緣層，和設置於第一配線與第二配線之間，調整第一配線與第二配線之間的阻抗之阻抗調整層。在此半導體裝置中，因為調整第一配線與第二配線之間的阻抗之阻抗調整層則設置於第一配線與第二配線之間之故，傳播在配線的信號之延遲(RC延遲)則經由阻抗調整層之存在而減少。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其课题为提供减少传播在半导体设备之配线的信号之延迟的技术。解决手段为有关一实施形态的半导体设备系具备：第一配线，和第二配线，和设置于第一配线与第二配线之间，绝缘第一配线与第二配线的绝缘层，和设置于第一配线与第二配线之间，调整第一配线与第二配线之间的阻抗之阻抗调整层。在此半导体设备中，因为调整第一配线与第二配线之间的阻抗之阻抗调整层则设置于第一配线与第二配线之间之故，传播在配线的信号之延迟(RC延迟)则经由阻抗调整层之存在而减少。

10. 发明专利

TWI536453B 電容器的製造方法、電容器及用於該電容器之介電膜的形成方法有权
简体标题：电容器的制造方法、电容器及用于该电容器之介电膜的形成方法
公开(公告)号：TWI536453B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102104024
申请日：2013-02-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：和村有 , WAMURA, YU , 秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 菱屋晋吾 , HISHIYA, SHINGO , 原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/92
CPC分类号： H01L28/60 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02356 , H01L28/75 , H01L28/92

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