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1. 发明专利

TW201608637A 薄膜形成方法及薄膜形成裝置审中-公开
简体标题：薄膜形成方法及薄膜形成设备
公开(公告)号：TW201608637A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104109124
申请日：2015-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：原田豪繁 , HARADA, KATSUSHIGE , 高田獎 , TAKADA, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/45546 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , C23C16/56
摘要：一種薄膜形成方法，包含：第1成膜程序，其重複進行吸附步驟及氧化步驟多數次，該吸附步驟在將收容被處理體之反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給有機金屬化合物氣體，使有機金屬化合物吸附在前述被處理體上，而該氧化步驟在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給第1氧化劑，使吸附在前述被處理體上之有機金屬化合物氧化而形成薄膜；退火程序，其在前述第1成膜程序結束後，在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供應氧化力比前述第1氧化劑強之第2氧化劑；及第2成膜程序，其在前述退火程序後，重複進行吸附步驟及氧化步驟多數次，該吸附步驟在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給前述有機金屬化合物氣體，使前述有機金屬化合物吸附在前述第1成膜程序中形成之前述薄膜上，而該氧化步驟在將前述反應室內加熱至既定溫度之狀態下供給前述第2氧化劑，使吸附在前述第1成膜程序中形成之前述薄膜上的前述有機金屬化合物氧化而形成薄膜。
简体摘要：一种薄膜形成方法，包含：第1成膜进程，其重复进行吸附步骤及氧化步骤多数次，该吸附步骤在将收容被处理体之反应室内加热至既定温度之状态下供给有机金属化合物气体，使有机金属化合物吸附在前述被处理体上，而该氧化步骤在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供给第1氧化剂，使吸附在前述被处理体上之有机金属化合物氧化而形成薄膜；退火进程，其在前述第1成膜进程结束后，在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供应氧化力比前述第1氧化剂强之第2氧化剂；及第2成膜进程，其在前述退火进程后，重复进行吸附步骤及氧化步骤多数次，该吸附步骤在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供给前述有机金属化合物气体，使前述有机金属化合物吸附在前述第1成膜进程中形成之前述薄膜上，而该氧化步骤在将前述反应室内加热至既定温度之状态下供给前述第2氧化剂，使吸附在前述第1成膜进程中形成之前述薄膜上的前述有机金属化合物氧化而形成薄膜。

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