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1. 实用新型

TW444922U 加熱裝置及使用其之處理裝置失效
简体标题：加热设备及使用其之处理设备
公开(公告)号：TW444922U
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW088202893
申请日：1995-09-26
申请人：東京威力科創有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：荒見淳一 , 石川賢治 , 牛川治憲 , 柳澤勳 , 川田敦雄 , 茂木弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H05B3/265 , H05B3/283 , Y10T29/49083
摘要：本創作之加熱裝置具有:具備用以對被加熱體加熱之加熱面且由二氧化矽形成的加熱板;及具有特定圖型且被固定於加熱板之加熱面之相反側之面的發熱體;及密接於加熱板之發熱體所形成之面上且由二氧化矽形成之反射板。將該加熱裝置設於CVD裝置內之處理容器內,將半導體晶圓載置於其上並加熱，將處理氣體導入處理容器內，藉此在半導體晶圓上形成特定之膜。
简体摘要：本创作之加热设备具有:具备用以对被加热体加热之加热面且由二氧化硅形成的加热板;及具有特定图型且被固定于加热板之加热面之相反侧之面的发热体;及密接于加热板之发热体所形成之面上且由二氧化硅形成之反射板。将该加热设备设于CVD设备内之处理容器内,将半导体晶圆载置于其上并加热，将处理气体导入处理容器内，借此在半导体晶圆上形成特定之膜。

2. 发明专利

TW367525B 處理裝置失效
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW367525B
公开(公告)日：1999-08-21
申请号：TW085103287
申请日：1996-03-19
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：石川賢治 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02N13/00 , C23C16/46
摘要：設於容置台之插座端子係具有向下開口之導電性帽蓋狀構件所構成。插座端子係對於加熱器之發熱體以電氣方式連接。在插座端子內壓入有插頭端子。插頭端子係備有導電部與支撐部與絕緣管。在支撐部之周圍配置有絕緣管。在支撐部與絕緣管之內周面間設有第１間隙。又，導電部之端面與絕緣管端面之間設有第２間隙。支撐部與絕緣管之下端係透過設於處理室底板之孔伸出於處理室外部。在絕緣管之周圍裝設有氣體供給用附件。在氣體供給用附件係包含絕緣管一部分之周圍並且形成有與氣體供給管子連通之凹處。存在於凹處內之絕緣管子之一部分，形成有孔，凹處與第１間隙為經由此等之孔互相連通。連通於凹處之氣體供給管係連結於惰氣供給源。惰氣為從惰氣供給源經由氣體供給管，凹處，第１間隙及第２間隙供給給插座端子與插頭端子之接觸部附近。
简体摘要：设于容置台之插座端子系具有向下开口之导电性帽盖状构件所构成。插座端子系对于加热器之发热体以电气方式连接。在插座端子内压入有插头端子。插头端子系备有导电部与支撑部与绝缘管。在支撑部之周围配置有绝缘管。在支撑部与绝缘管之内周面间设有第１间隙。又，导电部之端面与绝缘管端面之间设有第２间隙。支撑部与绝缘管之下端系透过设于处理室底板之孔伸出于处理室外部。在绝缘管之周围装设有气体供给用附件。在气体供给用附件系包含绝缘管一部分之周围并且形成有与气体供给管子连通之凹处。存在于凹处内之绝缘管子之一部分，形成有孔，凹处与第１间隙为经由此等之孔互相连通。连通于凹处之气体供给管系链接于惰气供给源。惰气为从惰气供给源经由气体供给管，凹处，第１间隙及第２间隙供给给插座端子与插头端子之接触部附近。

3. 发明专利

TW287294B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW287294B
公开(公告)日：1996-10-01
申请号：TW084100158
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 狩野正樹 , 荒見淳一 , 新井延男 , 萩原浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/345 , H01L21/6833 , H01L2924/0002 , H05B3/143 , H01L2924/00
摘要：本發明係有關冷靜電吸盤之陶瓷加熱器，特別關於使用右半導體程序的升降溫工程之附靜電吸盤之陶瓷加熱器者。
其目的，係在提供使用在半導體程序時，也不會在接合部引起剝離的附靜電吸盤整陶瓷加熱器者。
主要係，在電絕緣性陶瓷所成的支持基材表面接合導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，同時在背面接合導電性陶瓷所成的發熱層，在此等之上設置電絕緣性陶瓷所成的被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為，使該支持基材，該靜電吸盤用極及該發熱層的表面粗糙度 Rmax皆成為５μｍ以上者。
简体摘要：本发明系有关冷静电吸盘之陶瓷加热器，特别关于使用右半导体进程的升降温工程之附静电吸盘之陶瓷加热器者。其目的，系在提供使用在半导体进程时，也不会在接合部引起剥离的附静电吸盘整陶瓷加热器者。主要系，在电绝缘性陶瓷所成的支持基材表面接合导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，同时在背面接合导电性陶瓷所成的发热层，在此等之上设置电绝缘性陶瓷所成的被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为，使该支持基材，该静电吸盘用极及该发热层的表面粗糙度 Rmax皆成为５μｍ以上者。

4. 发明专利

TW289129B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289129B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100159
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 荒見淳一 , 掛川健 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
摘要：一種附靜電吸盤之陶瓷加熱器，係將導電性陶瓷而成之靜電吸盤用電極接合於電氣絕緣性陶瓷而成之支持基材表面，並將導電性陶瓷而成之發熱層接合於背面，在此等上設電氣絕緣性陶瓷而成之被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為：將該支持基材與該靜電吸盤用電極之線膨脹係數差，該支持基材與該發熱層之線膨脹係數差，該靜電吸盤用電極與該被覆層之線膨脹係數差及該發熱層與該被覆層之線膨脹係數差均為１×１０－６／℃以下。
简体摘要：一种附静电吸盘之陶瓷加热器，系将导电性陶瓷而成之静电吸盘用电极接合于电气绝缘性陶瓷而成之支持基材表面，并将导电性陶瓷而成之发热层接合于背面，在此等上设电气绝缘性陶瓷而成之被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为：将该支持基材与该静电吸盘用电极之线膨胀系数差，该支持基材与该发热层之线膨胀系数差，该静电吸盘用电极与该被覆层之线膨胀系数差及该发热层与该被覆层之线膨胀系数差均为１×１０－６／℃以下。

5. 发明专利

TW310445B 真空處理裝置失效
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW310445B
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：TW083105982
申请日：1994-06-30
申请人：東京電子東北股份有限公司 , 東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：八木宏憲 , 川田敦雄 , 出口洋一 , 石川賢治 , 柳槷勳 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
摘要：本發明，係有關在真空下為對被處理體進行成膜及蝕刻等處理用的真空處理裝置。
真空處理裝置，具有在真空下進行半導體晶片的成膜處理用之處理室；和設在處理室內，有載置被處理體用的載置面之載置台；和設在載置台的載置面，而使半導體晶片吸著用之靜電夾；和把半導體晶片加熱用的加熱機構；和為了在處理室供給對半導體晶片實施成膜處理用之處理氣體的處理氣體供給機構。載置台，係具有基材，和形成在該基材表面之第１絕緣層，和設在第１絕緣層上的第２絕緣層，在載置台之載置面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間有導電層，根據第１絕緣層，和第２絕緣層與導電層構成上述的靜電吸著裝置，加熱機構，具有在載置台下面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間所設的加熱體。
简体摘要：本发明，系有关在真空下为对被处理体进行成膜及蚀刻等处理用的真空处理设备。真空处理设备，具有在真空下进行半导体芯片的成膜处理用之处理室；和设在处理室内，有载置被处理体用的载置面之载置台；和设在载置台的载置面，而使半导体芯片吸着用之静电夹；和把半导体芯片加热用的加热机构；和为了在处理室供给对半导体芯片实施成膜处理用之处理气体的处理气体供给机构。载置台，系具有基材，和形成在该基材表面之第１绝缘层，和设在第１绝缘层上的第２绝缘层，在载置台之载置面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间有导电层，根据第１绝缘层，和第２绝缘层与导电层构成上述的静电吸着设备，加热机构，具有在载置台下面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间所设的加热体。

6. 发明专利

TW289147B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289147B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100388
申请日：1995-01-17
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 浦野和彥 , 荒見淳一 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L2924/0002 , H02N13/00 , H01L2924/00
摘要：本發明之附靜電吸盤之陶瓷加熱器其目的係提供一種使用於半導體製程中的昇降溫過程之具有良好之溫度分布均一性之付靜電吸盤之陶瓷加熱器，其構成係：於由電氣絕緣性陶瓷所成之支持基材之表面接合由導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，並於側面及背面接合由導電性陶瓷所成之發熱層，於這些上面設置由電氣絕緣性陶瓷所合成之覆蓋層者為其特徵。
简体摘要：本发明之附静电吸盘之陶瓷加热器其目的系提供一种使用于半导体制程中的升降温过程之具有良好之温度分布均一性之付静电吸盘之陶瓷加热器，其构成系：于由电气绝缘性陶瓷所成之支持基材之表面接合由导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，并于侧面及背面接合由导电性陶瓷所成之发热层，于这些上面设置由电气绝缘性陶瓷所合成之覆盖层者为其特征。

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