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1. 发明专利

TW200839040A 製造多晶矽的方法 METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON 失效
简体标题：制造多晶硅的方法 METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
公开(公告)号：TW200839040A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW097109329
申请日：2008-03-17
申请人：智索股份有限公司 CHISSO CORPORATION
发明人：林田智 HAYASHIDA, SATOSHI
IPC分类号： C30B , C01B
CPC分类号： C01B33/033
摘要：一種以相對低的成本製造多晶矽的方法,其中通過減少在通過還原方法由氯化矽製造多晶矽中所產生的廢料的量和增加重複使用的助劑原料的量,來減少所產生的廢料的量。在使用氯化矽氣體與還原劑氣體的氣相反應製造多晶矽中,將氯氣吹入從反應裝置排出的廢氣中以引發反應,使所述廢氣中所含的未反應的還原劑和矽粒氯化,且接著將廢氣中所含的還原劑氯化物與其它雜質分離並回收。
简体摘要：一种以相对低的成本制造多晶硅的方法,其中通过减少在通过还原方法由氯化硅制造多晶硅中所产生的废料的量和增加重复使用的助剂原料的量,来减少所产生的废料的量。在使用氯化硅气体与还原剂气体的气相反应制造多晶硅中,将氯气吹入从反应设备排出的废气中以引发反应,使所述废气中所含的未反应的还原剂和硅粒氯化,且接着将废气中所含的还原剂氯化物与其它杂质分离并回收。

2. 发明专利

TW200844273A 固體產品的製造方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SOLID PRODUCT 失效
简体标题：固体产品的制造方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SOLID PRODUCT
公开(公告)号：TW200844273A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097108342
申请日：2008-03-10
申请人：智索股份有限公司 CHISSO CORPORATION
发明人：本田終一 HONDA, SHUUICHI , 田中亨 TANAKA, TORU , 林田智 HAYASHIDA, SATOSHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C01B33/027 , C01G9/04 , C01P2006/80
摘要：一種製造方法和製造設備,是藉由使用具多個成分的氣態原料的反應製造固體產物的方法,其中所製造的固體產物未被含由反應產生的副產物氣體和未反應的氣態原料的廢氣污染,可達成較高純度,且可從反應器中連續取出製造的固體產物。所述方法包含使用安置在垂直方向上的反應器進行反應的步驟;再從反應器的上部饋送具多個成分的氣態原料的步驟;再在反應器的下部中形成由具有高密度的氣體組成且從反應器的下部連續饋送的氣體層的步驟;再從所形成的密封氣體層的上部中的某處排出廢氣的步驟;以及將固體產物接收在下部的密封氣體層中的步驟。
简体摘要：一种制造方法和制造设备,是借由使用具多个成分的气态原料的反应制造固体产物的方法,其中所制造的固体产物未被含由反应产生的副产物气体和未反应的气态原料的废气污染,可达成较高纯度,且可从反应器中连续取出制造的固体产物。所述方法包含使用安置在垂直方向上的反应器进行反应的步骤;再从反应器的上部馈送具多个成分的气态原料的步骤;再在反应器的下部中形成由具有高密度的气体组成且从反应器的下部连续馈送的气体层的步骤;再从所形成的密封气体层的上部中的某处排出废气的步骤;以及将固体产物接收在下部的密封气体层中的步骤。

3. 发明专利

TW200838800A 高純度矽的製造方法 PRODUCTION PROCESS FOR HIGH PURITY SILICON 失效
简体标题：高纯度硅的制造方法 PRODUCTION PROCESS FOR HIGH PURITY SILICON
公开(公告)号：TW200838800A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW097109324
申请日：2008-03-17
申请人：智索股份有限公司 CHISSO CORPORATION
发明人：林田智 HAYASHIDA, SATOSHI
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B33/039
摘要：本發明提供一種高純度矽的製造方法,在用鋅還原法由四氯化矽製造矽時,有效處理副生的氯化鋅,而較廉價地製造高純度矽。該方法包括:(1)使金屬矽和氯化氫氣體進行反應;(2)對所獲得的反應生成物進行蒸餾而獲得四氯化矽;(3)使所獲得的四氯化矽和鋅氣體進行氣相反應而生成高純度矽;(4)使副生的氯化鋅和氫氣進行反應;以及(5)從所獲得的反應生成物中分離回收鋅和氯化氫,將步驟(5)中經分離回收的鋅用作步驟(3)中鋅氣體的原料,且將步驟(5)中經分離回收的氯化氫用作步驟(1)中氯化氫氣體的原料。
简体摘要：本发明提供一种高纯度硅的制造方法,在用锌还原法由四氯化硅制造硅时,有效处理副生的氯化锌,而较廉价地制造高纯度硅。该方法包括:(1)使金属硅和氯化氢气体进行反应;(2)对所获得的反应生成物进行蒸馏而获得四氯化硅;(3)使所获得的四氯化硅和锌气体进行气相反应而生成高纯度硅;(4)使副生的氯化锌和氢气进行反应;以及(5)从所获得的反应生成物中分离回收锌和氯化氢,将步骤(5)中经分离回收的锌用作步骤(3)中锌气体的原料,且将步骤(5)中经分离回收的氯化氢用作步骤(1)中氯化氢气体的原料。

4. 发明专利

TW200801259A 高純度多結晶矽的製造方法及製造裝置 PRODUCTION PROCESS FOR HIGH PURITY POLYCRYSTAL SILICON AND PRODUCTION APPARATUS FOR THE SAME 审中-公开
简体标题：高纯度多结晶硅的制造方法及制造设备 PRODUCTION PROCESS FOR HIGH PURITY POLYCRYSTAL SILICON AND PRODUCTION APPARATUS FOR THE SAME
公开(公告)号：TW200801259A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095142026
申请日：2006-11-14
申请人：智索股份有限公司 CHISSO CORPORATION
发明人：本田終一 HONDA, SHUICHI , 安枝稔 YASUEDA, MINORU , 林田智 HAYASHIDA, SATOSHI , 山口雅嗣 YAMAGUCHI, MASATSUGU , 田中亨 TANAKA, TORU
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C23C16/24 , B01J4/002 , B01J19/2415 , B01J2219/00135 , B01J2219/00159 , B01J2219/185 , C01B33/03 , Y10T117/10
摘要：本發明提供一種高純度多結晶矽的製造方法,在該製造方法中,利用包括在上部設置的矽氯化物氣體供給噴嘴、還原劑氣體供給噴嘴、排出氣體抽出管之縱型反應器,並向該反應器內供給矽氯化物氣體和還原劑氣體,且利用矽氯化物氣體和還原劑氣體的反應,使矽氯化物氣體供給噴嘴的頂端部生成多結晶矽,還使多結晶矽從該矽氯化物氣體供給噴嘴的頂端部朝著下方成長。
简体摘要：本发明提供一种高纯度多结晶硅的制造方法,在该制造方法中,利用包括在上部设置的硅氯化物气体供给喷嘴、还原剂气体供给喷嘴、排出气体抽出管之纵型反应器,并向该反应器内供给硅氯化物气体和还原剂气体,且利用硅氯化物气体和还原剂气体的反应,使硅氯化物气体供给喷嘴的顶端部生成多结晶硅,还使多结晶硅从该硅氯化物气体供给喷嘴的顶端部朝着下方成长。

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